Продукція > IPD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPD30N06S2L23ATMA3

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 15.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	55.52 грн
265+	53.52 грн

Мінімальне замовлення: 256 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 55180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.76 грн
17+	46.21 грн
25+	46.11 грн
100+	44.33 грн
250+	40.93 грн
500+	39.18 грн
1000+	39.07 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L23ATMA3

Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm

на замовлення 8166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.44 грн
7500+	33.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	46.21 грн
308+	46.11 грн
309+	45.97 грн
310+	44.20 грн
500+	40.81 грн
1000+	39.07 грн

Мінімальне замовлення: 307 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S3-24

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S3L-20

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S3L-20

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD30N06S3L-20 - IPD30N06 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L-23

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	117.77 грн
127+	112.49 грн
250+	107.99 грн
500+	100.37 грн
1000+	89.90 грн
2500+	83.75 грн

Мінімальне замовлення: 121 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L-23

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.08 грн
10+	58.93 грн
50+	43.87 грн
100+	36.61 грн
500+	28.59 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET

на замовлення 9898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm

на замовлення 5707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.48 грн
19+	41.59 грн
25+	41.49 грн
100+	39.89 грн
250+	36.83 грн
500+	35.26 грн
1000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 18 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	45.36 грн
340+	41.70 грн
351+	40.40 грн
500+	37.48 грн
1000+	33.44 грн
2500+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 313 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 36W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 23mΩ

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	41.59 грн
342+	41.49 грн
343+	41.36 грн
344+	39.78 грн
500+	36.73 грн
1000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 341 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2-22

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S222ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.88 грн
10+	97.00 грн
100+	66.15 грн
500+	49.69 грн
1000+	48.62 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S222ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

на замовлення 1304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S222ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S222ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S222ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

169+	84.00 грн
177+	80.24 грн
250+	77.03 грн
500+	71.60 грн
1000+	64.12 грн

Мінімальне замовлення: 169 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

на замовлення 17816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	69.65 грн
205+	69.26 грн
206+	66.59 грн
250+	61.49 грн
500+	58.86 грн
1000+	58.70 грн

Мінімальне замовлення: 204 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.19 грн
10+	107.09 грн
50+	81.43 грн
100+	68.64 грн
500+	55.00 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	50.92 грн
289+	49.14 грн

Мінімальне замовлення: 279 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

на замовлення 36604 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.45 грн
25+	69.26 грн
100+	66.59 грн
250+	61.49 грн
500+	58.86 грн
1000+	58.70 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.75 грн
7500+	44.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	106.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N08S2L21ATMA1

Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L-34

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.12 грн
7500+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA1

Description: INFINEON - IPD30N10S3L34ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0258 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.11 грн
10+	91.61 грн
50+	69.12 грн
100+	58.06 грн
500+	46.08 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

на замовлення 2788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 30A; 57W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2500+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N10S3L34ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.79 грн
10+	85.78 грн
100+	57.94 грн
500+	43.16 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.18 грн
10+	69.03 грн
100+	49.67 грн
500+	37.12 грн
1000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA1

Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS -T Power-Transistor

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA1

Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS -T Power-Transistor

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-CHANNEL 100+

на замовлення 3563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N12S3L31ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	355.68 грн
42+	340.40 грн
50+	327.42 грн
100+	305.02 грн
250+	273.86 грн
500+	255.75 грн
1000+	249.50 грн

Мінімальне замовлення: 40 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	70.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	110.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	110.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	256.10 грн
74+	191.84 грн
100+	166.91 грн

Мінімальне замовлення: 56 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

на замовлення 7535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.33 грн
10+	142.69 грн
50+	109.55 грн
100+	92.78 грн
500+	75.21 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 34A; 136W; PG-TO252-3
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 136W
Technology: MOSFET
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2500+	106.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD320N20N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10N G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 27A DPAK-2 OptiMOS 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	41.36 грн
25+	41.08 грн
100+	39.34 грн
250+	36.17 грн
500+	34.48 грн
1000+	34.24 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Діоди та діодні збірки

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	129.25 грн
269+	52.71 грн
350+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 110 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

на замовлення 27832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.14 грн
10+	78.45 грн
100+	52.24 грн
500+	38.49 грн
1000+	35.10 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

346+	41.08 грн
348+	40.80 грн
350+	40.51 грн
500+	38.79 грн
1000+	35.67 грн

Мінімальне замовлення: 346 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.36 грн
15+	52.35 грн
100+	40.30 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1
Код товару: 195321

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.96 грн
5000+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.78 грн
5000+	31.08 грн
7500+	29.85 грн
12500+	26.72 грн
17500+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

305+	46.51 грн

Мінімальне замовлення: 305 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.47 грн
5000+	39.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPD33CN10NGBUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD350N06L

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD350N06L G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2

на замовлення 1269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.