Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP80N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N08S2L07AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80N08S406AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 75/80V | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N08S406AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80N08S406AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm | на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N08S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80N08S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 92306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80P03P4-05 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -80A TO220-3 | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L-07 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -80A TO220-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 137 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Drain current: -80A Power dissipation: 137W Case: TO220 Gate-source voltage: -16...5V Kind of channel: enhancement | на замовлення 29740 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon | Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P03P4L07AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4-05 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4-07 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P407AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4L-06 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A TO220-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4L06AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80P04P4L08AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K2P7 | Infineon | N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K2P7 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K2P7 | Infineon Technologies | Description: IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | на замовлення 75775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Version: ESD | на замовлення 322 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80R1K2P7XKSA1 - IPP80R1K2 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 462 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K4P7 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 800V 4A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K4P7 | Infineon Technologies | Description: IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K4P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R1K4P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R280P7 | Infineon / IR | MOSFET LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.6A Power dissipation: 101W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R280P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 101W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R360P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 84W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Version: ESD Kind of package: tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 84W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R450P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R450P7 | Infineon / IR | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | Infineon | N-channel, 800V, 11A, TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 73W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 29A Version: ESD | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R450P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 73W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R600P7 | Infineon Technologies | Description: IPP80R600 - 800V COOLMOS N-CHANN | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R600P7XKSA1 Код товару: 183982
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R600P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R750P7 | Infineon Technologies | Description: IPP80R750 - 800V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V | на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | 800V CoolMOS P7 Power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R750P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R750P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A Power dissipation: 51W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R900P7 | Infineon Technologies | Description: IPP80R900 - 800V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R900P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | на замовлення 10297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP80R900P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 770mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP90N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP90N04S402AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP90N06S4-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP90N06S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP90N06S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP90N06S404AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP90N06S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |