Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD25480F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25480F3 | Texas Instruments | MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T | на замовлення 9046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V | на замовлення 51382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25480F3T | Texas Instruments | MOSFETs -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3 | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V | на замовлення 8416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25480F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -10.6A; 500mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -10.6A Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: -1.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: PICOSTAR3 On-state resistance: 840mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25480F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V | на замовлення 8250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25480F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25481F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V | на замовлення 109625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25481F4 | Texas Instruments | MOSFETs P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T | на замовлення 10590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25481F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25481F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Транзистори | на замовлення 10 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25481F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25481F4T | Texas Instruments | MOSFETs 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4 | на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25481F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25481F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V | на замовлення 18297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25481F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25481F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25481F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25481F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25483F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25483F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V | на замовлення 14828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25483F4 | Texas Instruments | MOSFETs 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T | на замовлення 6579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25483F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25483F4T | Texas Instruments | MOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4 | на замовлення 1743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25483F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25483F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | на замовлення 7033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25484F4 | Texas Instruments | MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T | на замовлення 5756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25484F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | на замовлення 14250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25484F4T | Texas Instruments | MOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4 | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25484F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -22A; 500mW Mounting: SMD Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: -2.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: PICOSTAR3 On-state resistance: 825mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25484F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | на замовлення 14685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V | на замовлення 26401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25485F5 | Texas Instruments | MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25485F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V | на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25485F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -31A; 1.4W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: NexFET™ Type of transistor: P-MOSFET Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -31A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.3A Power dissipation: 1.4W On-state resistance: 0.25Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25485F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25485F5T | Texas Instruments | MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5 | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3 | Texas Instruments | MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 26926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V | на замовлення 12770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25501F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25501F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25501F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V | на замовлення 11675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25501F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3T | Texas Instruments | MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25501F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD2T0S-N1 | 01+ QFP | на замовлення 113 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD2TOS-N1 | AMCC | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD30168 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT 1DOOR ANSI61 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD30168 | NVENT HOFFMAN | Description: NVENT HOFFMAN - CSD30168 - SINGLE DOOR ENCLOSURE, 30" X 16" X 8" tariffCode: 0 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Gehäusefarbe: Light Gray Außenhöhe - imperial: 30" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IP-Schutzart: IP66 NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12 Außentiefe - metrisch: 203mm Außenhöhe - metrisch: 762mm Außentiefe - imperial: 8" Außenbreite - metrisch: 406mm Produktpalette: CONCEPT Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Konfigurierbar: Yes Gehäusetyp: Wall Mount Außenbreite - Zoll: 16" Gehäusematerial: Mild Steel directShipCharge: 25 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD30168 | Pentair | CSD30168 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD30168LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT 1DOOR RAL7035 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD30208 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 20"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 30.000" L x 20.000" W (762.00mm x 508.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 16 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 600in² (3871cm²) Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD302410 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 16 Gauge Height: 10.000" (254.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 720in² (4645cm²) Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD302410W | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD302412 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 16 Gauge Height: 12.008" (305.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 720in² (4645cm²) Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD30246WLG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD30248 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 16 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 720in² (4645cm²) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD303010 | Pentair | Gray Steel Wall Mount Enclosure | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD303010 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD303010LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD303010SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCLOSURE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD303010SS6 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD30308 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 30"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 30.000" L x 30.000" W (762.00mm x 762.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 14 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 900in² (5806cm²) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD3080H | PRX | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD3080H | Powerex Inc. | Description: SCR MOD SGL PWR-BLOK 800V 400A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Structure: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 7300A, 8000A Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 400 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 620 A Voltage - Off State: 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD3120H | PRX | 400A/1200V/SCR | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD3120H | Powerex Inc. | Description: SCR MOD SGL PWR-BLOK 1200V 400A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD3122GG-1A | SONY | BGA | на замовлення 4900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD3150H | PRX | 400A/1600V/SCR | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD3160H | Powerex Inc. | Description: SCR MOD SGL PWR-BLOK 1600V 400A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD32 | MOTOROLA | 07+ SOP8 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

