Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3150LW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 0.35W 28V 1.6A | на замовлення 20223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V | на замовлення 40682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 28 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 940 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323 Mounting: SMD Pulsed drain current: 6.4A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 1.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 28V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT323 On-state resistance: 138mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V | на замовлення 40370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 310000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss | на замовлення 36277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 400mW; SOT363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 311796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 2496000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1957 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss | на замовлення 234732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 2499475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | на замовлення 5969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Zetex | Dual N Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Zetex | Dual N Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D4UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V | на замовлення 1599389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D4UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0606-3 T&R 10K | на замовлення 4016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D4UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V | на замовлення 1590000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 13551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | на замовлення 420000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | на замовлення 420000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | на замовлення 5316000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | на замовлення 5320042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 8340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | на замовлення 7036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A 6DFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-6 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 21632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 646679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K | на замовлення 5116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0604-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6 pF @ 15 V | на замовлення 490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFO-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K | на замовлення 9599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 393mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 393mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V | на замовлення 181117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W | на замовлення 45937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 393mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 393mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0606-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D5UFZQ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V | на замовлення 950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | на замовлення 7529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V | на замовлення 13920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V | на замовлення 57326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 573000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 650mW 30Vdss | на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 760mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 161pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 40µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 4731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN3270UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 760mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 161pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 40µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN32D0LFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V | на замовлення 209900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN32D0LFB4-7B | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|