Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
6000+6.84 грн
9000+6.50 грн
15000+5.73 грн
21000+5.52 грн
30000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
12+28.66 грн
100+15.88 грн
500+11.94 грн
1000+10.42 грн
3000+7.39 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.83 грн
500+11.74 грн
1500+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 43761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.72 грн
100+13.20 грн
500+9.31 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.5A
на замовлення 57275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.07 грн
19+17.55 грн
100+9.60 грн
500+7.18 грн
1000+6.35 грн
3000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.32 грн
100+11.53 грн
500+8.07 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.81 грн
1500+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
6000+5.53 грн
9000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
23+18.45 грн
50+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 85815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
28+11.59 грн
100+7.73 грн
500+6.97 грн
1000+5.87 грн
3000+4.42 грн
6000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.35 грн
64+12.64 грн
100+10.31 грн
500+8.60 грн
1500+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+8.06 грн
9000+7.63 грн
15000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.23 грн
100+10.22 грн
500+7.15 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.28 грн
1194+11.88 грн
2500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3
Код товару: 166536
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 50076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.23 грн
100+18.02 грн
500+13.74 грн
1000+11.18 грн
3000+9.60 грн
6000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
11+27.60 грн
100+20.24 грн
500+14.45 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.12 грн
6000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.22 грн
13+32.66 грн
50+22.52 грн
100+19.20 грн
500+13.71 грн
1000+12.22 грн
3000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.41 грн
6000+13.82 грн
9000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
12+26.92 грн
100+18.47 грн
500+14.45 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.19 грн
12+27.71 грн
100+16.50 грн
500+12.84 грн
1000+11.39 грн
3000+9.73 грн
6000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.17 грн
50+28.51 грн
100+19.57 грн
500+15.48 грн
1500+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+13.90 грн
9000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
6000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2367DSVishayMOSFET 20V 3.8A,SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A
на замовлення 57827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
11+29.93 грн
100+16.71 грн
500+12.63 грн
1000+11.32 грн
3000+9.94 грн
6000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3VishayP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
12+26.77 грн
100+19.98 грн
500+14.73 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+25.04 грн
718+19.76 грн
739+19.18 грн
878+15.57 грн
1103+11.48 грн
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
889+15.95 грн
1081+13.12 грн
1212+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,8, Ciss, пФ @ Uds, В = 561 pF @ 10 V, Qg, нКл = 23, Rds = 0.066, Ugs(th) = -1, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 1.7, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.94 грн
50+30.44 грн
100+20.54 грн
500+14.58 грн
1500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.98 грн
9000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 56400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
6000+9.46 грн
9000+9.01 грн
15000+7.98 грн
21000+7.69 грн
30000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayMOSFET 20V 3.8A,SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 17716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.73 грн
16+21.04 грн
100+14.43 грн
500+11.87 грн
1000+9.46 грн
3000+8.08 грн
9000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.54 грн
500+14.58 грн
1500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.79 грн
30+25.59 грн
31+25.04 грн
100+19.05 грн
250+17.13 грн
500+13.84 грн
1000+11.02 грн
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 56721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.82 грн
100+17.83 грн
500+12.69 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
14+23.26 грн
100+13.25 грн
500+9.66 грн
1000+8.70 грн
2500+7.80 грн
5000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.42 грн
100+18.20 грн
500+12.94 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0225 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.75 грн
50+26.66 грн
100+16.35 грн
500+13.84 грн
1500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 324914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
11+31.28 грн
100+17.47 грн
500+13.32 грн
1000+11.94 грн
3000+10.15 грн
6000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.73 грн
100+21.79 грн
500+15.61 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3Vishay30V 7,6A24m Ohm P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 5.4A
на замовлення 24968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+36.28 грн
100+20.37 грн
500+15.53 грн
1000+14.01 грн
3000+12.01 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.50 грн
25+30.41 грн
26+30.11 грн
100+22.32 грн
250+20.46 грн
500+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 69971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.96 грн
13+24.85 грн
100+15.26 грн
500+11.94 грн
1000+9.66 грн
3000+9.04 грн
9000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
9000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.09 грн
6000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+26.55 грн
100+17.01 грн
500+12.10 грн
1000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 77385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.52 грн
500+10.92 грн
1500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+18.66 грн
788+17.99 грн
1000+17.41 грн
2500+16.28 грн
5000+14.67 грн
10000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
471+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.16 грн
6000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.64 грн
50+27.54 грн
100+21.10 грн
500+14.88 грн
1500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.35 грн
6000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 8556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.28 грн
100+10.90 грн
500+7.64 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.7A
на замовлення 107012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.63 грн
15+21.20 грн
100+11.67 грн
500+8.70 грн
1000+7.52 грн
3000+5.87 грн
6000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 505025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.63 грн
15+21.20 грн
100+11.67 грн
500+8.70 грн
1000+7.80 грн
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.36 грн
38+21.42 грн
100+13.53 грн
500+9.42 грн
1000+7.66 грн
5000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+41.49 грн
564+25.14 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]