Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH4011SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.90 грн
500+37.61 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.44 грн
10+75.07 грн
100+50.28 грн
500+37.23 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.99 грн
13+66.78 грн
100+47.90 грн
500+37.61 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4012LDVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-13Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.16W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.80 грн
6000+14.92 грн
9000+14.28 грн
15000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.16W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.78 грн
6000+16.71 грн
9000+16.01 грн
15000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.56 грн
100+30.56 грн
500+22.22 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.16W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.74 грн
4000+17.48 грн
6000+16.71 грн
10000+14.86 грн
14000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LDVWQ-7Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVW-7Diodes ZetexDMTH4014LFVW-7
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
6000+12.65 грн
9000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T and R 3K
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.24 грн
100+24.42 грн
500+18.02 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
10+36.64 грн
100+24.15 грн
500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 107508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+53.73 грн
100+35.53 грн
500+26.26 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.22 грн
13+62.52 грн
100+39.78 грн
500+30.82 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.85 грн
5000+19.87 грн
7500+19.51 грн
12500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.78 грн
500+30.82 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.25 грн
100+35.78 грн
500+26.14 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.4W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSWQ-13Diodes Zetex40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.34 грн
5000+15.37 грн
7500+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+44.40 грн
100+29.00 грн
500+21.01 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.40 грн
10+153.27 грн
100+122.01 грн
500+96.89 грн
1000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.93 грн
10+161.85 грн
100+130.97 грн
500+109.25 грн
1000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.61 грн
500+71.86 грн
1000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.44 грн
10+129.38 грн
100+91.61 грн
500+71.86 грн
1000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.00 грн
500+66.56 грн
1000+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.39 грн
10000+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.03W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
10+105.74 грн
100+73.61 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.22 грн
10+126.97 грн
100+90.00 грн
500+67.01 грн
1000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.92 грн
10000+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.03W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+65.82 грн
100+43.84 грн
500+32.28 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1743000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.88 грн
500+45.00 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
10+58.35 грн
100+38.63 грн
500+28.30 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.77 грн
15+57.30 грн
100+52.88 грн
500+45.00 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 31V40V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.26 грн
500+43.06 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
10+58.35 грн
100+38.63 грн
500+28.30 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.73 грн
16+52.15 грн
100+49.26 грн
500+43.06 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2737 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2737 pF @ 20 V
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.33 грн
4000+22.54 грн
6000+21.60 грн
10000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]