Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMT064N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.10 грн
10+398.98 грн
100+318.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HonsemiMOSFETs 650V 64MOHM MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+478.77 грн
50+409.09 грн
100+330.25 грн
250+323.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT080N60S5onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3029 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 272W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.54 грн
10+402.04 грн
100+321.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.87 грн
5+506.40 грн
10+425.93 грн
50+360.79 грн
100+300.29 грн
250+298.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+272.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HonsemiMOSFETs SF3 FAST 95MOHM PQFN88
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+252.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 11841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.08 грн
10+404.87 грн
100+298.31 грн
500+279.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT100N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2616 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.16 грн
250+238.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.46 грн
10+398.98 грн
100+293.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 110MOHM PQFN88
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFONN
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.75 грн
5+383.66 грн
10+327.58 грн
50+283.80 грн
100+243.16 грн
250+238.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2037 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3HonsemiMOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.17 грн
10+282.87 грн
100+212.97 грн
500+187.19 грн
1000+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TDFN4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Case: TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 22620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.51 грн
10+343.96 грн
100+251.00 грн
500+227.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 192W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+212.97 грн
500+187.19 грн
1000+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+205.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5HonsemiMOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HONN
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 129W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.50 грн
500+133.60 грн
1000+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 16A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.19 грн
10+147.94 грн
100+145.50 грн
500+133.60 грн
1000+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 129W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HonsemiMOSFETs SF3 FAST 190MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+197.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.09 грн
500+181.15 грн
1000+163.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.98 грн
10+276.37 грн
100+208.09 грн
500+181.15 грн
1000+163.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.26 грн
10+332.26 грн
100+242.07 грн
500+218.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGonsemiMOSFETs T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 398.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
10+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 398.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.33 грн
10+619.39 грн
25+613.45 грн
100+585.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGON Semiconductor
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+619.39 грн
25+613.45 грн
100+585.81 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.36 грн
10+185.00 грн
100+130.23 грн
500+103.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 376 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8705, Qg, нКл = 113, Rds = 0,91, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 244, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGonsemiMOSFETs T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
на замовлення 6658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MCON SemiconductorMOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MConsemiDescription: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.13 грн
10+329.99 грн
100+240.19 грн
500+215.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 3577A
Power dissipation: 208W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MConsemiDescription: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+221.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 5186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.29 грн
10+364.41 грн
100+266.82 грн
500+244.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 341 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 553.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+128.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W
Gate charge: 163nC
On-state resistance: 0.4mΩ
Power dissipation: 122W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 553.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 900A
Case: Power88
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 553.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 341 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.53 грн
10+237.61 грн
100+169.67 грн
500+142.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88
Gate charge: 251nC
On-state resistance: 450µΩ
Power dissipation: 122W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 558A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 900A
Case: Power88
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.31 грн
10+237.98 грн
100+169.91 грн
500+142.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V SG NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGONN
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.18 грн
10+275.42 грн
100+198.27 грн
500+155.01 грн
1000+153.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGonsemiMOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+170.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2056 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]