Продукція > Si1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1443EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 30V 4A
на замовлення 94761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
11+28.58 грн
100+19.26 грн
500+14.11 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 37573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.92 грн
10+30.97 грн
100+19.96 грн
500+14.26 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 35520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.22 грн
500+12.61 грн
1500+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.15 грн
6000+10.71 грн
9000+10.21 грн
15000+9.05 грн
21000+8.74 грн
30000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 29360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.71 грн
50+31.50 грн
100+20.25 грн
500+14.40 грн
1500+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3VishaySI1467DH-T1-BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.26 грн
100+30.25 грн
500+21.91 грн
1000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3VishayMOSFETs SOT363 P-CH 20V 3A
на замовлення 59542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 101828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 65950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.26 грн
100+30.25 грн
500+21.91 грн
1000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.26 грн
100+30.25 грн
500+21.91 грн
1000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.39 грн
32+23.90 грн
100+21.28 грн
250+19.64 грн
500+18.10 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+34.10 грн
100+25.27 грн
500+20.48 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3VishayMOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A
на замовлення 39107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3VishaySI1469DH-T1-BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.11 грн
15+51.66 грн
25+50.67 грн
100+38.76 грн
250+35.07 грн
500+26.78 грн
1000+20.92 грн
3000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+41.86 грн
100+28.05 грн
500+20.99 грн
1000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.76 грн
6000+16.12 грн
9000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.76 грн
6000+16.05 грн
9000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.67 грн
10+37.91 грн
100+26.10 грн
500+20.55 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 8509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-E3
Код товару: 104180
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.8A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.82 грн
25+43.20 грн
50+36.93 грн
100+29.68 грн
250+25.98 грн
500+23.47 грн
1000+18.90 грн
3000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 2.7A 2.78W 100 mohms @ 10V
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1471DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V -2.7A 2.78W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI14723CBHU
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1472DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1472DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.38A; 2.6W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.38A
Power dissipation: 2.6W
Case: SC70-6; SOT363
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.8 mohm a. 10V 1.7 mohm a. 7.5V
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 100V 2.6A N-CH MOSFET
на замовлення 79975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
6000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
18+17.01 грн
100+15.13 грн
500+14.13 грн
1000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.34 грн
39+19.81 грн
40+19.19 грн
100+16.72 грн
250+15.32 грн
500+13.59 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
10+31.04 грн
100+20.02 грн
500+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.23 грн
6000+13.45 грн
9000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.38 грн
25+32.63 грн
100+20.97 грн
500+15.52 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -8V -2A 2.8W
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-BE3VishaySI1499DH-T1-BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]