Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1910FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
24+12.68 грн
100+6.20 грн
500+4.85 грн
1000+3.37 грн
2000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911TOSHIBA
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(XM)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPNx2 BRT, 10kOhm 10kOhm 50V 0.1A (SOT-363)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
17+18.49 грн
100+11.07 грн
500+9.61 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE(TLR3MOT)TOS0829+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
27+11.32 грн
100+5.50 грн
500+4.31 грн
1000+2.99 грн
2000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN x 2 Q1BSR=10kO, Q2BSR=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+17.96 грн
100+9.07 грн
500+7.54 грн
1000+5.87 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FETE85LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 50mW F 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962TOSHIBA07+ROHS SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962/XXB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FETE85LFTOS07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FS
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962TE85LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 5691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.34 грн
100+14.94 грн
500+9.28 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FETOSHSOT26/
на замовлення 11389 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FSTOSHIBA09+
на замовлення 49988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964(TE85R?TOSHIBASOT363-XXD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964(TE85RЈ©SOT363-XXDTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964?TE85L?TOSHIBASOT23-6
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964FE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
16+19.40 грн
100+10.98 грн
500+6.82 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964TE85LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964XXDTOSHIBASOT-363
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965FE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FETOSHIBASOT463-XXF
на замовлення 712000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FE SOT463-XXFTOSHIBA
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FESOT463-XXFTOSHIBA
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FSTOSHIBA09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967TOSHIBA97+
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967/XXH
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.34 грн
100+14.94 грн
500+9.28 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FSTOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1969FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1969FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1969FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970FE
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]