Продукція > R65

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6509ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.87 грн
92+153.78 грн
100+148.56 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTLROHMDescription: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+189.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.97 грн
88+161.58 грн
100+156.09 грн
250+145.95 грн
500+131.46 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
50+83.92 грн
100+83.24 грн
500+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.42 грн
100+72.90 грн
500+54.96 грн
1000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.02 грн
44+326.48 грн
54+264.01 грн
100+237.54 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLROHMDescription: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
10+222.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.87 грн
92+153.78 грн
100+148.56 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNJTLROHMDescription: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6509KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.75 грн
50+127.92 грн
100+108.61 грн
500+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6510-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6510-00HarwinStandoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511APROCKWELLDIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511AQ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511AQ/R1700-17
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1Rohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
10+159.34 грн
100+111.12 грн
500+84.96 грн
1000+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1Rohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLROHMDescription: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
10+275.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENJTLROHMDescription: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
50+174.73 грн
100+149.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.79 грн
100+88.33 грн
500+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.47 грн
118+120.22 грн
135+105.26 грн
200+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLROHMDescription: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.09 грн
10+231.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLROHM SemiconductorMOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLROHMDescription: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
50+177.18 грн
100+151.86 грн
500+126.68 грн
1000+108.47 грн
2000+102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6511KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6511PROCKWELLDIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6512APROCKWELL02+ DIP
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6512PROCKWELLDIP
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6513-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Material: Nylon
Mounting Type: Screw Mount
Packaging: Bulk
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Holding Type: Snap Lock
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
15+20.83 грн
16+19.32 грн
25+16.49 грн
50+15.39 грн
100+14.42 грн
400+12.57 грн
500+12.34 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6513-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6514P
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.64 грн
100+280.03 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.90 грн
50+295.13 грн
100+239.50 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.15 грн
10+301.91 грн
100+218.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.14 грн
112+127.18 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.62 грн
66+216.87 грн
100+199.89 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 45A; 60W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 40nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.56Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
50+170.43 грн
100+156.58 грн
500+121.41 грн
1000+113.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.31 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.15 грн
10+301.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.64 грн
100+280.03 грн
500+234.18 грн
1000+219.20 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.02 грн
50+304.56 грн
100+287.58 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTLROHMDescription: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.81 грн
133+106.55 грн
137+103.72 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
10+209.68 грн
50+163.34 грн
100+139.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.91 грн
10+212.47 грн
50+165.58 грн
100+141.24 грн
500+116.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.58 грн
30+160.09 грн
120+156.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6518CONEXANTPLCC44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6518AJROCKWELLPLCC44
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6518AJ-R1113-18
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6519-00HARWINDescription: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM
tariffCode: 96062900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 19.1mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6519-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Part Status: Active
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Holding Type: Snap Lock
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Material: Nylon
Mounting Type: Screw Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
13+23.85 грн
16+19.85 грн
25+17.54 грн
50+16.79 грн
100+14.92 грн
300+13.95 грн
500+13.21 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6519-00HarwinStandoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520ROCKWELL00+ DIP40
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6520APROCKWELL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.