Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN1R0-100ASFJNexperiaMOSFETs SOT8000 100V 460A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+784.40 грн
10+604.93 грн
100+438.94 грн
500+390.86 грн
1000+331.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 460A 12-Pin CCPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+868.12 грн
50+679.31 грн
100+620.08 грн
250+531.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.41 грн
10+535.67 грн
100+421.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1400.53 грн
5+1055.89 грн
10+868.12 грн
50+679.31 грн
100+620.08 грн
250+531.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+1289.42 грн
100+1224.59 грн
500+1160.95 грн
1000+1056.97 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.41 грн
10+535.67 грн
100+421.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+890.07 грн
50+689.12 грн
100+590.82 грн
250+545.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+357.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1436.30 грн
5+1055.89 грн
10+890.07 грн
50+689.12 грн
100+590.82 грн
250+545.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-100CSFJNexperiaMOSFETs SOT8000 100V 460A
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.61 грн
10+604.93 грн
100+438.94 грн
500+390.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-25YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5308 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.26 грн
3000+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.07 грн
10+105.76 грн
100+62.29 грн
500+50.30 грн
1000+45.08 грн
1500+43.41 грн
9000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5308 pF @ 12 V
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+119.10 грн
100+81.76 грн
500+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 216A; Idm: 1226A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 216A
Pulsed drain current: 1226A
Power dissipation: 160W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLCNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLCNXPMFET, N-CH, 30 V, 100A, 272W, 1.1 mOm, Power SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 19277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.62 грн
100+91.55 грн
500+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.60 грн
10+152.81 грн
50+128.43 грн
200+95.86 грн
500+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.42 грн
10+143.48 грн
100+98.12 грн
500+80.06 грн
1000+63.76 грн
1500+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.02 грн
3000+61.21 грн
4500+59.03 грн
7500+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 70nC
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.22 грн
10+114.06 грн
25+103.15 грн
100+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 25348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.25 грн
10+96.95 грн
100+56.71 грн
500+45.98 грн
1000+41.25 грн
1500+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.42 грн
99+143.48 грн
145+98.12 грн
500+80.06 грн
1000+63.76 грн
1500+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+75.17 грн
250+73.60 грн
500+67.40 грн
1000+60.51 грн
3000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.43 грн
200+95.86 грн
500+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC.115
Код товару: 173650
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.51 грн
3000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
500+61.44 грн
1000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNXPN-Channel 30V 300A 238W Surface Mount LFPAK-56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.00 грн
10+87.33 грн
100+51.14 грн
500+40.48 грн
1000+35.32 грн
1500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.90 грн
10+131.68 грн
100+86.16 грн
500+61.44 грн
1000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.89 грн
100+55.11 грн
500+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLEXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 275A
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.47 грн
10+140.22 грн
100+84.30 грн
500+68.28 грн
1000+66.54 грн
1500+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 275A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.44 грн
3000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.53 грн
500+155.49 грн
1000+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 275A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+205.08 грн
500+194.47 грн
1000+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.44 грн
10+304.82 грн
100+210.53 грн
500+155.49 грн
1000+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+131.56 грн
100+90.82 грн
500+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+167.18 грн
100+116.95 грн
500+90.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+282.06 грн
500+221.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325 A
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.37 грн
10+178.67 грн
100+108.69 грн
500+89.18 грн
2000+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 325A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40SSHJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.53 грн
10+353.59 грн
100+282.06 грн
500+221.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40ULDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40ULDXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40ULDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1168A
Power dissipation: 164W
Case: SOT1023A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40ULDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-40YLD/SOT1023/4 LEADS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-40YLD/SOT1023/4 LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 198W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.56 грн
10+186.95 грн
100+121.93 грн
500+104.92 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.52 грн
10+117.78 грн
100+70.37 грн
500+55.88 грн
1000+48.07 грн
1500+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
10+109.97 грн
100+75.16 грн
500+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 198W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.93 грн
500+104.92 грн
1000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNXPMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YLDX транзистор
Код товару: 220980
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 25 шт
  • 25 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 290A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
10+206.43 грн
100+146.19 грн
500+118.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 277A; Idm: 1564A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 277A
Pulsed drain current: 1564A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 290A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 290A
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.81 грн
10+179.48 грн
100+113.57 грн
500+95.45 грн
1000+88.48 грн
1500+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-40YSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+112.17 грн
3000+103.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1400.53 грн
5+1015.24 грн
10+868.12 грн
50+672.51 грн
100+576.19 грн
250+531.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJNexperiaMOSFETs SOT8005 N-CH 80V 495A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+745.38 грн
10+574.48 грн
100+416.64 грн
500+388.08 грн
1000+329.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.06 грн
10+514.01 грн
100+400.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+868.12 грн
50+672.51 грн
100+576.19 грн
250+531.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-80CSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+846.17 грн
50+730.63 грн
100+604.06 грн
250+562.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+337.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1363.95 грн
5+1086.77 грн
10+846.17 грн
50+730.63 грн
100+604.06 грн
250+562.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.79 грн
10+509.93 грн
100+397.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-100CSEJNexperiaMOSFETs SOT8000 100V 430A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+820.16 грн
10+574.48 грн
1000+499.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1318A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1318A
Power dissipation: 215W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+82.46 грн
1000+79.09 грн
1500+70.45 грн
3000+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5287 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.83 грн
3000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]