Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+164.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineonMOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.50 грн
10+183.09 грн
100+115.22 грн
500+96.36 грн
800+89.38 грн
2400+83.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInfineon TechnologiesP-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 17927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.54 грн
10+168.63 грн
100+122.20 грн
500+112.71 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.16 грн
10+149.61 грн
25+129.44 грн
50+115.99 грн
100+105.06 грн
250+92.46 грн
500+84.89 грн
800+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRPBFIR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFIRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
1000+129.94 грн
10000+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFIRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF
Код товару: 176581
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4905STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+140.57 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4H450IRMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4PC50UDInternational RectifierIGBT N-CH, Vces=600V, Ic=27A, Vce(on)=1.65V, TO-247AC, -55...+150 Транзистори
на замовлення 11 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+617.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SiliconixN-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SiliconixN-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SiliconixN-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.83 грн
190+74.98 грн
250+63.95 грн
500+54.12 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.37 грн
10+50.85 грн
50+47.15 грн
100+43.37 грн
250+38.50 грн
500+35.05 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 30002
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.50 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 8062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.67 грн
11+75.84 грн
100+65.58 грн
500+45.24 грн
1000+36.31 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+79.03 грн
215+65.95 грн
219+64.99 грн
500+53.07 грн
1000+43.30 грн
2000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishay SiliconixTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.99 грн
50+66.89 грн
100+65.92 грн
500+53.90 грн
1000+44.04 грн
2000+38.35 грн
5000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+68.58 грн
100+44.90 грн
500+34.08 грн
1000+30.17 грн
2000+27.30 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.62 грн
213+66.58 грн
217+65.61 грн
500+53.65 грн
1000+43.82 грн
2000+38.18 грн
5000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 186965
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.03 грн
50+65.95 грн
100+64.99 грн
500+53.07 грн
1000+43.30 грн
2000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 5,6 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 16787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.33 грн
50+67.46 грн
100+60.41 грн
500+45.06 грн
1000+41.32 грн
2000+38.17 грн
5000+34.20 грн
10000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 44439
2 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
  • 52 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+21.00 грн
10+19.80 грн
100+18.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF(транзистор)
Код товару: 67239
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+45.87 грн
500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.83 грн
10+68.42 грн
100+39.24 грн
500+33.03 грн
1000+28.56 грн
2000+27.30 грн
5000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.83 грн
12+69.41 грн
100+45.87 грн
500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.33 грн
50+67.46 грн
100+60.41 грн
500+45.06 грн
1000+41.32 грн
2000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.68 грн
12+73.81 грн
25+65.50 грн
50+53.10 грн
100+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SSiliconixN-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.70 грн
163+87.02 грн
250+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.88 грн
50+103.83 грн
100+90.35 грн
500+86.15 грн
1000+65.83 грн
2000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.38 грн
138+103.34 грн
158+89.92 грн
500+85.74 грн
1000+65.52 грн
2000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.86 грн
10+75.24 грн
100+55.37 грн
500+45.25 грн
1000+40.57 грн
2000+37.92 грн
5000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.37 грн
138+103.33 грн
159+89.67 грн
500+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.94 грн
106+134.85 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.68 грн
13+64.77 грн
100+51.40 грн
500+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 13896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.33 грн
50+67.46 грн
100+60.41 грн
500+45.06 грн
1000+41.32 грн
2000+38.17 грн
5000+34.20 грн
10000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.53 грн
10+56.40 грн
50+49.93 грн
100+47.32 грн
250+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.37 грн
50+103.33 грн
100+89.67 грн
500+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.11 грн
1600+55.55 грн
2400+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.71 грн
10+94.76 грн
100+55.16 грн
500+43.08 грн
800+37.22 грн
2400+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.38 грн
1600+55.81 грн
2400+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.33 грн
10+89.34 грн
100+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.33 грн
10+89.34 грн
100+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.45 грн
10+92.35 грн
100+38.06 грн
500+36.24 грн
2400+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.77 грн
105+135.02 грн
156+91.28 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF512Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF512S2532Harris CorporationDescription: 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF513PBFVishay
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520SiliconixN-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520 (TO-220 ST)
Код товару: 186775
6 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
  • 91 шт - склад
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+12.00 грн
10+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520-ModulInfineonМодуль MOSFET-транзистора IRF520 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520N
Код товару: 25347
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]