Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN015-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.45 грн
10+126.80 грн
50+108.92 грн
100+83.78 грн
250+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100PNexperiaMOSFETs RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100P
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100P,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100P,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.47 грн
500+215.69 грн
1000+203.90 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100P,127NexperiaMOSFET PSMN015-100P/SOT78/SIL3P
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 69A
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0116 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0116 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.51 грн
10+122.74 грн
100+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.08 грн
100+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 50 V
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+67.93 грн
100+45.44 грн
500+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.48 грн
500+41.66 грн
1000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YSFXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 55A N-CH
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
10+91.04 грн
100+60.48 грн
500+41.66 грн
1000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-110PNexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-110P
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-110P,127NexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-110P,127NXPDescription: NXP - PSMN015-110P,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+104.04 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-110P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 110V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+199.19 грн
500+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-110P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 110V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+199.19 грн
500+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-110P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.00 грн
10+119.55 грн
100+67.42 грн
800+49.70 грн
1600+45.87 грн
2400+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.19 грн
10+80.51 грн
25+70.45 грн
100+64.58 грн
250+62.06 грн
500+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.56 грн
250+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.61 грн
1600+38.71 грн
2400+37.03 грн
4000+32.99 грн
5600+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN015-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.16 грн
10+146.31 грн
50+124.37 грн
100+83.78 грн
250+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 8446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.95 грн
100+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.26 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.26 грн
500+155.58 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.26 грн
500+155.58 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.79 грн
10+138.38 грн
100+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.26 грн
500+155.58 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN015-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.44 грн
10+107.30 грн
100+75.92 грн
500+64.16 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2-R2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2-R2-002Panjit TOLL 100V 395A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 100V/ 1.5M / TOLL FOR ESS/ BBU/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201PanjitMOSFETs 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 100V/ 1.5M / TOLL FOR ESS/ BBU/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.69 грн
10+291.88 грн
100+211.02 грн
500+185.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN016-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.88 грн
1600+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN016-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 148W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.06 грн
10+182.08 грн
100+112.99 грн
500+87.56 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.15 грн
1600+61.08 грн
2400+57.97 грн
5600+55.84 грн
9600+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+115.48 грн
50+87.77 грн
100+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V
на замовлення 6054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+136.62 грн
100+94.58 грн
500+71.86 грн
1000+66.42 грн
2000+61.84 грн
5000+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN016-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.71 грн
10+125.99 грн
100+79.09 грн
500+60.61 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 50 V
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.20 грн
50+70.86 грн
100+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 100V 51A
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.75 грн
500+60.46 грн
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30BLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30BL,118NexperiaMOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in D2PAK
на замовлення 6183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30BL118Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA PSMN017-30BL 32A, 3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30EL,127NexperiaMOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30EL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+81.89 грн
500+73.70 грн
1000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30EL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30EL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+91.27 грн
500+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30EL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+81.89 грн
500+73.70 грн
1000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30LL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30LL,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
687+51.51 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 15800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
500+133.18 грн
1000+124.93 грн
10000+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN017-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
11+75.27 грн
100+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+95.04 грн
500+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+95.04 грн
500+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN017-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]