Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFP220N06T3IXYSMOSFET 60V/220A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3IXYSMOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.31 грн
10+277.07 грн
100+212.62 грн
500+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+567.00 грн
50+482.53 грн
100+444.29 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.01 грн
10+277.54 грн
50+241.81 грн
100+226.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.04 грн
50+260.09 грн
100+238.42 грн
500+188.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+403.59 грн
10+231.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.04 грн
50+260.09 грн
100+238.42 грн
500+188.14 грн
1000+176.71 грн
2000+175.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2
Код товару: 197751
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+534.49 грн
50+437.91 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.31 грн
10+277.07 грн
100+220.91 грн
500+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIXYSMOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.14 грн
10+212.76 грн
100+168.44 грн
500+164.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+359.74 грн
10+191.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+423.36 грн
50+362.50 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.76 грн
50+239.48 грн
100+219.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M
Код товару: 210072
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP230N075T2IXYSMOSFETs TO220 650V 230A N-CH TRENCH
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.87 грн
10+470.78 грн
50+276.14 грн
100+257.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.49 грн
50+281.26 грн
100+259.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP26N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 26A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 26A N-CH X3CLASS
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.75 грн
10+277.07 грн
50+152.57 грн
100+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.24 грн
60+239.75 грн
100+231.61 грн
250+216.57 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.55 грн
50+173.22 грн
100+148.47 грн
500+136.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.23 грн
50+358.15 грн
100+330.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1107.20 грн
15+984.49 грн
50+851.89 грн
100+760.69 грн
250+643.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.39 грн
10+595.42 грн
100+373.47 грн
500+363.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.38 грн
5+611.30 грн
10+598.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2IXYSDescription: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.18 грн
50+451.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+604.94 грн
5+523.51 грн
10+484.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X3LittelfuseMOSFETs TO220 650V 26A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO22
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3IXYSMOSFETs 60V/270A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP28N60X3LittelfuseMOSFETs TO220 600V 28A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+471.61 грн
10+280.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.33 грн
50+275.23 грн
100+252.81 грн
500+203.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3IXYSMOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.90 грн
10+317.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO220
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3MIXYSMOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.05 грн
50+340.42 грн
100+313.57 грн
500+250.18 грн
1000+242.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2
Код товару: 180236
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+385.94 грн
100+355.23 грн
500+332.92 грн
1000+317.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Power dissipation: 540W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+524.40 грн
5+452.05 грн
10+418.81 грн
25+356.48 грн
50+324.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2IXYSMOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.92 грн
10+340.58 грн
100+292.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+385.94 грн
100+355.23 грн
500+332.92 грн
1000+317.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MLittelfuseX2-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2MIXYSMOSFETs 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.97 грн
10+388.21 грн
100+305.82 грн
500+300.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2WIXYSDescription: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.38 грн
50+259.60 грн
100+238.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2WIXYSMOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.51 грн
10+279.45 грн
100+222.29 грн
1000+216.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3IXYSDescription: MOSFET 34A 650V X3 TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.91 грн
50+398.12 грн
100+367.73 грн
500+295.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP34N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.70 грн
5+485.65 грн
10+419.61 грн
50+328.31 грн
100+289.94 грн
250+284.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3IXYSMOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+778.01 грн
10+427.91 грн
100+343.10 грн
500+337.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3IXYSMOSFETs TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.35 грн
10+277.07 грн
50+169.13 грн
100+158.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+434.34 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.62 грн
50+208.13 грн
100+189.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.66 грн
10+195.71 грн
100+174.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MIXYSMOSFETs TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.76 грн
10+264.37 грн
50+205.03 грн
100+178.80 грн
250+164.30 грн
500+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N30P3IXYSMOSFETs TO220 300V 36A N-CH POLAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N55X2Littelfuse Inc.Description: IXFP36N55X2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N55X2IXYSMOSFETs TO220 550V 36A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3IXYSMOSFETs TO220 600V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.01 грн
10+278.66 грн
100+236.79 грн
500+218.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N60X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFP36N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.56 грн
5+480.82 грн
10+401.89 грн
50+299.15 грн
100+252.66 грн
250+240.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3IXYSMOSFETs TO220 300V 38A N-CH X3CLASS
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.83 грн
10+227.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.95 грн
50+188.34 грн
100+187.03 грн
500+167.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3MIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.85 грн
50+190.96 грн
100+189.65 грн
500+169.68 грн
1000+167.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3MIXYSMOSFETs TO220 300V 38A N-CH X3CLASS
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
10+230.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.04 грн
10+361.22 грн
100+311.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.50 грн
50+341.12 грн
100+314.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP3N80IXYSMOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP44N25X3IXYSMOSFETs TO220 250V 44A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+339.36 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.31 грн
3+218.54 грн
10+192.78 грн
50+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]