Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18541F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+21.91 грн
50+15.85 грн
100+13.05 грн
500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
на замовлення 16851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.83 грн
50+50.68 грн
100+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.01 грн
10+79.43 грн
50+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 21A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
на замовлення 16750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.60 грн
750+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.37 грн
500+32.21 грн
750+30.93 грн
1250+29.65 грн
1750+27.29 грн
2500+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
10+136.41 грн
50+104.42 грн
100+88.30 грн
500+71.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.30 грн
10+113.01 грн
50+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+102.52 грн
1000+90.99 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.28 грн
10+165.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+133.02 грн
150+109.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.91 грн
10+91.41 грн
50+86.42 грн
100+83.93 грн
250+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+99.04 грн
209+67.87 грн
268+53.02 грн
305+44.84 грн
500+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,6mOhm; 60A; 66W; -55°C ~ 150°C; CSD18543Q3AT CSD18543Q3A TCSD18543q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.18 грн
5000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.98 грн
50+38.55 грн
100+32.10 грн
500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.04 грн
12+67.87 грн
50+53.02 грн
100+44.84 грн
500+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 8VSON Транзистори
на замовлення 101 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
22+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - MOSFET, N-CH, 60V, 35A, VSON
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.24 грн
10+90.58 грн
50+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3AT
Код товару: 126797
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.85 грн
10+82.79 грн
25+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
10+93.63 грн
50+70.82 грн
100+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 9900 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3A
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.19 грн
10+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.62 грн
750+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 116
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 116
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5A-PTexas InstrumentsDescription: 60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5A-PTexas InstrumentsMOSFETs 60V, N ch NexFET MOSFETG , single SON5x6, 6.8mOhm 8-VSONP -55 to 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsCSD18563Q5AT CSD18563Q5A MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Power dissipation: 116W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5AT (Texas Instruments)
Код товару: 172808
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1857C&KRocker Switches
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1775.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1857C&KRocker Switches SWITCH 7107P3CWAV2QE22 SS SC**
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 217W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.24 грн
10+90.58 грн
25+82.27 грн
50+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,9mOhm; 129A; 217W; -55°C ~ 175°C; CSD19501KCS TCSD19501kcs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19501KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 217
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
50+96.13 грн
100+83.57 грн
500+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsMOSFETs N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.96 грн
77+184.71 грн
78+182.86 грн
105+130.66 грн
250+119.77 грн
500+89.68 грн
1000+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5B
Код товару: 220048
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
на замовлення 7464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
10+141.72 грн
50+108.64 грн
100+91.94 грн
500+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.96 грн
10+184.71 грн
25+182.86 грн
100+130.66 грн
250+119.77 грн
500+89.68 грн
1000+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.