Продукція > IAU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.06 грн
10+214.56 грн
100+152.15 грн
500+124.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+398.67 грн
10+259.34 грн
100+202.96 грн
500+157.80 грн
1000+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.79 грн
74+191.84 грн
100+172.94 грн
500+145.80 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.10 грн
10+223.88 грн
100+138.07 грн
500+120.12 грн
2000+112.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+114.01 грн
4000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.71 грн
55+260.06 грн
60+239.56 грн
100+228.63 грн
250+209.59 грн
500+196.34 грн
1000+186.06 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.96 грн
500+157.80 грн
1000+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.71 грн
10+260.06 грн
25+239.56 грн
100+228.63 грн
250+209.59 грн
500+196.34 грн
1000+186.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.92 грн
500+109.19 грн
1000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.98 грн
10+169.89 грн
100+115.98 грн
500+97.34 грн
1000+91.12 грн
2000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N005AUMA1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.46 грн
10+161.02 грн
100+125.66 грн
500+96.34 грн
1000+93.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.19 грн
10+194.91 грн
100+136.92 грн
500+109.19 грн
1000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N005AUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.17 грн
500+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N006AUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+146.88 грн
100+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.90 грн
10+177.99 грн
100+144.17 грн
500+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.84 грн
10+177.04 грн
100+107.69 грн
500+95.27 грн
1000+90.43 грн
2000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N006AUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.36 грн
10+143.69 грн
100+104.24 грн
250+98.03 грн
500+89.74 грн
1000+84.22 грн
2000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.56 грн
500+90.49 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.41 грн
10+130.13 грн
100+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.07 грн
10+149.00 грн
100+113.56 грн
500+90.49 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.85 грн
10+140.94 грн
100+111.95 грн
500+92.74 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+111.95 грн
500+92.74 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.50 грн
10+134.17 грн
100+93.20 грн
250+85.60 грн
500+78.01 грн
1000+66.89 грн
2000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+119.43 грн
100+91.50 грн
500+69.67 грн
1000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+96.70 грн
100+65.10 грн
500+48.40 грн
1000+44.32 грн
2000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+51.64 грн
500+40.94 грн
1000+35.41 грн
5000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.12 грн
14+57.59 грн
100+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.20 грн
50+76.67 грн
250+53.56 грн
1000+34.40 грн
3000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.39 грн
100+55.75 грн
500+41.19 грн
1000+37.60 грн
2000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.67 грн
250+53.56 грн
1000+34.40 грн
3000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.96 грн
10000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.25 грн
500+34.86 грн
1000+29.27 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.96 грн
10000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.93 грн
158+90.13 грн
183+77.73 грн
200+72.22 грн
500+58.75 грн
1000+45.97 грн
2000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
50+64.75 грн
250+46.79 грн
1000+30.21 грн
3000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+66.04 грн
100+43.88 грн
500+32.28 грн
1000+29.42 грн
2000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.75 грн
250+46.79 грн
1000+30.21 грн
3000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.34 грн
160+88.72 грн
197+72.17 грн
211+65.04 грн
1000+47.15 грн
5000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 34266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.34 грн
10+68.99 грн
100+39.76 грн
500+31.20 грн
1000+26.09 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.00 грн
10000+24.28 грн
15000+23.41 грн
25000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.59 грн
128+111.34 грн
165+86.41 грн
250+82.47 грн
500+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.08 грн
10+113.59 грн
25+111.34 грн
100+83.32 грн
250+76.36 грн
500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.12 грн
100+51.64 грн
500+40.94 грн
1000+35.41 грн
5000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.79 грн
159+89.43 грн
195+73.00 грн
203+67.66 грн
500+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+84.66 грн
100+57.02 грн
500+42.39 грн
1000+38.82 грн
2000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+78.52 грн
100+44.94 грн
500+35.55 грн
1000+30.86 грн
2500+29.34 грн
5000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+70.82 грн
100+47.34 грн
500+34.98 грн
1000+31.93 грн
2000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+64.02 грн
100+42.55 грн
500+31.30 грн
1000+28.52 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
12+72.00 грн
100+47.92 грн
500+34.93 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.34 грн
10+68.99 грн
100+39.76 грн
500+31.20 грн
1000+26.09 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.92 грн
500+34.93 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.79 грн
10+134.50 грн
100+93.43 грн
500+66.11 грн
1000+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.01 грн
10+153.22 грн
100+91.12 грн
500+73.87 грн
1000+63.51 грн
5000+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.88 грн
10+143.07 грн
100+98.42 грн
500+74.44 грн
1000+68.67 грн
2000+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
500+66.11 грн
1000+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.99 грн
10000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 120W
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3600 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.92 грн
500+56.99 грн
1000+48.05 грн
5000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 11165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+123.85 грн
100+73.18 грн
500+61.72 грн
1000+54.95 грн
2500+51.98 грн
5000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.41 грн
10+106.42 грн
100+72.58 грн
500+54.50 грн
1000+50.13 грн
2000+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3600 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.58 грн
10+112.76 грн
100+76.92 грн
500+56.99 грн
1000+48.05 грн
5000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 20909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.75 грн
10+168.31 грн
100+102.17 грн
500+85.60 грн
1000+79.39 грн
2500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.09 грн
500+74.79 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.61 грн
10+166.25 грн
100+115.33 грн
500+87.80 грн
1000+81.23 грн
2000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]