Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN3731UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010-3 T&R 5K
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7RDiodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V X2-DFN1010-3 T&R 5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFR4-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010-3 T&R 5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732U-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7Diodes Zetex30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes Zetex30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
22+13.76 грн
100+6.70 грн
500+5.25 грн
1000+3.64 грн
2000+3.16 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.23 грн
30000+3.06 грн
50000+2.75 грн
100000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 30565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
19+16.53 грн
100+8.05 грн
500+6.30 грн
1000+4.38 грн
2000+3.80 грн
5000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-7Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.1A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-7Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVT-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3732UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN38M1SCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3415
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1914pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN3415-10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 15043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 740000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
на замовлення 14073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+21.02 грн
100+13.32 грн
500+9.40 грн
1000+8.39 грн
2000+7.55 грн
5000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 390mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN39M1LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 89.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2253 pF @ 15 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+36.80 грн
100+25.25 грн
500+18.78 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.18 грн
100+33.02 грн
500+24.05 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 74nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 74nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 15792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.18 грн
100+33.02 грн
500+24.05 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.05 грн
4000+19.55 грн
6000+18.69 грн
10000+16.63 грн
14000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 1810pF 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
на замовлення 49050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.87 грн
100+25.64 грн
500+18.79 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.60 грн
4000+12.88 грн
6000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF
на замовлення 11606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7-01Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7-01Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
на замовлення 56722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
10+32.16 грн
100+21.35 грн
500+15.29 грн
1000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+11.53 грн
9000+11.00 грн
15000+10.03 грн
21000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
на замовлення 5670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181 pF @ 20 V
на замовлення 76141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+34.33 грн
100+23.56 грн
500+17.50 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181 pF @ 20 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.83 грн
5000+14.14 грн
7500+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
на замовлення 11587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
на замовлення 15069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes INC.2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1060 @ 20, Qg, нКл = 19,1 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13DiodesTrans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+58.48 грн
25+55.52 грн
100+42.80 грн
250+40.01 грн
500+35.35 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13DIODES/ZETEX2N-MOSFET 40V 7A 24mΩ 1.3W DMN4026SSDQ-13 Diodes TDMN4026ssdq
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.83 грн
5000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4026SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.58 грн
100+34.72 грн
500+25.39 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4027SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.