Продукція > FF2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF200R12KE4PHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+8675.86 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+9419.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 200A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KES4EUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS3EUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4
Код товару: 51740
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A DUAL
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1InfineonFF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4 IGBT MOD 1200V 275A 1400W Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10172.35 грн
10+8169.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 1.4kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 275A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesMedium Power 62mm IGBT-Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9731.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EUPECMODULE
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 295A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11460.95 грн
100+10888.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7566.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10584.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesTrench and Field Stop IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9159.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3_EInfineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Power dissipation: 1.1kW
Case: AG-62MM-1
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+9158.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6215.65 грн
10+4678.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10089.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
Verlustleistung: 1.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8340.39 грн
10+6786.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1InfineonFF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4 IGBT MOD 1200V 320A 1100W Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8249.14 грн
10+6712.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12MT4Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 295 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12MT4BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6970.86 грн
10+6802.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12W2T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 165 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 165A
Produktpalette: EasyDUAL Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6970.86 грн
10+6802.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 390A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HDLA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-62MMHB
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9847.06 грн
10+8408.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1InfineonFF200R17KE3HOSA1 FF200R17KE3 IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15025.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8799.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3_S4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT Module 200A 1700V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+11126.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14892.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1InfineonFF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4 IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesFF200R17KE4PHPSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 1250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-62MMHB
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2EUPECMODULE
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2C
Код товару: 107908
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CInfineonСилові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CInfineon TechnologiesIGBT Modules 3300V 200A DUAL
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+94890.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+123127.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+125940.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+112289.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+125940.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+112289.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF20LTELESTECategory: F connectors
Description: Connector: F; terminator; male; 75Ω
Type of connector: F
Connector: terminator
Kind of connector: male
Wave impedance: 75Ω
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2100QFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 325A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3EUPECMODULE
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+15422.26 грн
25+14959.11 грн
100+14497.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+14169.43 грн
25+13743.90 грн
100+13319.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11044.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+15422.26 грн
25+14959.11 грн
100+14497.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+15422.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 225A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-4 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: FF225R12 - IGBT MODULE
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BDLA1Infineon TechnologiesDescription: FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9116.90 грн
10+7848.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9116.90 грн
10+7848.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7295.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 320A 1050W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8335.09 грн
10+6427.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7295.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.