Продукція > SI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1913EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1913EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1917EDHVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1917EDH-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1917EDH-T1VISHAY0429+
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1917EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 570mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1917EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 570mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1917EDH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1917EDH-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 2NCH 20V 1.3A
на замовлення 8363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.36 грн
100+18.85 грн
500+13.41 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
6000+10.00 грн
9000+9.52 грн
15000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.36 грн
100+18.85 грн
500+13.41 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 19971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1926DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.37A, SOT-363
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.36 грн
100+18.84 грн
500+13.40 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 N CHAN 60V
на замовлення 35778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.12 грн
30+25.72 грн
100+19.36 грн
250+17.76 грн
500+13.05 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+25.72 грн
705+20.07 грн
711+19.90 грн
929+14.68 грн
1285+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
14+22.72 грн
100+16.00 грн
500+12.10 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.24 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.42 грн
739+19.15 грн
747+18.94 грн
883+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.15 грн
26+29.42 грн
100+18.47 грн
250+16.91 грн
500+13.73 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+23.32 грн
100+15.77 грн
500+11.56 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 26156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI19422DY-T1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1958DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1958DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1958DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3VishayMOSFETs SOT363 2PCH 12V 1.14A
на замовлення 135182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3VishaySI1965DH-T1-BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.05 грн
500+15.78 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.05 грн
500+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 1.14A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 14933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
On-state resistance: 710mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 4.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.17 грн
50+25.75 грн
100+21.32 грн
500+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1965DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.315ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.315ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
On-state resistance: 710mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 4.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
9000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.40 грн
26+30.10 грн
29+26.82 грн
100+21.79 грн
250+19.99 грн
500+17.09 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1965DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.315ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.315ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3VishayMOSFETs SOT363 P CHAN 20V
на замовлення 75106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.36 грн
100+18.85 грн
500+13.41 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
6000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+36.77 грн
551+25.69 грн
553+25.58 грн
706+19.32 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.36 грн
100+18.85 грн
500+13.41 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 58270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 38300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.78 грн
9000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 21307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1967DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.64 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.64ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.64ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 39497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.27 грн
50+22.07 грн
100+18.23 грн
500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1969DH-E3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1970DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1970DH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1970DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1970DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1970DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-E3VISHAY09+ SMD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.