Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.00 грн
500+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3
Код товару: 144688
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+45.86 грн
378+37.39 грн
382+37.01 грн
500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 14377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.52 грн
10+57.98 грн
50+43.00 грн
100+35.81 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3VishayTranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.28 грн
17+46.27 грн
100+37.71 грн
250+36.00 грн
500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 29A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 12599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 52538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+44.42 грн
100+28.97 грн
500+20.95 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.14 грн
6000+16.09 грн
9000+15.39 грн
15000+13.71 грн
21000+13.27 грн
30000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.72 грн
157+90.20 грн
180+78.44 грн
200+72.18 грн
500+66.62 грн
1000+58.71 грн
2000+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.40 грн
10+99.42 грн
50+75.26 грн
100+63.30 грн
500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI76
на замовлення 7806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 35A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.83 грн
9000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 63448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.62 грн
50+46.69 грн
100+38.97 грн
500+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 6855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.41 грн
6000+19.97 грн
9000+19.14 грн
15000+17.10 грн
21000+16.58 грн
30000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 12366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+37.91 грн
374+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.04 грн
19+40.44 грн
25+39.76 грн
100+32.66 грн
250+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 91591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.61 грн
10+53.41 грн
100+35.16 грн
500+25.63 грн
1000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7620DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7620DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7621DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7621DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.47 грн
127+111.35 грн
129+110.23 грн
159+85.94 грн
250+78.75 грн
500+64.17 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.39 грн
10+82.81 грн
25+81.98 грн
50+78.26 грн
100+65.18 грн
250+62.19 грн
500+56.22 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.98 грн
10+100.57 грн
50+76.19 грн
100+64.10 грн
500+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3
Код товару: 49737
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 67389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3Vishay Siliconix30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+75.04 грн
100+50.20 грн
500+37.10 грн
1000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.88 грн
15+52.03 грн
25+51.50 грн
100+44.00 грн
250+40.49 грн
500+36.43 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7625DN-T1-GE3-AVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.23 грн
6000+29.56 грн
9000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 35A 52W
на замовлення 26795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7629DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5790 pF @ 10 V
на замовлення 24057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.33 грн
10+61.41 грн
100+47.75 грн
500+37.98 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.07 грн
10+111.53 грн
25+110.41 грн
50+105.41 грн
100+82.66 грн
250+78.57 грн
500+68.92 грн
1000+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-Channel MOSFETs 20V 60A 104W Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7633DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+109.94 грн
100+75.02 грн
500+56.37 грн
1000+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.07 грн
127+111.53 грн
128+110.41 грн
130+105.41 грн
153+82.66 грн
250+78.57 грн
500+68.92 грн
1000+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7633DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7633DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BVISHAY09+
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-E3VISHAY07NOPB
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7634BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.95 грн
10+117.94 грн
100+93.88 грн
500+74.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634DP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634DP-T1-E3VISHAYQFN8 0802+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7635DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7635DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7635DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7149ADP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]