Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+355.43 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.91 грн
10+331.71 грн
25+272.42 грн
100+236.19 грн
600+201.35 грн
1200+182.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 7V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
30+152.77 грн
120+125.22 грн
510+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.93 грн
10+153.84 грн
100+95.45 грн
600+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.30 грн
10+147.43 грн
100+87.79 грн
600+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65DFB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.68 грн
10+200.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns
Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.12 грн
30+145.22 грн
120+118.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 214µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.45 грн
10+322.90 грн
25+163.03 грн
100+158.85 грн
250+156.07 грн
600+109.39 грн
1200+102.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
Power - Max: 227 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Part Status: Active
Gate Charge: 153 nC
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 410µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.74 грн
30+166.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.21 грн
10+149.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.78 грн
30+174.73 грн
120+170.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.84 грн
83+171.93 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 400V, 40A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 190µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+225.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.32 грн
25+261.20 грн
100+191.60 грн
250+170.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
30+217.76 грн
120+181.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+225.26 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3 STGWA40M120STMIGBT N-CH 1200V 80A 468W TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40A 1200V short circuit rugged IGBT
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 40A TO247-3L
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 129 nC
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3STMIGBT 1200V 40A TO247-3L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.59 грн
58+246.38 грн
62+229.50 грн
100+181.84 грн
250+159.03 грн
600+133.19 грн
1200+131.17 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.89 грн
10+214.73 грн
100+146.31 грн
600+122.62 грн
1200+113.57 грн
3000+105.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.59 грн
10+246.38 грн
25+229.50 грн
100+181.84 грн
250+159.03 грн
600+133.19 грн
1200+131.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.74 грн
10+198.81 грн
100+140.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.34 грн
10+203.51 грн
25+143.53 грн
100+123.32 грн
250+109.39 грн
600+93.36 грн
1200+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50HP65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/115ns
Switching Energy: 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
30+135.94 грн
120+110.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 284µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.23 грн
10+221.60 грн
100+157.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.30 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.78 грн
3+267.53 грн
10+227.27 грн
30+202.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.62 грн
10+212.33 грн
100+137.95 грн
600+111.48 грн
1200+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.81 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.98 грн
10+217.03 грн
100+190.21 грн
500+170.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.11 грн
10+221.94 грн
100+160.25 грн
600+156.76 грн
1200+126.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns
Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.29 грн
30+207.79 грн
120+172.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29.8ns/143ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 207 A
Power - Max: 576 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.45 грн
10+279.57 грн
100+201.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.86 грн
10+294.85 грн
100+207.62 грн
600+183.94 грн
1200+157.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+171.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.95 грн
10+278.81 грн
100+244.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.13 грн
10+170.66 грн
100+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+171.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
30+169.93 грн
120+139.82 грн
510+110.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 130A 340W TO247
Power - Max: 340 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.81 грн
10+479.82 грн
100+399.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
30+170.66 грн
120+140.69 грн
510+111.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.39 грн
10+180.28 грн
100+109.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.27 грн
10+492.80 грн
100+367.24 грн
600+311.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.48 грн
10+222.90 грн
25+220.73 грн
60+192.12 грн
120+176.12 грн
270+153.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.55 грн
10+225.16 грн
100+218.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2
Код товару: 199290
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns
Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.67 грн
10+147.32 грн
25+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.06 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+343.93 грн
46+313.04 грн
52+277.04 грн
60+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.92 грн
96+148.46 грн
97+147.03 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.52 грн
10+267.53 грн
30+212.18 грн
60+183.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.84 грн
10+421.45 грн
100+296.80 грн
600+263.36 грн
1200+225.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.36 грн
10+506.88 грн
25+359.73 грн
100+304.83 грн
250+255.27 грн
600+242.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 535W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.06 грн
10+260.40 грн
120+188.12 грн
510+181.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 3.26mJ (on), 2.33mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 453 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 535 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.21 грн
30+260.88 грн
120+217.86 грн
510+174.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.71 грн
10+322.90 грн
100+207.62 грн
600+175.57 грн
1200+165.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  Наступна Сторінка >> ]