Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT35GT120JU3 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT35GT120JU3 | MICROSEMI | SOT227/POWER MODULE - IGBT APT35 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT35SM70B | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 700V 35A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT35SM70S | Microsemi Corporation | Description: SICFET 700V 35A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36GA60B | Microchip Technology | IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247 | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36GA60B | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 65A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns Switching Energy: 307µJ (on), 254µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 109 A Power - Max: 290 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36GA60BD15 | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 65A 290W TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36GA60BD15 | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36GA60SD15 | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 65A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 19 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D3Pak IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns Switching Energy: 307µJ (on), 254µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 109 A Power - Max: 290 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36GA60SD15 | Microchip Technology / Atmel | IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-268 | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36N90BC3G | MICROSEMI | TO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT36 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36N90BC3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7463 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT36N90BC3G | Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - CoolMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37F50B | MICROSEMI | TO-247AD/37 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT37F50 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37F50B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 37A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5710 pF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT37F50B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 37 A TO-247 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37F50S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5710 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37F50S | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37M100B2 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 8 1000 V 37 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37M100B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37M100B2 | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247 T-MAX | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37M100L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT37M100L | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 8 1000 V 37 A TO-264 | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F50J | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS8 500 V 38 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F50J | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F50J | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F80B2 | MICROSEMI | TO247/41 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38F80 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F80B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT38F80B2 | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-247 MAX | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F80B2 Код товару: 125002
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||
| APT38F80B2 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 800V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT38F80B2 | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F80L | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38F80L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 41A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 (L) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT38M50J | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38M50J | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38M50J | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS8 500 V 38 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38MMCLR | PRO POWER | Description: PRO POWER - APT38MMCLR - PACKAGING TAPE PP 38MM X 66M tariffCode: 39191080 productTraceability: No SVHC: To Be Advised rohsCompliant: NA euEccn: NLR Rollenlänge - imperial: 216ft isCanonical: Y hazardous: false Bandbreite - Imperial: 1.49" rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Rollenlänge - metrisch: 66m Bandbreite - Metrisch: 38mm Klebebandfarbe: Transparent Produktpalette: Pro Power - Clear Packaging Tapes | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Power dissipation: 278W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Pulsed drain current: 112A Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60BC6 | MICROSEMI | TO-247/38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38N60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 38 A TO-247 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60SC6 | MICROSEMI | D3 [S] кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60SC6 | Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - CoolMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 74 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT38N60SC6 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT39F60J | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS8 600 V 39 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT39F60J | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT39F60J | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT39M60J | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS8 600 V 39 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT39M60J | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT39M60J | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4012BVR | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4012BVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4012BVRG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4014BVFRG | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS5 400 V 14 Ohm TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4014BVFRG | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 400V, TO-247, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4014BVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4014HVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4015AVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4016BN | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4016BVFRG | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4016BVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4016BVRG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V TO-247 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4018BN | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4018HVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4020AN | APT | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| APT4020BN | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4020BVFRG | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 400V, TO-247, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT4020BVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4025BN | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4030CNR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT4065BNG | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DC120HJ | MICROSEMI | ISOTOP-4/40 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, BRIDGE RECTIFIER DIODE APT40DC120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DC120HJ | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DC60HJ | Microsemi Power Products Group | Description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DC60HJ | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ100BCTG | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ100BG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1000 V 40 A TO-247 | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ100BG | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT40DQ100BG | Microsemi | Diode Switching 1KV 40A 2-Pin(2+Tab) TO-247 RoHS Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | Description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ120BG | MICROSEMI | TO-247/40 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT40DQ120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ120BG | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes FRED DQ 1200 V 40 A TO-247 | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ120BG | Microchip Technology | Description: DIODE GP 1.2KV 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT40DQ120SG | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: D3Pak Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT40DQ60B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT40DQ60BCT | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT40DQ60BCTG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ60BCTG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ60BCTG | Microchip Technology | Description: DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT40DQ60BG | MICROSEMI | TO247/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT40DQ60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ60BG | Microchip Technology | Description: DIODE STD 600V 40A TO247 [B] Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 1803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| APT40DQ60BG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247 | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ60BGVAO | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DQ60S | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT40DR160HJ | Microchip Technology | Bridge Rectifiers PM-DIODE-RECTIFIER-SOT227 | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| APT40DR160HJ | Microchip Technology | Description: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: SOT-227 Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV Current - Average Rectified (Io): 40 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|