Продукція > FDP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08onsemiMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.83 грн
10+154.02 грн
100+120.81 грн
500+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 268W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ON SemiconductorFDP047N08-F10
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+265.78 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F10Fairchild SemiconductorDescription: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+233.16 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemiMOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.88 грн
10+144.79 грн
100+101.16 грн
800+73.51 грн
1600+69.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102onsemi / FairchildMOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F102onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08V_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08_F149onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.85 грн
50+204.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.76 грн
10+341.37 грн
25+145.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.61 грн
500+238.61 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONN
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.23 грн
10+109.56 грн
100+87.67 грн
500+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
50+101.05 грн
100+97.44 грн
500+83.01 грн
1000+76.12 грн
2000+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.81 грн
10+191.68 грн
100+125.64 грн
500+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.00 грн
10+139.72 грн
100+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08Bonsemi FET 60V 5.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.16 грн
50+92.89 грн
100+83.71 грн
500+63.44 грн
1000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemiMOSFETs Smart Power Module
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+98.44 грн
100+76.63 грн
500+61.72 грн
1000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102onsemi / FairchildMOSFETs Smart Power Module
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+88.92 грн
100+70.41 грн
500+61.16 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.68 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.04 грн
10+189.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.26 грн
50+180.49 грн
100+154.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP054N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+119.88 грн
100+99.41 грн
500+86.98 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+147.66 грн
1000+139.39 грн
10000+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.25 грн
50+139.00 грн
100+125.99 грн
500+96.83 грн
1000+89.95 грн
2000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.03 грн
10+159.47 грн
100+123.23 грн
500+97.97 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.79 грн
10+192.92 грн
50+97.34 грн
100+95.27 грн
250+91.82 грн
500+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 767 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+147.66 грн
100+101.48 грн
250+100.79 грн
500+75.25 грн
800+67.45 грн
5600+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP070AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.71 грн
10+169.24 грн
100+136.03 грн
500+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15Aonsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F032onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.62 грн
87+164.15 грн
100+160.08 грн
500+145.16 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.62 грн
10+164.15 грн
100+160.08 грн
500+145.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiMOSFETs 150V NChan PwrTrench
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+236.58 грн
100+161.54 грн
500+135.31 грн
1000+124.95 грн
2500+117.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.76 грн
10+229.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.97 грн
100+209.17 грн
250+199.34 грн
500+185.49 грн
1000+166.93 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+158.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+251.15 грн
78+182.79 грн
100+177.90 грн
500+160.69 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.28 грн
10+179.98 грн
100+175.16 грн
500+158.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONS/FAIMOSFET 150V NChan PwrTrench Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.65 грн
50+154.76 грн
100+140.76 грн
500+109.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.63 грн
10+313.30 грн
100+246.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102
Код товару: 154614
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A_F102onsemi / FairchildMOSFET 150V NChan PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15Aonsemionsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.13 грн
40+361.64 грн
41+346.37 грн
100+292.16 грн
500+235.55 грн
1000+194.64 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.80 грн
10+236.79 грн
100+215.04 грн
500+186.22 грн
1000+168.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemiMOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 10684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.92 грн
10+211.18 грн
100+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.87 грн
50+197.75 грн
100+180.61 грн
500+141.33 грн
1000+136.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.33 грн
41+346.03 грн
50+326.66 грн
100+264.93 грн
500+221.77 грн
800+187.57 грн
1000+177.53 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.23 грн
10+346.84 грн
50+327.42 грн
100+265.55 грн
500+222.29 грн
800+188.01 грн
1000+177.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.20 грн
50+115.90 грн
100+104.86 грн
500+80.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102onsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+148.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.37 грн
10+140.14 грн
100+119.20 грн
500+91.99 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+117.50 грн
100+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10FAIRCHILDTO-220 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+187.99 грн
1000+155.85 грн
2000+155.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 11789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.99 грн
50+151.82 грн
100+138.00 грн
500+106.78 грн
1000+99.48 грн
2000+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP090N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.01 грн
1000+142.60 грн
2000+142.17 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]