Продукція > IPL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPL65R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.58 грн
10+203.72 грн
100+143.94 грн
500+115.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDInfineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
на замовлення 25894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+201.30 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
10000+212.53 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
10000+212.53 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 679840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+180.33 грн
1000+170.90 грн
10000+154.57 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+180.33 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1938Infineon TechnologiesDescription: IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.07 грн
10+195.15 грн
100+148.53 грн
500+119.52 грн
3000+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
500+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.09 грн
10+180.77 грн
100+126.82 грн
500+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.07 грн
73+195.15 грн
100+148.53 грн
500+119.52 грн
3000+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 37628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.08 грн
500+79.28 грн
1000+73.11 грн
10000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 18286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.08 грн
500+79.28 грн
1000+73.11 грн
10000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.2A ThinPAK 5x6
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.08 грн
500+79.28 грн
1000+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+88.08 грн
500+79.28 грн
1000+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.36 грн
10+93.03 грн
100+61.82 грн
500+46.84 грн
1000+38.75 грн
2500+33.81 грн
5000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 38647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+76.88 грн
511+69.20 грн
1000+63.82 грн
10000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 9328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+76.88 грн
511+69.20 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.36 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 23877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+76.88 грн
511+69.20 грн
1000+63.82 грн
10000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+76.88 грн
511+69.20 грн
1000+63.82 грн
10000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 81852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP
на замовлення 7514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
на замовлення 12514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.15 грн
10+166.35 грн
100+116.16 грн
500+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
на замовлення 6349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
10+153.30 грн
100+106.55 грн
500+81.26 грн
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+263.79 грн
81+176.09 грн
115+123.04 грн
500+103.12 грн
3000+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.79 грн
10+176.09 грн
100+123.04 грн
500+103.12 грн
3000+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 13697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
10000+109.33 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.82 грн
6000+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+150.19 грн
102000+137.90 грн
153000+128.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 67W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+143.79 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 10.9A VSON-5
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.9A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 8.3A VSON-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.55 грн
500+100.41 грн
1000+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.55 грн
500+100.41 грн
1000+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.55 грн
500+100.41 грн
1000+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6.7A ThinPAK 5x6
на замовлення 15192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 21726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+111.55 грн
500+100.41 грн
1000+92.59 грн
10000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R650C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPL65R650 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]