Продукція > STG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA40H120F2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H60DLFB | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H60DLFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH 600V 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 7V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 283 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40H65DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40H65DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H65DFB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65DFB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H65DHFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40H65DHFB2 | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 111 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns Switching Energy: 214µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40H65FB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40H65FB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40HP65FB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40HP65FB | STMicroelectronics | Description: PTD HIGH VOLTAGE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/125ns Switching Energy: 410µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40HP65FB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40HP65FB2 | STMicroelectronics | Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4 Power - Max: 227 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Part Status: Active Gate Charge: 153 nC Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Switching Energy: 410µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/125ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40HP65FB2 | STM | Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40HP65FB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 72A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 238W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics | Description: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40 Power - Max: 238 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 114 nC Test Condition: 400V, 40A, 22Ohm, 15V Switching Energy: 190µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/210ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 468 W | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA40M120DF3 STGWA40M120 | STM | IGBT N-CH 1200V 80A 468W TO-247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40N120KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 84 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off) Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 240 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40N120KD | STMicroelectronics | IGBT Transistors 40A 1200V short circuit rugged IGBT | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40S120DF3 | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40S120DF3 | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 40A TO247-3L Power - Max: 468 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Gate Charge: 129 nC Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA40S120DF3 | STM | IGBT 1200V 40A TO247-3L Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA45HF60WDI | STMicroelectronics | IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA45HF60WDI | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/145ns Switching Energy: 330µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 310 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 151 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 272 W | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50HP65FB2 | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50HP65FB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGWA50HP65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50HP65FB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/115ns Switching Energy: 580µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 151 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 272 W | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/260ns Switching Energy: 284µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 158 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 300 W | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50IH65DF2 | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGWA50M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 162 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 375 W | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50M65DF2 | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGWA50M65DF2AG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29.8ns/143ns Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 147 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 119 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 207 A Power - Max: 576 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA50M65DF2AG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60H65DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60H65DFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGWA60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247LL Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60H65DFB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed | на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60H65DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60H65DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60NC60WDR | STMicroelectronics | IGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA60NC60WDR | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 130A 340W TO247 Power - Max: 340 W Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Gate Charge: 195 nC Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 334 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60V60DF | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA60V60DF | STMicroelectronics | IGBTs 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT | на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA60V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA60V60DWFAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA60V60DWFAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA60V60DWFAG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns Switching Energy: 1.02mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 314 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247LL Dauerkollektorstrom: 115A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 Код товару: 199290
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 207 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 115 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 357 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 107 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 468 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA80H65DFB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA80H65DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA80H65DFB | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA80H65DFBAG | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 535W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 453nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA80H65DFBAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 535W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA80H65DFBAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA80H65DFBAG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/360ns Switching Energy: 3.26mJ (on), 2.33mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 453 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 535 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA80H65FB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGWA80H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGWA80H65FB | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 469W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

