Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC106N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3 G
Код товару: 218871
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+100.21 грн
50+75.98 грн
100+63.98 грн
500+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.87 грн
118+120.38 грн
166+85.47 грн
500+66.62 грн
1000+56.53 грн
2000+52.15 грн
5000+48.15 грн
10000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 74550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 20086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.36 грн
50+30.45 грн
100+25.27 грн
500+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 30, Qg, нКл = 33, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+44.48 грн
322+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.28 грн
17+44.48 грн
25+44.04 грн
100+36.17 грн
250+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.81 грн
15000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+96.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+135.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.32 грн
10+161.60 грн
25+159.98 грн
100+130.20 грн
250+119.35 грн
500+109.25 грн
1000+108.27 грн
3000+96.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+149.16 грн
50000+136.96 грн
75000+128.10 грн
100000+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+192.32 грн
88+161.60 грн
89+159.98 грн
105+130.20 грн
250+119.35 грн
500+109.25 грн
1000+108.27 грн
3000+96.99 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 27161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.56 грн
10+190.48 грн
50+147.88 грн
100+125.90 грн
500+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.13 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+114.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+241.95 грн
16000+222.16 грн
24000+207.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.27 грн
10+218.53 грн
100+155.12 грн
500+127.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 25966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.32 грн
100+59.84 грн
500+44.74 грн
1000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+126.00 грн
118+120.36 грн
250+115.54 грн
500+107.39 грн
1000+96.19 грн
2500+89.61 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5InfineonBSC117N08NS5 MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 10069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+75.68 грн
50+56.81 грн
100+47.60 грн
500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
на замовлення 9101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.89 грн
20000+56.55 грн
30000+52.62 грн
40000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.94 грн
100+56.01 грн
500+41.73 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSC GInfineonQFN
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 1094 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesOPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.55 грн
10000+28.12 грн
100000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03SINF09+
на замовлення 6586 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03S GInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03S GINFINEON
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03SGINFINEON
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03SGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSINF09+
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.12 грн
50+26.44 грн
100+21.88 грн
500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSINFINEON09+ TO-92
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+38.22 грн
50+28.09 грн
100+23.28 грн
500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.88 грн
31+24.69 грн
50+23.56 грн
100+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 27101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
837+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.