Продукція > IKW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKW20N60T TIKW20n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 Код товару: 188050
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon | IGBT 600V 40A 166W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 41 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 41A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | на замовлення 11520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW20N65ET7XKSA1 Код товару: 178407
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 55A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 250 W | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Turn-off time: 490ns | на замовлення 212 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | на замовлення 304560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3 Код товару: 113551
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW25N120H3 | Infineon | IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 290 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120T2 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120T2 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120T2 Код товару: 39789
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 50A 349W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 2.9mJ Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2FKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25N120T2XK | Infineon Technologies | Description: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25T120 Код товару: 175269
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW25T120 | Infineon | IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25T120 | Infineon Technologies | Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Power - Max: 190 W Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Not For New Designs Gate Charge: 155 nC Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Switching Energy: 4.2mJ Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | на замовлення 2014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | International Rectifier HiRel Products | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon | 1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW25T120T2 | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW30N60DTP | Infineon Technologies | Description: HIGH SPEED IGBT Power - Max: 200 W Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Part Status: Active Gate Charge: 130 nC Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60DTP | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60DTP | Infineon | на замовлення 91440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 30A 187W | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60H3 Код товару: 94542
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IKW30N60H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 30A 187W | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 38 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns Switching Energy: 1.38mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IKW30N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

