Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18541F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
на замовлення 21639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+62.19 грн
100+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Power dissipation: 200W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
10+109.86 грн
50+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.69 грн
50+101.53 грн
100+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+102.30 грн
1000+90.79 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,1mOhm; 200A; 200W; -55°C ~ 175°C; CSD18542KCS TCSD18542kcs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.96 грн
10+92.25 грн
50+87.22 грн
100+84.70 грн
250+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 57453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.74 грн
100+35.34 грн
500+25.76 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.12 грн
5000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,6mOhm; 60A; 66W; -55°C ~ 150°C; CSD18543Q3AT CSD18543Q3A TCSD18543q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 57450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.02 грн
5000+20.46 грн
7500+19.60 грн
12500+17.48 грн
17500+16.94 грн
25000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+96.69 грн
100+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3AT
Код товару: 126797
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 8VSON Транзистори
на замовлення 146 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
22+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18543Q3A
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+59.54 грн
500+52.23 грн
750+49.63 грн
1250+43.84 грн
1750+42.21 грн
2500+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
10+93.09 грн
100+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.64 грн
10+82.61 грн
25+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.14 грн
100+60.28 грн
500+44.96 грн
1000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.15 грн
5000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 116
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 116
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5A-PTexas InstrumentsMOSFETs 60V, N ch NexFET MOSFETG , single SON5x6, 6.8mOhm 8-VSONP -55 to 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5A-PTexas InstrumentsDescription: 60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+105.82 грн
100+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
6+83.03 грн
10+77.16 грн
25+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsCSD18563Q5AT CSD18563Q5A MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5AT (Texas Instruments)
Код товару: 172808
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1857C&KRocker Switches
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1771.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1857C&KRocker Switches SWITCH 7107P3CWAV2QE22 SS SC**
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+123.76 грн
500+111.38 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 217W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.79 грн
10+91.41 грн
25+83.03 грн
50+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+110.20 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
50+97.02 грн
100+84.34 грн
500+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,9mOhm; 129A; 217W; -55°C ~ 175°C; CSD19501KCS TCSD19501kcs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19501KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 217
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsMOSFETs N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.33 грн
10+184.30 грн
25+182.45 грн
100+130.37 грн
250+119.50 грн
500+89.48 грн
1000+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5B
Код товару: 220048
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 4870 @ 40, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 4,1 мОм, Ugs(th) = 3.3 @ 250 мкA В, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 191 @ 25°C, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP-8 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.20 грн
100+95.50 грн
500+72.51 грн
1000+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.33 грн
77+184.30 грн
78+182.45 грн
105+130.37 грн
250+119.50 грн
500+89.48 грн
1000+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+110.73 грн
500+98.27 грн
750+94.00 грн
1250+83.73 грн
1750+81.07 грн
2500+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.98 грн
10+171.49 грн
100+120.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs N-Channel 3.4mOhm 8 0V A 595-CSD19502Q5B A 595-CSD19502Q5B
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
50+88.55 грн
100+79.72 грн
500+60.28 грн
1000+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCSTexas InstrumentsMOSFETs 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.22 грн
10+94.77 грн
50+78.83 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19503KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19505KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]