Продукція > EMD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EMD3T2RROHM10 EMT6
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD40-1800LTRMACOMUp-Down Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4000Amphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors Humidity Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4000BAmphenol TelaireDescription: SENSOR HUMIDITY
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SIP Module
Output Type: Resistive
Mounting Type: User Defined
Output: 72k @ 50%RH
Accuracy: ±5% RH
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 1VAC
Sensor Type: Humidity
Humidity Range: 20 ~ 95% RH
Response Time: 60 s
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4000BAmphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors 5%ResistiveElement HUMIDITY SENSOR
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.11 грн
112+7.19 грн
500+5.30 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.49 грн
15+21.36 грн
100+7.66 грн
1000+4.83 грн
4000+4.49 грн
8000+4.00 грн
24000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
11+27.82 грн
100+15.77 грн
500+9.80 грн
1000+7.51 грн
2000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.64 грн
73+11.11 грн
112+7.19 грн
500+5.30 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T5 - EMD4DXV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin Technologies Inc.Description: IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4E001G16G2-150CAS2REverspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4SRectron USADescription: BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
15+20.19 грн
100+12.13 грн
500+10.54 грн
1000+7.17 грн
2000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
на замовлення 8927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+28.02 грн
100+15.53 грн
500+11.67 грн
1000+9.04 грн
2500+8.42 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5
на замовлення 8115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.35 грн
16000+3.81 грн
24000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.22 грн
66+12.32 грн
105+7.74 грн
500+5.30 грн
1000+3.87 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.65 грн
22+14.77 грн
100+8.08 грн
500+5.94 грн
1000+4.69 грн
2500+4.56 грн
5000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.32 грн
105+7.74 грн
500+5.30 грн
1000+3.87 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 31475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.06 грн
100+8.79 грн
500+6.11 грн
1000+5.42 грн
2000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
15+21.20 грн
100+8.22 грн
1000+5.32 грн
2500+4.97 грн
8000+4.07 грн
48000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.03 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
2000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+12.08 грн
104+7.81 грн
223+3.62 грн
500+3.07 грн
1000+2.49 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.08 грн
104+7.81 грн
223+3.62 грн
500+3.07 грн
1000+2.49 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5550EM09+ SSOP24
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RROHMDescription: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.16 грн
55+14.74 грн
100+9.34 грн
500+6.42 грн
1000+4.69 грн
5000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.58 грн
16000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.84 грн
100+11.03 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
2000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RROHMDescription: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.34 грн
500+6.42 грн
1000+4.69 грн
5000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
13+25.01 грн
100+8.22 грн
1000+5.45 грн
2500+4.97 грн
8000+4.07 грн
48000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
15+22.23 грн
100+12.36 грн
500+9.25 грн
1000+7.46 грн
5000+5.59 грн
8000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6-T2R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RROHM SemiconductorDigital Transistors Complex Digital Transistor
на замовлення 8188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
19+17.07 грн
100+9.39 грн
500+6.97 грн
1000+5.52 грн
5000+5.38 грн
8000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.15 грн
115+7.01 грн
223+3.62 грн
500+3.07 грн
1000+2.49 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.48 грн
100+9.75 грн
500+6.80 грн
1000+6.04 грн
2000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.57 грн
1711+8.29 грн
2500+8.04 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.15 грн
115+7.01 грн
223+3.62 грн
500+3.07 грн
1000+2.49 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD63Square DIndustrial Surge Protectors Surge protective device, Surgelogic, EMD, 300kA, 240V delta, 3 phase, 3 wire, SPD type 1, UL 1283, NEMA 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 100...600
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1552+9.14 грн
1605+8.84 грн
2500+8.58 грн
5000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 1552 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
15+22.31 грн
100+16.91 грн
500+10.70 грн
1000+9.32 грн
2500+8.22 грн
5000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 100...600
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
15+20.49 грн
100+12.32 грн
500+10.70 грн
1000+7.28 грн
2000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+1.63 грн
770+0.98 грн
777+0.97 грн
785+0.93 грн
1213+0.56 грн
1600+0.40 грн
2000+0.32 грн
3000+0.31 грн
6000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.82 грн
14+23.66 грн
100+13.12 грн
500+9.87 грн
1000+7.87 грн
5000+6.56 грн
8000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.10 грн
16000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.38 грн
16+20.16 грн
100+10.01 грн
500+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RRohmTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 SOT-563(SOT-666) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RROHMDescription: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.22 грн
66+12.32 грн
105+7.74 грн
500+5.30 грн
1000+3.87 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 18647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.40 грн
100+9.27 грн
500+7.10 грн
1000+5.27 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RDiodesTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 SOT-563(SOT-666) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RROHMDescription: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.32 грн
105+7.74 грн
500+5.30 грн
1000+3.87 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD811MX07+/08+ SOP8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD812MXDIP8
на замовлення 25400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9ROHM04+ SOT-363
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9 T2RROHMSOT663
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9-T2R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9-TPQ2Micro Commercial ComponentsNPN and PNP Digital Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD93Schneider ElectricDescription: SPD T1 EMD 300KA 600 DELTA 3P3W
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD93Square DIndustrial Surge Protectors Surge protective device, Surgelogic, EMD, 300kA, 600V delta, 3 phase, 3 wire, SPD type 1, NEMA 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9DBLE.DIGITALNPN/PNPSMT6N/AN/A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 68
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+11.57 грн
1267+11.19 грн
2500+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 1226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 68
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+29.57 грн
762+18.61 грн
1024+13.84 грн
1230+11.12 грн
2000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 70MA
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+28.42 грн
100+15.74 грн
500+11.80 грн
1000+9.53 грн
2500+9.18 грн
5000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]