Продукція > SI5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI5902DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902DC-T1-E3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1VISHAY03+ SOT
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DCVISHAY
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-E3Vishay09+ SOT-23-5
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1VISHAYSOT23-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1-E3VISHAY05+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5905DC-TI-E3
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908BDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3VISHAYSOT23-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.36 грн
10+87.83 грн
100+59.24 грн
500+44.08 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 13333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.17 грн
10+88.40 грн
100+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.48 грн
6000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.48 грн
6000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 33407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.44 грн
12+64.81 грн
25+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 11042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.21 грн
10+63.35 грн
100+49.84 грн
500+42.64 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5913DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DCVISHAYSSOP8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1VISHAYSSOP8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1-E3VISHAYMLP-8 0707+
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5915DC-TI
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.12W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-E3VISHAY07+ 1206-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5922DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 30V Vds 4.7nC Qg Typ
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.7A 2.8W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1VISHAY
на замовлення 14280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-E3VISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DС-T1-E3Vishay SiliconixDual P_Channel 1.8V (G-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.67 грн
10+35.82 грн
100+23.16 грн
500+16.61 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
6000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5935CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.083 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 19786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.02 грн
10+30.07 грн
100+19.14 грн
500+15.34 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-E3VISHAYSSOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 75889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 10.4W
Case: ChipFET8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 25A
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.27 грн
10+47.09 грн
100+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5938DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5938DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5938DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5944DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]