Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4434ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4434ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.1 A, 0.125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3
Код товару: 164124
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.87 грн
10+180.20 грн
100+126.93 грн
500+97.80 грн
1000+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.38 грн
10+237.26 грн
100+172.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+167.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.38 грн
60+237.26 грн
100+172.57 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 3A; Idm: 30A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.87 грн
10+180.20 грн
100+126.93 грн
500+97.80 грн
1000+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+122.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435IOR
на замовлення 14888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435ADY
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435B
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDYVISHAY10+ QFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1VISHAYSOP 03+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3VISHAYSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDY-TI-E3
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435BDYT1E3VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435CV
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDYVISQFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+25.31 грн
565+25.05 грн
571+24.80 грн
577+23.67 грн
1000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 7913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+50.62 грн
100+33.21 грн
500+24.14 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.31 грн
100+24.16 грн
250+22.14 грн
500+21.04 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.99 грн
14+32.07 грн
100+25.20 грн
500+22.48 грн
1000+20.53 грн
2500+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+40.87 грн
500+35.39 грн
1000+31.88 грн
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.50 грн
5000+19.09 грн
7500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.85 грн
19+41.05 грн
26+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 18226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.58 грн
10+50.06 грн
50+36.40 грн
100+31.82 грн
500+23.50 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
12500+22.80 грн
17500+21.08 грн
25000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.72 грн
21+37.62 грн
100+31.75 грн
500+26.97 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 47183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+50.47 грн
50+37.37 грн
100+31.09 грн
500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.80 грн
500+35.52 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorP-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
12500+22.80 грн
17500+21.08 грн
25000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 47050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.45 грн
7500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE5
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DX-T1
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.84 грн
5000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYVishay Siliconix(SO8,P-ch,Mosfet,30B,6A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+52.70 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY
Код товару: 45576
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYonsemiMOSFETs 30V SinGLE P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONS/FAI(SO8,P-ch,Mosfet,30B,6A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
на замовлення 22802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+69.56 грн
50+52.01 грн
100+43.48 грн
500+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -8.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.50 грн
7+62.27 грн
50+47.60 грн
100+43.86 грн
500+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.54 грн
50+23.04 грн
100+19.03 грн
500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-REVA-E3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T1SILINIX1999
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T1-A-E3
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-T1-REVASILICONIX0018+
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TE2N/A97
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TI
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TI-A-E3
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TI-E3
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY-TR
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY.ONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYPBFIOR
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]