Продукція > IDH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IDH09SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH09SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G120C5XKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G120C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G120C5XKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V
на замовлення 5283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.72 грн
10+225.30 грн
50+176.15 грн
100+150.44 грн
500+124.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 71A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2µA
Case: PG-TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+382.41 грн
68+210.04 грн
100+188.99 грн
500+178.08 грн
1000+147.64 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.41 грн
10+210.04 грн
100+188.99 грн
500+178.08 грн
1000+147.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5ZXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5ZXKSA2Infineon TechnologiesIDH10G65C5ZXKSA2
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5ZXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.95 грн
10+175.91 грн
100+166.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+345.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.00 грн
81+175.95 грн
100+166.04 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.27 грн
10+231.83 грн
100+212.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.34 грн
10+230.81 грн
50+180.59 грн
100+154.31 грн
500+127.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+417.27 грн
62+231.83 грн
100+212.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH10S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 10A, 36nC, TO-220
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 36
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10
Produktpalette: thinQ 2G 1200V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+627.37 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S120AKSA1 - IDH10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+894.59 грн
70+827.55 грн
200+792.93 грн
400+715.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S60CAKSA1 - IDH10S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+306.06 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CInfineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2InfineonDIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+604.21 грн
27+543.11 грн
28+510.01 грн
50+460.70 грн
100+397.03 грн
250+352.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+729.74 грн
27+532.57 грн
50+472.46 грн
100+427.76 грн
200+373.54 грн
500+333.87 грн
1000+313.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.96 грн
50+232.84 грн
100+212.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.09 грн
10+472.12 грн
25+456.84 грн
50+406.87 грн
100+353.51 грн
250+317.18 грн
500+286.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+550.45 грн
27+526.80 грн
50+506.72 грн
100+472.05 грн
250+423.83 грн
500+395.80 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5
Код товару: 165219
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2
Код товару: 177295
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.28 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
50+176.02 грн
100+160.32 грн
500+126.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.94 грн
10+263.57 грн
50+207.32 грн
100+177.59 грн
500+147.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1InfineonДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1
Код товару: 150354
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12S60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CInfineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.67 грн
10+356.41 грн
50+282.91 грн
100+243.31 грн
500+204.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AInfineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+639.59 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+970.47 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH15S120AKSA1 - IDH15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 16A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+309.24 грн
50+244.85 грн
100+210.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G120C5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G120C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.