Продукція > FF2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF200R12KES4EUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS3EUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A DUAL
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11127.38 грн
10+9282.98 грн
100+7308.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4
Код товару: 51740
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > IGBT
Напруга колектор-емітер Vces, V: 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11704.64 грн
10+9046.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 1.4kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 275A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10615.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4InfineonIGBT MOD 1200V 275A 1400W Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9642.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4PHOSA1Infineon TechnologiesMedium Power 62mm IGBT-Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 295A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EUPECMODULE
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7497.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11486.48 грн
100+10912.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10487.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesTrench and Field Stop IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9075.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3_EInfineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7165.62 грн
10+5901.79 грн
100+4603.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4INFINEON
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6158.70 грн
10+4635.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6711.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8358.97 грн
10+6801.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8267.51 грн
10+6727.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6675.14 грн
5+6139.55 грн
10+5603.96 грн
50+5099.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10111.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4InfineonIGBT MOD 1200V 320A 1100W Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12MT4Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 295 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12MT4BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6986.38 грн
10+6817.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12W2T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 165 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 165A
Produktpalette: EasyDUAL Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6506.00 грн
5+5959.14 грн
10+5411.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5265.69 грн
10+4317.98 грн
105+3357.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12W2T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6986.38 грн
10+6817.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 390A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9328.12 грн
10+8362.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HDLA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-62MMHB
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9756.85 грн
10+8330.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15058.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10374.33 грн
5+9723.57 грн
10+9072.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1 FF200R17KE3InfineonIGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8718.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3_S4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT Module 200A 1700V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9538.33 грн
10+7819.84 грн
100+6246.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9389.33 грн
10+7332.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+11151.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8404.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14755.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4InfineonIGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 310A Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 1250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-62MMHB
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4PHPSA1Infineon TechnologiesFF200R17KE4PHPSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2EUPECMODULE
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CInfineon TechnologiesIGBT Modules 3300V 200A DUAL
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+112830.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CInfineonСилові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2C
Код товару: 107908
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+126220.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+112539.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+126220.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+112539.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+123401.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R33KF2CNOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+94021.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF20LTELESTECategory: F connectors
Description: Connector: F; terminator; male; 75Ω
Kind of connector: male
Connector: terminator
Wave impedance: 75Ω
Type of connector: F
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.48 грн
24+17.95 грн
50+15.87 грн
200+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2100QFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3EUPECMODULE
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 325A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+15456.61 грн
25+14992.42 грн
100+14529.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+14200.99 грн
25+13774.51 грн
100+13349.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+15456.61 грн
25+14992.42 грн
100+14529.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9268.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+15456.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 225A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7124.55 грн
10+6293.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: FF225R12 - IGBT MODULE
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-4 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 225 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4B11BPSA2Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BDLA1Infineon TechnologiesDescription: FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7311.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7113.96 грн
10+5709.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7311.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9137.20 грн
10+7866.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]