Продукція > IMD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMD2AT108
Код товару: 107838
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+29.30 грн
1000+15.31 грн
2000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108SOT163-D2ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A\D2ROHMSOT-163
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2T108
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3ROHM
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3A T108ROHMSOT26
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3A-TLB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL DIGITAL PNP/NPN
на замовлення 16781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
14+23.18 грн
100+12.84 грн
500+9.60 грн
1000+8.63 грн
3000+7.25 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+21.99 грн
100+14.00 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3T108
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD40203N/A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD42C455S-13AHARCDIP
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6ROHM02+ SOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AROHM06+ SOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6A-T108ROH07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.14 грн
1037+13.67 грн
2500+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
15+21.75 грн
100+12.29 грн
500+9.11 грн
1000+8.15 грн
3000+7.25 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.49 грн
100+12.98 грн
500+9.11 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T108
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T109
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T109SOT163-D6ROHM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.10 грн
10+532.37 грн
25+507.40 грн
50+400.86 грн
100+321.70 грн
250+306.51 грн
500+279.59 грн
1000+234.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CONTROLLER
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.72 грн
10+521.59 грн
25+432.15 грн
100+375.55 грн
250+358.29 грн
500+326.53 грн
1000+285.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.33 грн
10+220.70 грн
25+203.27 грн
100+172.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+532.37 грн
25+507.40 грн
50+400.86 грн
100+321.70 грн
250+306.51 грн
500+279.59 грн
1000+234.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.07 грн
10+261.75 грн
25+236.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.38 грн
10+307.82 грн
25+283.95 грн
100+241.81 грн
250+230.04 грн
500+222.96 грн
1000+213.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.52 грн
10+259.60 грн
25+207.79 грн
100+188.46 грн
250+179.49 грн
500+173.97 грн
1000+171.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8ROHM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9ROHMSOT163
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.67 грн
14+23.18 грн
100+13.32 грн
500+10.01 грн
1000+8.56 грн
3000+7.52 грн
6000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.64 грн
100+13.10 грн
500+9.24 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
6000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9T108
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1973.22 грн
10+1625.89 грн
100+1236.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1893.43 грн
10+1471.21 грн
25+1383.20 грн
100+1207.32 грн
250+1164.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1733.22 грн
10+1367.88 грн
100+1028.61 грн
500+973.38 грн
750+909.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1262.06 грн
50+1093.38 грн
100+936.10 грн
250+917.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1644.91 грн
10+1265.54 грн
25+1185.94 грн
100+1030.84 грн
250+991.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1690.53 грн
5+1476.29 грн
10+1262.06 грн
50+1093.38 грн
100+936.10 грн
250+917.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R015M2HXUMA1InfineonSiC MOSFET N-Channel 650 V 94A (Tc) 499W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1117.89 грн
10+852.64 грн
100+641.33 грн
750+640.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.86 грн
10+642.64 грн
25+598.92 грн
100+516.95 грн
250+514.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.77 грн
10+643.85 грн
100+511.54 грн
750+477.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R004M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 357A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4109.14 грн
10+3455.02 грн
100+2495.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2131.08 грн
10+1755.30 грн
100+1335.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1949.35 грн
10+1441.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2728.69 грн
5+2576.47 грн
10+2424.25 грн
50+2110.49 грн
100+1817.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2089.14 грн
10+1568.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2015.11 грн
5+1914.43 грн
10+1403.81 грн
50+1231.74 грн
100+1070.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2748.82 грн
10+2407.87 грн
25+2012.34 грн
50+1964.71 грн
100+1831.47 грн
250+1760.37 грн
500+1664.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+659.43 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1298.30 грн
50+1185.37 грн
100+1021.01 грн
250+962.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1313.60 грн
10+1051.11 грн
100+790.44 грн
500+733.14 грн
750+635.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.12 грн
10+821.98 грн
100+777.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1523.01 грн
5+1411.06 грн
10+1298.30 грн
50+1185.37 грн
100+1021.01 грн
250+962.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1166.22 грн
10+920.91 грн
100+693.10 грн
500+692.41 грн
750+691.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1214.54 грн
5+1038.16 грн
10+860.97 грн
50+755.35 грн
100+655.82 грн
250+642.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+844.06 грн
50+720.95 грн
100+572.29 грн
250+560.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1193.60 грн
5+1018.83 грн
10+844.06 грн
50+720.95 грн
100+572.29 грн
250+560.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1193.60 грн
10+832.00 грн
100+622.00 грн
500+528.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.08 грн
10+777.56 грн
100+771.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.95 грн
10+641.46 грн
100+464.60 грн
500+414.20 грн
750+355.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.10 грн
10+594.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.40 грн
5+824.73 грн
10+724.05 грн
50+636.44 грн
100+553.65 грн
250+542.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.31 грн
10+671.63 грн
100+478.41 грн
500+468.74 грн
750+447.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.94 грн
10+427.63 грн
100+346.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.12 грн
5+731.30 грн
10+639.49 грн
50+569.88 грн
100+503.26 грн
250+473.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+639.49 грн
50+569.88 грн
100+503.26 грн
250+473.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.43 грн
10+493.80 грн
100+358.29 грн
500+312.03 грн
750+284.42 грн
2250+283.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.31 грн
10+473.16 грн
100+339.65 грн
500+298.23 грн
750+263.02 грн
2250+256.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.79 грн
10+435.05 грн
100+305.82 грн
500+265.09 грн
750+223.67 грн
2250+218.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.34 грн
10+357.78 грн
100+312.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R060M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.11 грн
5+490.49 грн
10+426.86 грн
50+367.20 грн
100+311.34 грн
250+305.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.39 грн
10+392.18 грн
100+256.81 грн
500+236.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]