Продукція > BSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
6000+6.85 грн
9000+6.49 грн
15000+5.71 грн
21000+5.48 грн
30000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.74 грн
900000+6.16 грн
1350000+5.73 грн
1800000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.27 грн
50+16.91 грн
250+12.52 грн
1000+7.43 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
6000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 53654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 197438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.44 грн
100+13.50 грн
500+9.46 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1InfineonTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.54 грн
1510+9.37 грн
1786+7.92 грн
2000+6.98 грн
9000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
6000+6.28 грн
9000+5.77 грн
15000+5.25 грн
21000+4.55 грн
30000+4.01 грн
75000+3.97 грн
150000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.91 грн
250+12.52 грн
1000+7.43 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NL6327XTInfineon technologies
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00420100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00420200000TE Connectivity / IntercontecStandard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00430200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00480100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00480200000TE Connectivity / IntercontecStandard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00550200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00580100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00580200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00590200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA107NN00810200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA108NN00420100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA108NN00420200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA108NN00430200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA108NN00480200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA108NN00580100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA108NN00580200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDA108NN00590200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDB10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC diode in TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDB10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.39 грн
1600+103.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDB10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.34 грн
10+192.70 грн
100+136.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDB10S65E6-XBournsSchottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD05G120E2Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+171.86 грн
100+120.41 грн
500+92.37 грн
1000+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD05G120E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD05G120E2Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD06G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.54 грн
500+64.91 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD06G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.59 грн
10+104.86 грн
100+84.54 грн
500+64.91 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD06G65E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A High Surge SiC diode in TO252
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD08G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 8A HIGH SURGE SIC TO252
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A LOW VF SIC TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
10+198.06 грн
100+160.23 грн
500+133.66 грн
1000+114.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+119.24 грн
5000+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH06G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH06G65E2Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
50+121.70 грн
100+100.14 грн
500+79.52 грн
1000+67.47 грн
2000+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH08G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH08G65E2Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
50+110.24 грн
100+100.70 грн
500+78.57 грн
1000+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH08G65E2-XBournsSchottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G120E2Bourns Inc.Description: DIODE SIC 1200V 10A TO220-2
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.39 грн
50+280.81 грн
100+240.69 грн
500+200.78 грн
1000+171.92 грн
2000+161.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G120E2BournsSiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G120E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDH10G120E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.42 грн
10+196.71 грн
100+191.02 грн
500+163.03 грн
1000+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.50 грн
10+111.36 грн
100+107.30 грн
500+95.10 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G65E2Bourns Inc.Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
50+162.58 грн
100+139.35 грн
500+116.24 грн
1000+99.53 грн
2000+93.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.60 грн
50+192.12 грн
100+164.69 грн
500+137.38 грн
1000+117.63 грн
2000+110.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDL10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in DFN8x8
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDL10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
10+186.58 грн
100+136.91 грн
500+108.02 грн
1000+106.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDL10S65E6BOURNSDescription: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
10+147.12 грн
100+121.11 грн
500+110.20 грн
1000+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDL10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDL10S65E6BOURNSDescription: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.11 грн
500+110.20 грн
1000+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDMC2201A90Sunbank / SouriauSunbank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDV10G120E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDV10G120E2Bourns Inc.Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.48 грн
10+341.39 грн
100+276.16 грн
500+230.37 грн
1000+197.26 грн
2000+185.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSDV10G120E2-XBournsBourns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20G120C2BOURNSDescription: BOURNS - BSDW20G120C2 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 22 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.39 грн
5+396.67 грн
10+325.14 грн
50+295.88 грн
100+267.54 грн
250+261.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20G120C2Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.32 грн
30+328.23 грн
120+322.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20G120C2BournsSiC Schottky Diodes 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20G120C2-XBournsBourns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20G65C2BOURNSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 1.2kV; 20A; TO247-3; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 1µA
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+389.26 грн
85+318.69 грн
200+312.82 грн
350+308.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20G65C2Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.72 грн
30+338.24 грн
120+302.65 грн
510+250.61 грн
1020+225.55 грн
2010+211.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20G65C2BournsSiC Schottky Diodes 650V each 10A High Surge Dual SiC schottky diode in TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20S65C6BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V each 10A Low Vf Dual SiC schottky diode in TO247-3
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20S65C6BOURNSDescription: BOURNS - BSDW20S65C6 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.24 грн
5+323.51 грн
10+238.98 грн
50+217.38 грн
100+196.48 грн
250+193.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDW20S65C6Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.18 грн
30+255.34 грн
120+237.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3