Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.06 грн
10+157.82 грн
100+107.82 грн
500+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BK
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 17468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3SiliconixTransistor P-MOSFET; 20V; 12V; 14mOhm; 18,6A; 5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: SI4463CDY-E3; SI4463CDY-T1-E3; SI4463CDY-GE3; SI4463CDY-T1-GE3 TSI4463cdy
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.04 грн
5000+25.02 грн
7500+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 17468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 64522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.45 грн
6+75.60 грн
10+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 11598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.68 грн
10+63.75 грн
100+42.35 грн
500+31.12 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463D
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
на замовлення 142228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.16 грн
500+94.64 грн
1000+87.28 грн
10000+75.04 грн
100000+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
на замовлення 18300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.16 грн
500+94.64 грн
1000+87.28 грн
10000+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4463DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 188516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
на замовлення 11635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.16 грн
500+94.64 грн
1000+87.28 грн
10000+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V
на замовлення 183632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.16 грн
500+94.64 грн
1000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.16 грн
500+94.64 грн
1000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DY-T1SI0006+
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DY-TI
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463M1307CAMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463M1307CAMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463M1307CGMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463M1307CGMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464SI09+ SOP8
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464(транзистор)
Код товару: 58348
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.06 грн
10+617.22 грн
25+588.28 грн
100+507.12 грн
490+441.96 грн
980+409.19 грн
1470+402.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Power - Output: 20dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -126dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
GPIO: 4
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.58 грн
10+539.46 грн
25+507.91 грн
100+436.58 грн
490+396.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+689.06 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSiLabsRF TXRX+MCU ISM<1GHZ VFQFN-20 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FM - HF-Transceiver, 119MHz bis 1.05GHz, 4FSK/4GFSK, FSK/GFSK, MSK/GMSK, OOK, 1.8-3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 119MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FMR - HF-TXRX, 119MHZ-1.05GHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 119MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 7267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.58 грн
10+539.46 грн
25+507.91 грн
100+436.58 грн
250+412.87 грн
500+396.28 грн
1000+374.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMR
Код товару: 60025
Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Радіомодулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FMR - HF-TXRX, 119MHZ-1.05GHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 119MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsПриемопередатчик РЧ, F,ГГц = 0.119...1.050, Pвх, Вт = 10/13 мА RX, Pвых, Вт = 20 дБм, Uпит, В = 1.8...3.6,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-20 Очікується: 415 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+400.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464-B1X-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DYVISHAY09+
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.72 грн
10+95.47 грн
100+64.81 грн
500+48.50 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.23 грн
5000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.20 грн
10+103.14 грн
25+102.11 грн
100+70.78 грн
250+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.54 грн
5000+40.07 грн
7500+38.64 грн
12500+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.19 грн
5000+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.14 грн
138+102.11 грн
192+73.40 грн
250+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3VISHAY05+
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.18 грн
10+94.58 грн
100+64.38 грн
500+48.28 грн
1000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465SIEMENS01+ SOP
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4465ADY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+44.77 грн
319+44.10 грн
324+43.41 грн
329+41.20 грн
335+37.55 грн
340+35.46 грн
500+34.88 грн
1000+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4465ADY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 13.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 1.8
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 6.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 450
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.89 грн
17+44.10 грн
25+41.86 грн
50+38.15 грн
100+36.05 грн
250+35.46 грн
500+34.88 грн
1000+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADYT1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADYT1E3SIVHAY
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465DYVishay / SiliconixMOSFETs 8V 14A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465DY
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465DY-T1SILICONIX
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4465DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]