Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD25404Q3Texas InstrumentsTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 104A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD25404Q3T CSD25404Q3 TCSD25404q3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsMOSFETs 20V Pch MOSFET A 595 -CSD25404Q3T A 595- A 595-CSD25404Q3T
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
10+88.37 грн
25+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 96W
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.83 грн
10+85.54 грн
15+77.16 грн
50+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.23 грн
100+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2120 @ 10, Qg, нКл = 14,1 @ 4,5 В, Rds = 6,5 мОм @ 10 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,15 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,8, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
250+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsMOSFETs -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+54.25 грн
500+47.58 грн
750+45.21 грн
1250+39.92 грн
1750+38.44 грн
2500+37.00 грн
6250+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.94 грн
10+102.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
на замовлення 51382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+4.41 грн
9000+4.16 грн
15000+3.65 грн
21000+3.49 грн
30000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3Texas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsMOSFETs -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.23 грн
100+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.7A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25480F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.77 грн
500+31.11 грн
750+29.40 грн
1250+25.79 грн
1750+24.73 грн
2500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsMOSFETs P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.12 грн
9000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 114347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.40 грн
50+14.02 грн
100+11.50 грн
500+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4Texas InstrumentsMOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
6+131.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.90 грн
33+23.31 грн
100+14.17 грн
250+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.19 грн
750+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25481F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.075 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25481F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 189 pF @ 10 V
на замовлення 18567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.19 грн
50+49.33 грн
100+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 14828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
16+19.93 грн
100+10.06 грн
500+7.70 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4Texas InstrumentsMOSFETs 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T
на замовлення 6579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+4.90 грн
9000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+54.57 грн
100+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.84 грн
500+31.57 грн
1250+26.87 грн
2500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.15 грн
29+26.17 грн
100+14.26 грн
250+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 198 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
862+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 862 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 10033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.70 грн
50+14.24 грн
100+11.69 грн
500+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T
на замовлення 5756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
9000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.00 грн
33+23.11 грн
100+13.77 грн
250+12.62 грн
500+11.17 грн
1000+7.52 грн
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsMOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 14685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.29 грн
100+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.88 грн
500+24.51 грн
750+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -22A; 500mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: PICOSTAR3
On-state resistance: 825mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
на замовлення 26401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
13+25.13 грн
100+16.11 грн
500+11.44 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
6000+8.50 грн
9000+8.09 грн
15000+7.15 грн
21000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.10 грн
500+26.41 грн
750+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5TTexas InstrumentsMOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -31A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -31A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 1.4W
On-state resistance: 0.25Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 533 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+59.55 грн
100+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25485F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
6000+5.20 грн
9000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3Texas InstrumentsMOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 26926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
на замовлення 14341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.45 грн
100+10.36 грн
500+7.23 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
на замовлення 11675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.68 грн
100+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3TTexas InstrumentsMOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 10 V
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.15 грн
500+31.45 грн
750+29.74 грн
1250+26.11 грн
1750+25.04 грн
2500+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.69 грн
25+44.25 грн
100+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25501F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2T0S-N101+ QFP
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2TOS-N1AMCCQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD30168Hoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR ANSI61
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD30168PentairCSD30168
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+62481.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD30168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD30168 - SINGLE DOOR ENCLOSURE, 30" X 16" X 8"
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Light Gray
Außenhöhe - imperial: 30"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12
Außentiefe - metrisch: 203mm
Außenhöhe - metrisch: 762mm
Außentiefe - imperial: 8"
Außenbreite - metrisch: 406mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Konfigurierbar: Yes
Gehäusetyp: Wall Mount
Außenbreite - Zoll: 16"
Gehäusematerial: Mild Steel
directShipCharge: 25
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD30168LGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR RAL7035
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD30208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 600in² (3871cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 30.000" L x 20.000" W (762.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40900.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD302410Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 720in² (4645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49693.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD302410WHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD302412Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W
Part Status: Active
Area (L x W): 720in² (4645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 12.008" (305.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48004.73 грн
5+45378.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD30246WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD30248Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Area (L x W): 720in² (4645cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43026.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD303010PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78744.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD303010Hoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD303010LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]