Продукція > STH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STH110N8F7-2STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH110N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH11IN
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH11K33F38-26.000MSuntsu Electronics, IncDescription: XTAL OSC TCXO 26.0000MHZ SNWV
Packaging: Bulk
Base Resonator: Crystal
Frequency: 26 MHz
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Current - Supply (Max): 2mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±500ppb
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: TCXO
Output: Clipped Sine Wave
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.047" W (1.60mm x 1.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.77 грн
10+219.20 грн
50+208.67 грн
100+170.86 грн
500+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH11K33F38-38.400MSuntsu Electronics, IncDescription: XTAL OSC TCXO 38.4000MHZ SNWV
Base Resonator: Crystal
Frequency: 38.4 MHz
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Current - Supply (Max): 2mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±500ppb
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: TCXO
Output: Clipped Sine Wave
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.047" W (1.60mm x 1.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.77 грн
10+219.20 грн
50+208.67 грн
100+170.86 грн
500+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH11NA50
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH11NA50FI
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.48 грн
10+565.25 грн
100+421.11 грн
1000+392.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+386.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.05 грн
10+532.78 грн
100+455.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH12N120K5-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1306.36 грн
5+920.57 грн
10+810.23 грн
50+626.71 грн
100+534.32 грн
250+495.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1200
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.76 грн
10+563.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+896.41 грн
10+664.49 грн
100+481.17 грн
500+428.70 грн
1000+401.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1200
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N60
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N60FI
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH12NA60
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH12NA60FI
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH13009
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH13009STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH130N10F3-2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH130N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH130N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH130N8F7-2STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH13N120K5-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH13N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+784.46 грн
5+680.56 грн
10+575.86 грн
50+502.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.72 грн
10+529.42 грн
100+416.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.38 грн
10+527.94 грн
100+385.90 грн
1000+360.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+353.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH13N120K5-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH13N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+575.86 грн
50+502.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH13NB60
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH13NB60FISTTO-218
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N6F7-2
Код товару: 132498
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N6F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N6F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N6F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N6F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N6F7-6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N8F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.40 грн
10+154.02 грн
100+99.41 грн
500+86.29 грн
1000+75.94 грн
2000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.99 грн
10+193.85 грн
100+136.76 грн
500+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH140N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.61 грн
10+168.05 грн
100+118.06 грн
500+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH14N50
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH14N50FI
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH150N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.39 грн
10+168.72 грн
100+118.69 грн
500+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH150N10F7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.97 грн
500+127.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH150N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH150N10F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.89 грн
10+182.60 грн
100+118.74 грн
500+106.31 грн
1000+89.74 грн
2000+86.98 грн
5000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH150N10F7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.69 грн
10+204.57 грн
100+144.97 грн
500+127.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH150N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH150N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NA50
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NA50FI
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NB50FISTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NB50FIST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NB50FISTMicroelectronicsMOSFETs MOS 500V 0.36OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NB50FI ISOWATT218
Код товару: 116399
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH15NB50FP
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH160N4LF6-2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 2.7 mOhm typ., 160 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH160N4LF6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH170N8F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.49 грн
10+218.32 грн
25+173.28 грн
100+150.49 грн
250+142.21 грн
500+127.71 грн
1000+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH170N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH170N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH170N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.96 грн
10+130.05 грн
25+118.94 грн
100+100.18 грн
250+94.72 грн
500+91.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ 120 A STripFET F6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.96 грн
20+39.33 грн
25+38.69 грн
50+36.70 грн
100+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-6AGSTMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 180A; Idm: 180A; 315W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 114.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.55 грн
10+243.95 грн
100+174.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-2STMicroelectronicsSTH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.32 грн
10+249.67 грн
100+202.96 грн
500+173.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+241.34 грн
100+150.49 грн
500+147.73 грн
1000+135.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-2STMicroelectronicsSTH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N10F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH180N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-6STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH18NA50FI
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH18NB40FI
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH2PanduitHand Tools Cable Tie Tool Low Volume
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH2Panduit CorpDescription: TOOL CABLE TIE LOVOLT LT-HVY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH2007TBR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]