Продукція > SI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2365EDS-T1-GE3
Код товару: 166536
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.25 грн
1194+11.85 грн
2500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.38 грн
100+10.32 грн
500+7.22 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.21 грн
6000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
11+27.85 грн
100+20.43 грн
500+14.58 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.38 грн
6000+13.79 грн
9000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.59 грн
6000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.67 грн
13+32.96 грн
50+22.73 грн
100+19.37 грн
500+13.84 грн
1000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.47 грн
6000+13.87 грн
9000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
12+27.17 грн
100+18.64 грн
500+14.58 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2367DSVishayMOSFET 20V 3.8A,SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+27.02 грн
100+20.16 грн
500+14.87 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -15A; 1.7W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 66mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3VishayP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
9000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 132036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.91 грн
50+21.06 грн
100+17.38 грн
500+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayMOSFET 20V 3.8A,SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.17 грн
9000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,8, Ciss, пФ @ Uds, В = 561 pF @ 10 V, Qg, нКл = 23, Rds = 0.066, Ugs(th) = -1, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 1.7, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.73 грн
30+25.53 грн
31+24.99 грн
100+19.01 грн
250+17.09 грн
500+13.81 грн
1000+11.00 грн
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 66mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+24.99 грн
718+19.72 грн
739+19.14 грн
878+15.54 грн
1103+11.46 грн
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
889+15.92 грн
1081+13.09 грн
1212+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 19.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -7.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 39mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 64284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.59 грн
50+21.59 грн
100+17.82 грн
500+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 317012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.50 грн
9000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
9000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3Vishay30V 7,6A24m Ohm P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+35.02 грн
50+25.66 грн
100+21.23 грн
500+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.1A; Idm: -80A; 2.5W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 213986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.40 грн
25+30.34 грн
26+30.04 грн
100+22.27 грн
250+20.42 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
9000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
6000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 77385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+18.62 грн
788+17.95 грн
1000+17.37 грн
2500+16.25 грн
5000+14.64 грн
10000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
471+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 50492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 108446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+35.02 грн
50+25.66 грн
100+21.23 грн
500+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
6000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0585
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.7A
на замовлення 107012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 8556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.44 грн
100+11.00 грн
500+7.71 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 468380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+41.39 грн
564+25.08 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+20.00 грн
50+14.46 грн
100+11.89 грн
500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.5A
на замовлення 13812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 41mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 3086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.68 грн
50+14.96 грн
100+12.28 грн
500+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 160477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 41mΩ
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
30+14.26 грн
50+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
898+15.76 грн
997+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 898 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.68 грн
50+14.96 грн
100+12.28 грн
500+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 F5.VishayN-MOSFET 5.9A 20V 1.7W 0.030Ω SI2374DS-T1-GE3 TSI2374ds
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.7A
на замовлення 15445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.