Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP20N06TSTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30onsemi / FairchildMOSFETs 300V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP22N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30ONS/FAIMOSFET N-CH 300V 21A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22P10FAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22P10onsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22P10_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.86 грн
2000+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25..ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.88 грн
50+106.55 грн
100+90.21 грн
500+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ON-SemiconductorP-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06
Код товару: 197511
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 13820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.14 грн
250+161.95 грн
500+148.65 грн
1000+134.78 грн
2500+118.86 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.95 грн
5+134.18 грн
10+109.86 грн
50+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.66 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06UMWDescription: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.01 грн
50+53.94 грн
100+45.14 грн
500+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06-SW82127ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06_SW82127Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080onsemi / FairchildMOSFET N-CH 400V 1.8A 5.8OHM
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 5.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.8Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60FSC09+
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60B
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.79 грн
10+100.42 грн
25+92.72 грн
100+83.08 грн
500+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60CONS/FAIN-Channel MOSFET 1.35A, 600V, ,TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60Consemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.42 грн
153+92.72 грн
165+86.15 грн
500+79.70 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60C
Код товару: 48426
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 180/8.5
товару немає в наявності
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60CON-SemiconductorN-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.52A; Idm: 9.6A; 85W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80ONS/FAI2.4A, 800V, N-Channel MOSFET,TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.29 грн
10+106.15 грн
100+95.16 грн
500+68.55 грн
1000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90
Код товару: 61646
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90ONS/FAIMOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2NA90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2NA90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40ON Semiconductor / FairchildMOSFET 400V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40-F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40-F080onsemi / FairchildMOSFET QF -400V 6.5OHM TO220
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40_F080Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
на замовлення 8275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2P40_F080ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06onsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06LON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP30N06L TFQP30n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N12V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+156.76 грн
1000+148.51 грн
10000+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20Consemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C_Qonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP33N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 27096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.61 грн
150+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP33N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP33N10ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.