Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+105.60 грн
1200+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/71ns
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
30+113.39 грн
120+91.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+105.60 грн
1200+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH160DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH160DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH160DF2 - IGBT, 85 A, 1.77 V, 395 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 123µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+204.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH65DF - IGBT, 60 A, 1.55 V, 180 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 258 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
30+133.77 грн
120+109.04 грн
510+85.30 грн
1020+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
Verlustleistung: 258W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 81.6 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 151 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.41 грн
10+174.51 грн
25+159.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30A 1200V short circuit rugged IGBT
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A TO-247
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/251ns
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 260W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 185µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 258 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.80 грн
10+211.87 грн
30+191.77 грн
120+163.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.67 грн
30+236.02 грн
120+196.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 468W
Gate charge: 158nC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+390.17 грн
3+332.11 грн
10+272.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMIGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.35 грн
30+331.15 грн
120+278.45 грн
510+228.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+355.43 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+351.58 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 7V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+239.34 грн
10+167.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65DFB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns
Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
30+149.40 грн
120+122.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 214µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Power - Max: 227 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Part Status: Active
Gate Charge: 153 nC
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 410µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.39 грн
30+198.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.84 грн
83+171.93 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.78 грн
30+174.73 грн
120+170.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 400V, 40A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 190µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+225.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.53 грн
30+234.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+225.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMSTGWA40M120DF3 STGWA40M120 IGBT N-CH 1200V 80A 468W TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40A 1200V short circuit rugged IGBT
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3STMIGBT 1200V 40A TO247-3L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 129 nC
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.59 грн
10+246.38 грн
25+229.50 грн
100+181.84 грн
250+159.03 грн
600+133.19 грн
1200+131.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.59 грн
58+246.38 грн
62+229.50 грн
100+181.84 грн
250+159.03 грн
600+133.19 грн
1200+131.17 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.15 грн
10+204.55 грн
100+144.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/115ns
Switching Energy: 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
30+135.94 грн
120+110.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50HP65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.30 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.78 грн
3+267.53 грн
10+227.27 грн
30+202.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.81 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 284µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.07 грн
10+226.74 грн
100+161.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns
Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.29 грн
30+207.79 грн
120+172.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29.8ns/143ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 207 A
Power - Max: 576 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.45 грн
10+279.57 грн
100+201.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+171.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
30+173.45 грн
120+142.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+171.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]