Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN4008LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 15792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.18 грн
100+33.02 грн
500+24.05 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.82 грн
10+49.22 грн
100+28.23 грн
500+22.37 грн
1000+20.23 грн
2000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.05 грн
4000+19.55 грн
6000+18.69 грн
10000+16.63 грн
14000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 1810pF 37nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
на замовлення 49050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.87 грн
100+25.64 грн
500+18.79 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.60 грн
4000+12.88 грн
6000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF
на замовлення 11606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.20 грн
10+40.57 грн
100+24.51 грн
500+19.12 грн
1000+15.60 грн
2000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.03 грн
500+16.38 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
на замовлення 56722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
10+32.16 грн
100+21.35 грн
500+15.29 грн
1000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.02 грн
24+33.99 грн
100+23.03 грн
500+16.38 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
на замовлення 5670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
11+29.29 грн
100+18.85 грн
500+14.70 грн
1000+12.01 грн
3000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+11.53 грн
9000+11.00 грн
15000+10.03 грн
21000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
на замовлення 11587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+37.07 грн
100+22.37 грн
500+18.64 грн
1000+15.88 грн
2500+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181 pF @ 20 V
на замовлення 76141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+34.33 грн
100+23.56 грн
500+17.50 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.83 грн
5000+14.14 грн
7500+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes INC.2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1060 @ 20, Qg, нКл = 19,1 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
на замовлення 15069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
12+28.50 грн
100+20.16 грн
500+19.33 грн
1000+18.50 грн
2500+17.67 грн
5000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13DiodesTrans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
на замовлення 44044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+30.06 грн
25+26.92 грн
100+22.08 грн
250+20.56 грн
500+19.64 грн
1000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.73 грн
16+53.48 грн
100+36.57 грн
500+28.72 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.02 грн
5000+18.76 грн
7500+18.51 грн
12500+17.10 грн
17500+16.95 грн
25000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.57 грн
500+28.72 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.83 грн
5000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13DIODES/ZETEX2N-MOSFET 40V 7A 24mΩ 1.3W DMN4026SSDQ-13 Diodes TDMN4026ssdq
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+58.48 грн
25+55.52 грн
100+42.80 грн
250+40.01 грн
500+35.35 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.16 грн
10+53.75 грн
100+36.17 грн
500+31.69 грн
1000+25.13 грн
2500+24.30 грн
5000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+73.04 грн
100+41.77 грн
500+32.79 грн
1000+28.79 грн
2500+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.58 грн
100+34.72 грн
500+25.39 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.30 грн
10+34.69 грн
100+21.06 грн
500+16.57 грн
1000+16.50 грн
2500+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.06 грн
808+17.56 грн
1000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
10+40.53 грн
100+30.24 грн
500+22.30 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K
на замовлення 9611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+39.46 грн
100+22.30 грн
500+11.18 грн
2500+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 265000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+21.71 грн
724+19.60 грн
731+19.40 грн
790+17.30 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+23.26 грн
500+18.47 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 40V 20Vgss 20A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.90 грн
10+43.27 грн
100+26.09 грн
500+21.75 грн
1000+18.57 грн
2500+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 24.8A; 2.14W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 2.14W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.46 грн
100+37.42 грн
500+27.44 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+79.23 грн
100+45.49 грн
500+36.04 грн
1000+32.03 грн
2500+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.64 грн
5000+15.43 грн
7500+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+57.08 грн
100+32.72 грн
500+25.47 грн
1000+23.13 грн
2500+20.57 грн
5000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 62930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+42.03 грн
100+28.64 грн
500+21.52 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4035L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4035L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4035L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4035L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4035L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4035L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V
на замовлення 92503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+21.09 грн
100+13.40 грн
500+9.44 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4035L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]