Продукція > MSC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM170TLM45C3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 1700V 64A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 319W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP3F Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM170TLM45C3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025CD3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-D3 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025CD3AG | Microchip Technology | Description: SIC 700V 538A D3 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 538A (Tc) Supplier Device Package: D3 Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70AM025CT6AG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025CT6AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025CT6LIAG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70AM025CT6LIAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025D3AG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-D3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025D3AG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-D3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 689A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 1.882kW (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 24mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1290nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 240A, 20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025T6AG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SP6C Part Status: Active Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1290nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 240A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 689A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 1.882kW (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 24mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025T6LIAG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-SP6L1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM025T6LIAG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SP6L1 Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 24mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1290nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 240A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 689A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 1.882kW (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM07CT3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM07CT3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 988W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA Supplier Device Package: SP3F | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70AM07CT3AG | Microchip Technology / Atmel | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | на замовлення 3 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM07T3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 353A Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 988W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70AM07T3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM10CT3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC3235 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM10CT3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 241A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 690W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 241A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA Supplier Device Package: SP3F Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70AM10T3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 241A Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 241A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 690W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70AM10T3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM19CT1AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM19CT1AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 124A SP1F Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 365W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tube Supplier Device Package: SP1F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70AM19T1AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 124A Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 365W (Tc) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70AM19T1AG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-SP1F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70DUM017AG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SP6C Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 36mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1935nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 360A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1021A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 2750W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70DUM017AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70DUM025AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 689A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1882W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 689A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 240A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1290nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 24mA Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70DUM07T3AG | Microchip Technology | Description: SIC 2N-CH 700V 353A SP3F Power - Max: 988W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: SP3F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70DUM10T3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70DUM10T3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 241A SP3F Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: SP3F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 241A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 690W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70HM038AG | Microchip Technology | Description: SIC 4N-CH 700V 464A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 160A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 464A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 1.277kW (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 16mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70HM038AG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-SP6C | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70HM038CAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70HM05AG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SP6C Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 966W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70HM05CAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70HM19CT3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70HM19CT3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 700V 124A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 365W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Supplier Device Package: SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70HM19T3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 700V 124A Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 365W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70HM19T3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TAM05TPAG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-SP6P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TAM05TPAG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC~-SP6P Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Part Status: Active Current: 273 A Voltage: 700 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TAM10CTPAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TAM10CTPAG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TAM10TPAG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SP6P Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 674W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TAM10TPAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC6560 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TAM19CT3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TAM19CT3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 700V 124A SP3F Supplier Device Package: SP3F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 365W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TAM19T3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 6N-CH 700V 124A Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 365W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TAM19T3AG | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TLM05CAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TLM05CAG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 700V 464A SP6C Part Status: Active Supplier Device Package: SP6C Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 160A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 464A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 1277W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TLM07CAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TLM07CAG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 700V 349A SP6C Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 966W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA Supplier Device Package: SP6C Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TLM10C3AG | Microchip Technology | Description: SIC 4N-CH 700V 241A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 690W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 241A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA (Typ) Supplier Device Package: Module Part Status: Active | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TLM10C3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TLM19C3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70TLM19C3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 700V 124A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 365W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Supplier Device Package: SP3F Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TLM44C3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 4N-CH 700V 58A SP3F Part Status: Active Supplier Device Package: SP3F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 176W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70TLM44C3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VM10C4AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VM10C4AG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP4 Part Status: Active Supplier Device Package: SP4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 674W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Package / Case: Module Packaging: Tube Mounting Type: Chassis Mount | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70VM19C3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VM19C3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 124A SP3F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 365W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Supplier Device Package: SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VR1M03CT6AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 585A Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1625W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 585A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22500pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 200A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1075nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VR1M07CT6AG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VR1M07CT6AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VR1M10CT3AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 241A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 690W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 241A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70VR1M10CT3AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VR1M10CTPAG | Microchip Technology | Description: SIC 6N-CH 700V 238A Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 674W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSCSM70VR1M10CTPAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VR1M19C1AG | Microchip Technology | Description: MOSFET 2N-CH 700V 124A Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 365W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70VR1M19C1AG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70XM19CTYZBNMG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70XM19CTYZBNMG | Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SBD-NHPD Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Voltage - Isolation: 4000Vrms Current: 110 A Voltage: 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70XM45CTYZBNMG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSM70XM75CTYZBNMG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSMC120AM04TBZ2AEG | Microchip Technology | Description: 1200V, 4 MOHM PHASE LEG BZ2 MSIC Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 766W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 266A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17800pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 225A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 726nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13.5mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCSMC120AM04TBZ2EG | Microchip Technology | Description: 1200V, 4 MOHM PHASE LEG BZ2 MSIC Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 604W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17.8pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 225A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 726nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13.5mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCT-5S | TE Connectivity / AMP | Industrial Relays MST T05 TRANS. RELAY | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCT05C | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCT12 | на замовлення 2091 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCU18C | N/A | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MSCU5C | PHILIPS | 9806 | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCUC3843A | UC | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSCX-14-14-F | Ruland Manufacturing | Description: 14MMX14MM STEEL RIGID COUPLING | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |