Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+106.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 304A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+226.78 грн
50+155.25 грн
250+125.99 грн
1000+97.37 грн
3000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.89 грн
10+161.24 грн
25+159.62 грн
100+129.91 грн
250+119.08 грн
500+109.01 грн
1000+108.03 грн
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 27326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.23 грн
10+220.02 грн
100+154.98 грн
500+119.38 грн
1000+111.01 грн
2000+106.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+148.83 грн
50000+136.65 грн
75000+127.82 грн
100000+116.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.89 грн
88+161.24 грн
89+159.62 грн
105+129.91 грн
250+119.08 грн
500+109.01 грн
1000+108.03 грн
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.25 грн
250+125.99 грн
1000+97.37 грн
3000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.83 грн
10+219.47 грн
100+155.25 грн
500+124.54 грн
1000+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+115.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.25 грн
500+124.54 грн
1000+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+241.41 грн
16000+221.67 грн
24000+207.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
10+220.55 грн
100+156.56 грн
500+128.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 25966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.14 грн
100+60.40 грн
500+45.15 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.33 грн
10+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5InfineonMOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.72 грн
118+120.10 грн
250+115.28 грн
500+107.15 грн
1000+95.97 грн
2500+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
на замовлення 12765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.75 грн
20000+56.42 грн
30000+52.50 грн
40000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 30637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.03 грн
100+58.67 грн
500+43.66 грн
1000+39.99 грн
2000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.79 грн
250+71.37 грн
1000+45.06 грн
3000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.14 грн
10000+33.57 грн
15000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 26603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
50+78.93 грн
250+63.24 грн
1000+40.53 грн
3000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.7mΩ
Drain current: 49A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.71 грн
100+56.53 грн
500+42.11 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.8mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSC GInfineonQFN
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1094 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1053+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesOPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.48 грн
10000+28.06 грн
100000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03SINF09+
на замовлення 6586 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03S GInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03S GINFINEON
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03SGINFINEON
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03SGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSINF09+
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.34 грн
100+22.27 грн
500+15.99 грн
1000+14.42 грн
2000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.50 грн
10000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.15 грн
23+36.90 грн
100+24.95 грн
500+16.38 грн
1000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSINFINEON09+ TO-92
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 16715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 27101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
837+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.13 грн
22+38.04 грн
100+24.71 грн
500+17.06 грн
1000+12.89 грн
5000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.25 грн
100+22.90 грн
500+16.49 грн
1000+14.88 грн
2000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.81 грн
31+24.64 грн
50+23.51 грн
100+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.33 грн
10000+11.87 грн
15000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03SGINFINEON07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.80 грн
500+55.40 грн
1000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+95.03 грн
100+77.54 грн
500+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.08 грн
10+117.86 грн
100+80.80 грн
500+55.40 грн
1000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3 G(транзистор)
Код товару: 67370
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
12+68.60 грн
100+53.81 грн
500+40.91 грн
1000+33.79 грн
5000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
10+55.69 грн
100+43.27 грн
250+41.09 грн
500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.06 грн
100+57.35 грн
500+42.69 грн
1000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 39475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 16533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]