Продукція > FDP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemiMOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
10+146.13 грн
100+102.09 грн
800+74.19 грн
1600+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F102onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.58 грн
50+205.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.05 грн
500+238.08 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+160.54 грн
50+124.25 грн
100+105.63 грн
500+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 245W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08Bonsemi FET 60V 5.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Smart Power Module
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.52 грн
50+99.30 грн
100+84.04 грн
500+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 480A; 146W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 146W
Gate charge: 65.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemiMOSFETs Smart Power Module
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.58 грн
50+207.96 грн
100+190.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+259.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+171.71 грн
50+133.25 грн
100+113.42 грн
500+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.96 грн
50+106.97 грн
100+90.70 грн
500+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 767 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15Aonsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.30 грн
5+231.47 грн
10+202.95 грн
50+163.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.47 грн
100+208.70 грн
250+198.90 грн
500+185.08 грн
1000+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+158.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiMOSFETs 150V NChan PwrTrench
на замовлення 5031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.59 грн
78+182.39 грн
100+177.50 грн
500+160.33 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONS/FAIMOSFET 150V NChan PwrTrench Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.73 грн
10+179.58 грн
100+174.77 грн
500+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.13 грн
87+163.78 грн
100+159.73 грн
500+144.84 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.13 грн
10+163.78 грн
100+159.73 грн
500+144.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.17 грн
10+228.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.83 грн
10+235.57 грн
50+185.10 грн
100+158.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102
Код товару: 154614
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15Aonsemionsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.47 грн
50+199.58 грн
100+182.28 грн
500+142.63 грн
1000+137.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Drain current: 83A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.3mΩ
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+381.13 грн
5+261.66 грн
10+232.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+395.25 грн
40+360.84 грн
41+345.60 грн
100+291.52 грн
500+235.03 грн
1000+194.21 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+382.48 грн
41+345.26 грн
50+325.93 грн
100+264.34 грн
500+221.28 грн
800+187.15 грн
1000+177.13 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+383.37 грн
10+346.07 грн
50+326.70 грн
100+264.96 грн
500+221.80 грн
800+187.59 грн
1000+177.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.41 грн
50+116.98 грн
100+105.83 грн
500+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+187.57 грн
1000+155.50 грн
2000+155.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.63 грн
1000+142.28 грн
2000+141.85 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 11654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.07 грн
10+189.00 грн
50+147.33 грн
100+125.67 грн
500+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
50+152.01 грн
100+138.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+118.72 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10N60NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.