Продукція > si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4421-A0-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/Transceiver (EZRadio) SI4421
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+600.83 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -110dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 7dbm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.25 грн
10+627.51 грн
96+550.38 грн
192+496.96 грн
288+486.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LabsTSSOP 16/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4421
кількість в упаковці: 96 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+655.37 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT
Код товару: 209368
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1Silicon LabsDescription: IC RF RECEIVER FSK TSSOP
Packaging: Tube
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FT1RSilicon LabsDescription: IC RF RECEIVER FSK TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -110dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 7dbm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4421
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421/AI4421
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421A0FTR
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421A1FTSilicon LabsФМ приймопередатчик, Uживл, В = 2.2...3.8, F, МГц = 315...915, Iпер, мА = 20, Iпр, мА = 12, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.21 грн
10+146.64 грн
100+101.74 грн
500+77.46 грн
1000+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20 Volt 14 Amp
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.83 грн
145+98.08 грн
147+86.59 грн
250+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 13609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.21 грн
10+146.64 грн
100+101.74 грн
500+77.46 грн
1000+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V
на замовлення 10369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4422SIEMENS01+ SOP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423SISOP-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DYVISHAY09+
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1VISHAY
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 14A 3.0W 7.5mohm @ 4.5V
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si4424BM
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425SISOP-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425-T1-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI44258BDY-T1-E3
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425B
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYSILICON2003 SMD
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY ROHSVISHAY0621+ SOP8
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-E3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.99 грн
209+67.93 грн
500+55.98 грн
1000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SiliconixДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. ИСП. Si4425DDY Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.29 грн
10+92.54 грн
100+68.34 грн
500+54.31 грн
1000+46.66 грн
2500+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 11A 2.5W
на замовлення 55815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3-SVISHAYSOP8
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 11.4A 2.5W 12mohm @ 10V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425D
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-E3
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.96 грн
240+59.27 грн
500+46.44 грн
1000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.38 грн
7500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3
Код товару: 179533
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.90 грн
11+71.76 грн
50+56.58 грн
100+48.02 грн
500+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.90 грн
198+71.76 грн
251+56.58 грн
285+48.02 грн
500+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.40 грн
10+48.07 грн
100+31.63 грн
500+24.81 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 14904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.68 грн
10+56.35 грн
50+41.87 грн
100+34.91 грн
500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYVishay SemiconductorP-канальный ПТ (Vds=-30V, Id=8.5A , Rds=0.023R).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.68 грн
10+30.54 грн
50+22.32 грн
100+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY-T1VISHAY
на замовлення 6295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.70 грн
10+50.73 грн
50+37.55 грн
100+31.26 грн
500+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.