Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH4008LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+50.72 грн
100+33.90 грн
500+24.76 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 55.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V 40V
на замовлення 7778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.76 грн
100+37.53 грн
500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.93 грн
100+50.86 грн
500+37.66 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4012LDVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.99 грн
6000+15.09 грн
9000+14.44 грн
15000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-13Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+47.10 грн
100+30.92 грн
500+22.48 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.99 грн
6000+16.90 грн
9000+16.19 грн
15000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.96 грн
4000+17.68 грн
6000+16.90 грн
10000+15.03 грн
14000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-7Diodes ZetexDMTH4014LFVW-7
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+51.70 грн
25+43.42 грн
50+35.90 грн
100+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+37.06 грн
100+24.43 грн
500+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.34 грн
100+35.94 грн
500+26.57 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.11 грн
5000+20.10 грн
7500+19.73 грн
12500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.50 грн
25+52.56 грн
50+43.55 грн
100+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.54 грн
5000+15.54 грн
7500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSWQ-13Diodes Zetex40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.91 грн
100+29.33 грн
500+21.25 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
10+176.70 грн
25+151.89 грн
50+128.11 грн
100+115.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+163.71 грн
100+132.48 грн
500+110.51 грн
1000+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.03W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+106.95 грн
100+74.46 грн
500+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.39 грн
10000+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.03W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.92 грн
10000+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+77.52 грн
25+65.39 грн
50+54.33 грн
100+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1743000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.