Продукція > IGL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGLR65R200D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.33 грн
10+119.38 грн
100+73.85 грн
500+61.73 грн
1000+57.62 грн
2500+55.74 грн
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.52 грн
10+114.61 грн
100+82.91 грн
500+64.01 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.80 грн
100+81.58 грн
500+61.62 грн
1000+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.82 грн
10+107.58 грн
25+106.51 грн
100+88.19 грн
250+80.85 грн
500+70.94 грн
1000+70.13 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.91 грн
500+64.01 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.82 грн
132+107.58 грн
133+106.51 грн
155+88.19 грн
250+81.54 грн
500+69.61 грн
1000+69.46 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.37 грн
154+92.43 грн
179+79.44 грн
250+75.84 грн
500+63.70 грн
1000+59.30 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.32 грн
10+101.76 грн
100+62.91 грн
500+52.46 грн
1000+47.73 грн
2500+47.03 грн
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
10+105.67 грн
100+74.78 грн
500+56.84 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+103.03 грн
100+70.19 грн
500+52.68 грн
1000+48.44 грн
2000+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.18 грн
10+93.37 грн
25+92.43 грн
100+76.60 грн
250+70.22 грн
500+61.16 грн
1000+59.30 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+105.31 грн
20000+96.23 грн
30000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.78 грн
500+56.84 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SInfineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.95 грн
117+121.41 грн
118+120.20 грн
138+99.49 грн
250+91.61 грн
500+78.40 грн
1000+77.81 грн
3000+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.03 грн
10+131.40 грн
100+81.52 грн
500+67.72 грн
1000+64.73 грн
2500+62.29 грн
5000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.95 грн
10+121.41 грн
25+120.20 грн
100+100.81 грн
250+92.41 грн
500+81.54 грн
1000+79.39 грн
3000+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R140D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SInfineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.93 грн
10+94.46 грн
25+94.02 грн
100+77.61 грн
250+71.15 грн
500+62.09 грн
1000+60.25 грн
3000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.39 грн
10+107.30 грн
100+75.51 грн
500+57.67 грн
1000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.20 грн
10+105.76 грн
100+64.73 грн
500+53.23 грн
1000+48.56 грн
2500+47.80 грн
5000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.42 грн
151+94.00 грн
178+79.74 грн
250+76.52 грн
500+62.81 грн
1000+59.35 грн
3000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SInfineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
10+97.54 грн
100+67.55 грн
500+51.10 грн
1000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.08 грн
10+99.46 грн
25+98.46 грн
100+75.74 грн
250+69.42 грн
500+59.93 грн
1000+55.21 грн
3000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.46 грн
144+98.46 грн
181+78.54 грн
250+74.97 грн
500+62.43 грн
1000+55.21 грн
3000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+110.12 грн
100+74.61 грн
500+55.77 грн
1000+51.19 грн
2000+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.32 грн
10+96.15 грн
100+57.90 грн
500+47.17 грн
1000+42.01 грн
2500+41.32 грн
5000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.68 грн
5+742.94 грн
10+620.20 грн
50+518.54 грн
100+425.70 грн
250+417.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.68 грн
10+611.34 грн
100+425.70 грн
1000+361.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+620.20 грн
50+518.54 грн
100+425.70 грн
250+417.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.15 грн
10+669.87 грн
100+503.87 грн
500+433.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.05 грн
10+522.40 грн
100+379.02 грн
500+337.21 грн
1000+300.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.41 грн
10+551.97 грн
100+410.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+757.57 грн
5+638.08 грн
10+517.78 грн
50+423.43 грн
100+337.91 грн
250+330.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+799.84 грн
50+661.19 грн
100+584.55 грн
250+555.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+606.38 грн
5+497.46 грн
10+388.54 грн
50+323.05 грн
100+263.36 грн
250+257.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.51 грн
10+440.34 грн
100+323.11 грн
500+256.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.86 грн
10+390.20 грн
100+282.17 грн
500+265.45 грн
1800+225.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+707.18 грн
50+593.26 грн
100+485.62 грн
250+470.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
iglt65r055b2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+604.76 грн
50+505.71 грн
100+414.55 грн
250+406.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.96 грн
10+621.11 грн
100+465.16 грн
500+394.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.19 грн
10+627.37 грн
100+431.27 грн
500+388.08 грн
1000+335.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.00 грн
5+738.88 грн
10+604.76 грн
50+505.71 грн
100+414.55 грн
250+406.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+376.09 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.65 грн
10+316.49 грн
100+222.26 грн
500+198.57 грн
1000+168.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+309.24 грн
100+224.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.35 грн
10+370.17 грн
100+279.39 грн
500+266.15 грн
1000+224.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.91 грн
10+375.43 грн
25+347.17 грн
100+296.62 грн
250+282.71 грн
500+274.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.74 грн
10+235.34 грн
100+166.41 грн
500+128.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.38 грн
10+195.08 грн
100+147.94 грн
500+121.52 грн
1000+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.02 грн
10+205.12 грн
100+132.38 грн
500+113.57 грн
1800+96.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.94 грн
500+121.52 грн
1000+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.31 грн
10+197.73 грн
25+195.75 грн
100+165.21 грн
250+151.37 грн
500+136.67 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesEnhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.31 грн
72+197.73 грн
73+195.75 грн
100+164.12 грн
250+150.44 грн
500+140.47 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2