Продукція > IPL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPLA32L3R0KDVishay / SferniceFixed Inductors 3uH 10% High Current
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2753.65 грн
5+2655.57 грн
10+2279.51 грн
20+2238.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L4R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 4UH 10A CHAS MNT
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 10 A
Inductance: 4 µH
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L4R0KDVishay / SfernicePower Inductors - Leaded 4uH 10% High Current
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3563.88 грн
10+2889.77 грн
20+2325.76 грн
60+2320.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLA32L4R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 4uH 10% 10A Solder Lug
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-16X32RGB7-CIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38909.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-16X96RGB7-CIP DisplaysDescription: Compact Indoor Display with 6mm
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+106088.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X128-RGB7-C-ODNIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE LED 7STACK
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
Packaging: Retail Package
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+284403.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X32RGB7-C-DSIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+106088.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X64-RGB7-C-ODNIP DisplaysDescription: Compact Indoor Display with 6mm
Packaging: Retail Package
Light Color: Green, Red
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+144919.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X64-RGB7-C-SSIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Light Color: Blue, Green, Red
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
Packaging: Retail Package
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+186159.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLED-24X64RGB7CIP DisplaysDescription: Compact Indoor LED Display. 7 Co
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+106088.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+89.45 грн
100+69.73 грн
500+54.06 грн
1000+42.68 грн
2000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+67.56 грн
100+38.94 грн
500+30.72 грн
1000+27.75 грн
2500+25.47 грн
5000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.91 грн
500+28.19 грн
1000+24.02 грн
5000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.18 грн
10+60.18 грн
100+40.73 грн
500+34.52 грн
1000+26.99 грн
2500+26.44 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.71 грн
20+40.91 грн
100+33.91 грн
500+28.19 грн
1000+24.02 грн
5000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+96.65 грн
100+71.60 грн
500+56.31 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+85.63 грн
100+57.81 грн
500+43.06 грн
1000+39.46 грн
2000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.30 грн
500+37.84 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.62 грн
11+76.35 грн
100+51.30 грн
500+37.84 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+95.27 грн
100+54.81 грн
500+43.49 грн
1000+38.59 грн
2500+35.28 грн
5000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.32 грн
15+54.69 грн
100+41.72 грн
500+29.91 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.72 грн
500+29.91 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.46 грн
500+35.08 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+57.40 грн
100+33.07 грн
500+27.20 грн
1000+23.47 грн
2500+21.47 грн
5000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.57 грн
13+62.18 грн
100+44.46 грн
500+35.08 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.06 грн
15+54.36 грн
100+37.85 грн
500+30.51 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.18 грн
10+50.81 грн
100+34.38 грн
500+29.06 грн
1000+23.68 грн
2500+22.37 грн
5000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.85 грн
500+30.51 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.61 грн
500+28.34 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.41 грн
27+30.69 грн
100+30.61 грн
500+28.34 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+58.55 грн
100+38.82 грн
500+28.49 грн
1000+23.68 грн
5000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.82 грн
500+28.49 грн
1000+23.68 грн
5000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.14 грн
10+65.34 грн
100+44.25 грн
500+37.49 грн
1000+30.58 грн
2500+28.79 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.38 грн
500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.26 грн
39+20.86 грн
100+20.38 грн
500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.79 грн
30+27.22 грн
100+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+88.92 грн
100+60.06 грн
500+48.60 грн
1000+38.38 грн
5000+35.76 грн
10000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.91 грн
200+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.04 грн
11+73.37 грн
100+52.91 грн
200+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
10+95.20 грн
100+64.45 грн
500+48.12 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.36 грн
13+62.42 грн
100+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.89 грн
19+43.09 грн
100+38.90 грн
500+32.16 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 54W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.90 грн
500+32.16 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.72 грн
10+385.83 грн
100+271.30 грн
500+240.93 грн
1000+198.82 грн
1800+193.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.88 грн
10+315.18 грн
100+201.58 грн
500+179.49 грн
1000+158.78 грн
1800+151.18 грн
3600+144.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R070CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.28 грн
10+258.01 грн
100+164.99 грн
500+146.35 грн
1000+129.78 грн
1800+123.57 грн
3600+118.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.55 грн
10+207.21 грн
100+133.93 грн
500+112.53 грн
1000+104.24 грн
1800+97.34 грн
3600+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R120CM8XTMA1Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+183.39 грн
100+116.67 грн
500+97.34 грн
1000+90.43 грн
2000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 250A 8HSOF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.43 грн
10+196.32 грн
100+137.44 грн
500+105.39 грн
1000+97.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 250A 8HSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-1R1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+452.56 грн
33+433.11 грн
50+416.61 грн
100+388.10 грн
250+348.45 грн
500+325.42 грн
1000+317.46 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R7Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R8
Код товару: 219815
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R8Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.24 грн
10+319.14 грн
100+222.98 грн
500+198.13 грн
1000+187.77 грн
2000+176.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R8InfineonOptiMOS™-T2 Power-Transistor 40V 300A H-PSOF-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.04 грн
52+275.94 грн
100+219.24 грн
200+191.36 грн
500+167.91 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]