Продукція > IGL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.83 грн
10+253.53 грн
100+181.52 грн
500+141.52 грн
1000+132.26 грн
2000+125.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 13A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 13A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.79 грн
10+164.84 грн
50+127.33 грн
100+108.15 грн
500+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.20 грн
10+98.98 грн
25+92.97 грн
100+83.92 грн
250+77.62 грн
500+72.78 грн
1000+71.05 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.20 грн
143+98.98 грн
153+92.97 грн
163+83.92 грн
250+77.62 грн
500+72.78 грн
1000+71.05 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
10+119.63 грн
50+91.33 грн
100+77.12 грн
500+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+85.00 грн
180+78.83 грн
191+74.30 грн
250+70.93 грн
500+59.87 грн
1000+57.45 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.62 грн
10+85.00 грн
25+78.83 грн
100+71.65 грн
250+65.67 грн
500+57.47 грн
1000+57.45 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+105.31 грн
20000+96.23 грн
30000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.78 грн
50+78.77 грн
100+66.35 грн
500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 7.3A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SInfineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.20 грн
10+132.69 грн
50+101.59 грн
100+85.92 грн
500+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 13A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.21 грн
10+122.27 грн
25+121.04 грн
100+99.00 грн
250+91.61 грн
500+77.79 грн
1000+77.51 грн
3000+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 13A 8-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 13A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.21 грн
116+122.27 грн
117+121.04 грн
138+99.00 грн
250+91.61 грн
500+77.79 грн
1000+77.51 грн
3000+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 13A 8-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R140D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SInfineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.93 грн
10+94.81 грн
25+94.00 грн
100+76.89 грн
250+70.85 грн
500+60.30 грн
1000+59.35 грн
3000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+107.41 грн
50+81.55 грн
100+68.71 грн
500+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.81 грн
151+94.00 грн
178+79.74 грн
250+76.52 грн
500+62.81 грн
1000+59.35 грн
3000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SInfineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.02 грн
145+98.03 грн
182+77.82 грн
250+73.94 грн
500+58.17 грн
1000+50.50 грн
3000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+101.97 грн
50+77.12 грн
100+64.85 грн
500+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.60 грн
10+99.02 грн
25+98.03 грн
100+75.04 грн
250+68.46 грн
500+55.85 грн
1000+50.50 грн
3000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 67A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 67A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035B3AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+694.92 грн
10+567.15 грн
25+495.02 грн
100+458.34 грн
250+423.63 грн
500+405.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.08 грн
10+504.50 грн
50+406.78 грн
100+362.12 грн
500+341.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+327.38 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+694.92 грн
25+567.15 грн
29+495.02 грн
100+458.34 грн
250+423.63 грн
500+405.96 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.32 грн
10+376.64 грн
50+300.80 грн
100+259.38 грн
500+254.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.