Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7421DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.8A 3.6W 25mohm @ 10V
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.37 грн
6000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7423DN-T1-E3 - Transistor Polarity:P Channel
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3Vishay BCSI7423DN-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.26 грн
10+86.41 грн
100+67.22 грн
500+53.46 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
на замовлення 16937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7425DN-T1-E3VISHAY0644+
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7425DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7425DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.93 грн
10+222.30 грн
100+158.26 грн
500+131.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3
Код товару: 173696
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.60 грн
92+153.77 грн
93+152.47 грн
133+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3Vishay BCMOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.15 грн
66+214.42 грн
69+199.45 грн
100+151.16 грн
250+136.22 грн
500+126.18 грн
1000+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.09 грн
10+173.94 грн
100+122.13 грн
500+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+153.77 грн
25+152.47 грн
100+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DPVISHAY09+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.31 грн
10+236.85 грн
100+168.76 грн
500+131.14 грн
1000+122.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+268.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.96 грн
10+237.82 грн
100+169.45 грн
500+131.67 грн
1000+123.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7434ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.15 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.80 грн
10+107.45 грн
100+73.68 грн
500+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7434ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.15 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.32 грн
6000+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.52 грн
10+176.63 грн
100+142.86 грн
500+119.17 грн
1000+102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DPVISHAY09+
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.073 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3Vishay BCMOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.98 грн
10+233.26 грн
100+166.00 грн
500+128.87 грн
1000+120.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.98 грн
10+233.26 грн
100+166.00 грн
500+128.87 грн
1000+120.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7440
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7440DPSILICONIX02+ SO-8
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7440DPVishayN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7440DP-T1VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7440DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7440DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7440DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7442DPSILICONIXN/A
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7442DP-T1
на замовлення 44100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7444
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7444DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 23.6A 1.9W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7444DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7445DP-T1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7445DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7445DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7445DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446SI
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446BDP
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446BDP-T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446BDP-T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446BDP-T1-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7446BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]