Продукція > SI4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4435IOR
на замовлення 14888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435ADY
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435B
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDYVISHAY10+ QFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1VISHAYSOP 03+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3VISHAYSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-TI-E3
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDYT1E3VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435CV
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDYVISQFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.40 грн
10+49.10 грн
50+36.35 грн
100+30.24 грн
500+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.04 грн
12+35.58 грн
46+20.54 грн
126+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.32 грн
28+27.91 грн
100+26.51 грн
250+24.17 грн
500+22.85 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+39.46 грн
500+34.91 грн
1000+32.46 грн
2500+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.99 грн
7500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+28.32 грн
508+27.91 грн
516+27.49 грн
524+26.11 грн
532+23.80 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.99 грн
7500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.90 грн
7500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.92 грн
26+30.03 грн
50+27.87 грн
100+25.74 грн
500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 41346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.40 грн
10+49.10 грн
50+36.35 грн
100+30.24 грн
500+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.19 грн
500+35.60 грн
1000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+69.12 грн
273+52.10 грн
310+45.85 грн
313+43.77 грн
500+30.64 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.36 грн
7500+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.90 грн
7500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorP-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 41090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.86 грн
7500+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.90 грн
7500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.43 грн
11+69.12 грн
25+52.10 грн
100+44.21 грн
250+40.53 грн
500+29.41 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.60 грн
10+52.91 грн
43+22.27 грн
116+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 15813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.19 грн
7500+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.90 грн
7500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE5
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DX-T1
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+52.82 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYVishay Siliconix(SO8,P-ch,Mosfet,30B,6A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY
Код товару: 45576
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+110.60 грн
6+68.52 грн
23+41.66 грн
62+39.44 грн
1000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYonsemiMOSFETs 30V SinGLE P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
на замовлення 20777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.35 грн
10+67.66 грн
50+50.58 грн
100+42.28 грн
500+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONS/FAI(SO8,P-ch,Mosfet,30B,6A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.45 грн
10+30.61 грн
50+22.41 грн
100+18.51 грн
500+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+52.82 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.99 грн
5000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-REVA-E3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T11999
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T1-A-E3
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T1-REVASILICONIX0018+
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TE2N/A97
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TI
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TI-A-E3
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TI-E3
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TR
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY.ONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYPBFIOR
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYPBF
Код товару: 74332
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYT1E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRIR0507+
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.23 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V SinGLE P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.62 грн
7500+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 39510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.