Продукція > IMW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMW65R007M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2189.88 грн
5+2183.43 грн
10+2176.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1821.98 грн
30+1137.78 грн
120+1125.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2226.42 грн
10+2050.65 грн
25+2003.40 грн
100+1888.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1963.56 грн
10+1476.64 грн
100+1255.04 грн
480+1254.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2226.42 грн
10+2050.65 грн
25+2003.40 грн
100+1888.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1615.63 грн
10+1009.04 грн
100+856.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1879.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1703.42 грн
5+1423.94 грн
10+1144.47 грн
50+1041.78 грн
100+941.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.41 грн
30+842.50 грн
120+793.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1879.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1247.40 грн
50+1237.95 грн
200+1047.94 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1374.81 грн
5+1325.68 грн
10+1275.75 грн
50+854.81 грн
100+737.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1090.39 грн
30+649.43 грн
120+581.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1264.67 грн
3840+1178.40 грн
5760+1113.02 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.93 грн
10+1190.13 грн
25+979.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1056.68 грн
10+700.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+924.21 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.65 грн
5+1022.86 грн
10+964.06 грн
50+669.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1027.87 грн
3360+957.75 грн
5040+904.62 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.97 грн
30+543.20 грн
120+470.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+955.20 грн
10+573.98 грн
100+449.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1304.10 грн
15+1011.15 грн
100+1001.70 грн
200+859.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+840.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.25 грн
10+587.48 грн
100+436.30 грн
480+407.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+995.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1124.34 грн
5+1001.91 грн
10+879.49 грн
50+748.62 грн
100+628.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+995.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R026M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.91 грн
30+519.35 грн
120+444.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1
Код товару: 193216
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1003.53 грн
5+805.40 грн
10+607.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+915.88 грн
149280+853.40 грн
223920+806.06 грн
298560+741.84 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.02 грн
30+652.54 грн
120+560.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.50 грн
10+1223.71 грн
25+758.94 грн
50+724.43 грн
100+589.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1001.91 грн
10+600.18 грн
100+463.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1190.70 грн
13+1171.80 грн
200+1077.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1InfineonMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1210.32 грн
25+750.63 грн
50+716.51 грн
100+583.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1067.85 грн
200+982.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+813.45 грн
10+482.69 грн
100+401.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+843.00 грн
1920+785.49 грн
2880+741.91 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+936.68 грн
5+909.29 грн
10+881.11 грн
50+525.00 грн
100+421.11 грн
250+419.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.64 грн
30+445.83 грн
120+381.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+843.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+797.34 грн
5+636.26 грн
10+475.18 грн
50+425.54 грн
100+378.31 грн
250+370.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+723.78 грн
12000+664.57 грн
18000+621.60 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.78 грн
30+389.07 грн
120+330.94 грн
510+297.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.61 грн
10+421.56 грн
100+341.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.92 грн
5+506.60 грн
10+459.08 грн
50+382.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.84 грн
30+362.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.02 грн
10+382.66 грн
100+282.35 грн
480+276.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+671.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+791.91 грн
19+778.68 грн
50+777.74 грн
100+749.05 грн
200+637.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.24 грн
10+348.52 грн
480+284.42 грн
1200+271.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.85 грн
10+557.55 грн
25+458.99 грн
50+422.82 грн
100+372.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+579.85 грн
26+557.55 грн
31+458.99 грн
50+422.82 грн
100+372.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+677.34 грн
5+628.21 грн
10+578.28 грн
50+416.56 грн
100+351.38 грн
250+347.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.83 грн
30+322.28 грн
120+272.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1424.85 грн
20+1386.58 грн
50+1305.34 грн
100+1183.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+734.26 грн
50+412.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.17 грн
10+474.75 грн
100+343.79 грн
480+306.51 грн
1200+286.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+636.26 грн
5+509.82 грн
10+382.56 грн
50+337.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+835.66 грн
30+476.42 грн
120+404.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+565.39 грн
29+503.78 грн
36+400.21 грн
50+375.07 грн
100+337.08 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+502.74 грн
50+412.02 грн
200+411.08 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.67 грн
10+314.38 грн
100+238.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.89 грн
5+535.59 грн
10+491.29 грн
50+332.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.98 грн
30+432.72 грн
120+365.99 грн
510+297.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.39 грн
10+503.78 грн
25+400.21 грн
50+375.07 грн
100+337.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+476.04 грн
100+452.42 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+619.92 грн
50+606.69 грн
100+605.74 грн
200+582.29 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.77 грн
10+315.18 грн
100+239.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.89 грн
5+579.08 грн
10+578.28 грн
50+367.95 грн
100+318.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.93 грн
30+415.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+536.55 грн
960+492.66 грн
1440+460.80 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+370.16 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.16 грн
30+367.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.63 грн
30+265.74 грн
120+223.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+543.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]