Продукція > IHW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW20N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW20T120 | INF | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW20T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW20T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 28Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 178 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120 | MODULE | на замовлення 292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IHW25N120E1 | Infineon / IR | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 92.4W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ RC Turn-off time: 2004ns | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: NPT and Trench Switching Energy: 800µJ (off) Gate Charge: 147 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 231 W | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW25N120R2 | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IHW25N120R2 | Infineon Technologies | IGBTs REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: -/324ns Switching Energy: 1.59mJ Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 60.7 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 365 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120R2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 365 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1400 V, 25 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW25N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1400V 68A TO247-44 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-44 Td (on/off) @ 25°C: -/195ns Switching Energy: -, 110µJ (off) Test Condition: 25V, 25A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Current - Collector (Ic) (Max): 68 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 246 W | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW25N140R5LXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW25N140R5LXKSA1 - IGBT, 68 A, 1.7 V, 246 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 68A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N100R | Infineon Technologies | Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/846ns Switching Energy: 2.1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 209 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N100T | INFINEON | MODULE | на замовлення 100059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns Switching Energy: 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N110R3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/350ns Switching Energy: 1.15mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 333 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N110R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N110R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N110R3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TO-247-3 Packaging: Tube Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/350ns Gate Charge: 240 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R | Infineon Technologies | IGBTs REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R2 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R2 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/792ns Switching Energy: 3.1mJ Test Condition: 600V, 30A, 28Ohm, 15V Gate Charge: 198 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 390 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R2 | INFINEON | MODULE | на замовлення 100152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R3 | Infineon technologies | на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N120R3FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW30N120R3FKSA1 - IHW30N120 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: -/326ns Switching Energy: 1.47mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 263 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 349 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R3FKSA1 : SP000999768 IHW30N120R3 | Infineon | IGBT 1200V 60A 349W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/330ns Switching Energy: 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 363ns Technology: TRENCHSTOP™ RC | на замовлення 286 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R3 | Infineon Technologies | Description: REVERSE CONDUCTING IGBT Power - Max: 349 W Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Active Gate Charge: 263 nC Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1.93mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/337ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R3 | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IHW30N135R3 Код товару: 187683
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N135R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 263nC Kind of package: tube Turn-off time: 510ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1350V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/337ns Switching Energy: 1.93mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 263 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 349 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N135R5 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5 TIHW30n135r5 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N135R5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/310ns Switching Energy: 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Turn-off time: 680ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | на замовлення 222 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5) Код товару: 183681
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, V: 1350 Напруга насичення Vce, V: 1,65 Струм колектора Ic при 25°C, A: 60 Струм колектора Ic при 100°C, A: 30 Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 330 | у наявності: 21 шт
|
| ||||||||||||
| IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N140R5LXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW30N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Verlustleistung: 306W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1400 V, 30 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1400V 80A TO247-44 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-44 Td (on/off) @ 25°C: -/175ns Switching Energy: -, 140µJ (off) Test Condition: 25V, 30A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 306 W | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IHW30N140R5LXKSA1 Код товару: 196050
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IHW30N160R2 | Infineon Technologies | IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N160R2 Код товару: 53306
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IHW30N160R2 | Infineon | IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/525ns Switching Energy: 4.37mJ Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

