Продукція > R65

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6509ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.99 грн
10+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTLROHMDescription: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.20 грн
10+101.48 грн
100+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.34 грн
88+161.94 грн
100+156.44 грн
250+146.27 грн
500+131.75 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
50+83.15 грн
100+82.48 грн
500+74.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.45 грн
100+72.23 грн
500+54.45 грн
1000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.73 грн
500+54.59 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+123.85 грн
100+74.56 грн
500+59.99 грн
1000+55.30 грн
2500+53.57 грн
5000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+103.90 грн
100+79.73 грн
500+54.59 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLROHMDescription: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
10+220.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLROHMDescription: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.20 грн
10+101.48 грн
100+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.22 грн
92+154.12 грн
100+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+496.12 грн
44+327.21 грн
54+264.60 грн
100+238.06 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.59 грн
10+210.38 грн
25+173.28 грн
100+158.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.17 грн
10+132.58 грн
100+104.24 грн
500+85.60 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.05 грн
50+92.57 грн
100+86.83 грн
500+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6510-00HarwinStandoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
24+13.73 грн
100+10.84 грн
200+10.08 грн
500+9.53 грн
1000+9.04 грн
5000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6510-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511APROCKWELLDIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511AQ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511AQ/R1700-17
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1Rohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.68 грн
10+135.31 грн
100+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+168.31 грн
100+104.93 грн
250+100.10 грн
500+85.60 грн
1000+79.39 грн
2500+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1Rohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.88 грн
10+157.88 грн
100+110.10 грн
500+84.18 грн
1000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLROHMDescription: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLROHMDescription: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.00 грн
10+198.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
10+272.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
50+173.13 грн
100+148.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.99 грн
10+321.53 грн
50+172.59 грн
100+144.28 грн
500+127.71 грн
1000+100.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.76 грн
118+120.49 грн
135+105.49 грн
200+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.21 грн
10+138.14 грн
100+84.22 грн
500+69.72 грн
1000+64.75 грн
2500+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
10+126.61 грн
100+87.52 грн
500+68.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.85 грн
10+123.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLROHMDescription: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.78 грн
10+198.13 грн
100+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLROHMDescription: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.47 грн
10+229.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.88 грн
50+175.55 грн
100+150.47 грн
500+125.52 грн
1000+107.48 грн
2000+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.08 грн
10+142.11 грн
100+111.84 грн
500+101.48 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511PROCKWELLDIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6512APROCKWELL02+ DIP
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6512PROCKWELLDIP
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6513-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Material: Nylon
Mounting Type: Screw Mount
Packaging: Bulk
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Holding Type: Snap Lock
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
15+20.64 грн
16+19.15 грн
25+16.34 грн
50+15.24 грн
100+14.29 грн
400+12.45 грн
500+12.23 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6513-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.41 грн
22+14.77 грн
100+11.87 грн
200+10.56 грн
500+10.22 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6514P
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+332.64 грн
50+295.78 грн
100+240.03 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.87 грн
10+299.15 грн
100+216.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+388.50 грн
100+280.66 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.59 грн
10+368.37 грн
100+263.02 грн
500+227.81 грн
1000+189.15 грн
2000+178.80 грн
10000+176.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.43 грн
112+127.46 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.38 грн
10+297.71 грн
50+146.35 грн
100+138.07 грн
250+137.38 грн
500+120.12 грн
1000+117.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+403.52 грн
66+217.35 грн
100+200.34 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.06 грн
50+168.87 грн
100+155.15 грн
500+120.29 грн
1000+112.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.68 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.10 грн
10+411.24 грн
25+337.58 грн
100+292.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.82 грн
50+305.24 грн
100+288.22 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLROHMDescription: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.86 грн
10+235.98 грн
100+204.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.87 грн
10+299.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+388.50 грн
100+280.66 грн
500+234.70 грн
1000+219.68 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
50+106.92 грн
100+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+119.07 грн
133+106.78 грн
137+103.95 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.19 грн
10+169.10 грн
100+133.93 грн
500+117.36 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.97 грн
10+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+126.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.00 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
50+118.09 грн
100+117.74 грн
500+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
30+158.62 грн
120+154.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
25+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6518CONEXANTPLCC44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6518AJROCKWELLPLCC44
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6518AJ-R1113-18
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6519-00HarwinStandoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
31+10.56 грн
100+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6519-00HARWINDescription: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM
tariffCode: 96062900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 19.1mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.24 грн
50+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6519-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Part Status: Active
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Holding Type: Snap Lock
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Material: Nylon
Mounting Type: Screw Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
13+23.63 грн
16+19.67 грн
25+17.38 грн
50+16.63 грн
100+14.79 грн
300+13.82 грн
500+13.09 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ROCKWELL00+ DIP40
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520APROCKWELL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+431.93 грн
100+384.52 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]