Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN31D5L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | на замовлення 7036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 8340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A 6DFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 21632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 646679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K | на замовлення 5116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-3 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0604-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6 pF @ 15 V | на замовлення 490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K | на замовлення 9599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W | на замовлення 45937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 393mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 393mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V | на замовлення 181117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 393mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 393mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZQ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0606-3 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Power Dissipation (Max): 320mW FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V | на замовлення 960000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | на замовлення 4749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V | на замовлення 962995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V | на замовлення 3392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 650mW 30Vdss | на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 573000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 161pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 760mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 161pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 760mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 4731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K | на замовлення 19100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LFB4-7B | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V | на замовлення 209900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 480mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 15946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K | на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LVQ-13 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 480mW (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 116205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LVQ-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 350mw 30V DUAL | на замовлення 14100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 280mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-353 | на замовлення 29315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R | на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 280mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-353 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R | на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 350mW 30Vdss | на замовлення 38444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 135100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D2LV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D2LV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D2LV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D2LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | на замовлення 15767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D4SDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D4SDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D4SDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D4SDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363 Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 290mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D4SDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC | на замовлення 91177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|