Продукція > IDH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IDH10G120C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.53 грн
10+209.12 грн
100+154.67 грн
500+139.34 грн
1000+121.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G120C5XKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 71A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 89W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.82 грн
10+154.64 грн
100+121.93 грн
500+119.84 грн
1000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.82 грн
10+156.88 грн
100+142.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.53 грн
50+154.90 грн
100+140.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.35 грн
50+139.94 грн
100+133.72 грн
500+121.72 грн
1000+102.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.55 грн
101+140.13 грн
106+133.91 грн
500+121.88 грн
1000+103.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5ZXKSA1Rochester Electronics, LLCDescription: IDH10G65C5X - 650V SILICON CARBI
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5ZXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5ZXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5ZXKSA2Infineon TechnologiesIDH10G65C5ZXKSA2
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.91 грн
10+192.64 грн
100+174.76 грн
500+133.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
50+160.23 грн
100+145.61 грн
500+112.59 грн
1000+104.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.77 грн
10+172.27 грн
100+135.86 грн
500+112.17 грн
1000+109.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.16 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+894.59 грн
70+827.55 грн
200+792.93 грн
400+715.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S120AKSA1 - IDH10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+685.23 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+627.37 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S120AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH10S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 10A, 36nC, TO-220
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 36
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10
Produktpalette: thinQ 2G 1200V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+306.06 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10S60CAKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S60CAKSA1 - IDH10S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+330.83 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CInfineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.67 грн
10+209.12 грн
100+169.30 грн
500+144.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+729.74 грн
27+532.57 грн
50+472.46 грн
100+427.76 грн
200+373.54 грн
500+333.87 грн
1000+313.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.99 грн
10+229.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.09 грн
10+472.12 грн
25+456.84 грн
50+406.87 грн
100+353.51 грн
250+317.18 грн
500+286.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2InfineonDIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.29 грн
50+223.85 грн
100+204.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2Infineon Technologies3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+604.21 грн
27+543.11 грн
28+510.01 грн
50+460.70 грн
100+397.03 грн
250+352.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+550.45 грн
27+526.80 грн
50+506.72 грн
100+472.05 грн
250+423.83 грн
500+395.80 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5
Код товару: 165219
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.72 грн
10+193.10 грн
100+152.58 грн
500+143.53 грн
1000+132.38 грн
2500+124.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+395.86 грн
10+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.28 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
50+176.02 грн
100+160.32 грн
500+126.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2
Код товару: 177295
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1InfineonДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.58 грн
50+189.84 грн
100+173.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1
Код товару: 150354
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.70 грн
10+153.84 грн
100+132.38 грн
500+109.39 грн
1000+107.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.66 грн
10+269.86 грн
100+168.26 грн
500+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12S60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CInfineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2202
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.71 грн
10+487.95 грн
25+228.53 грн
100+216.68 грн
500+176.97 грн
1000+175.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.29 грн
10+285.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.23 грн
50+222.28 грн
100+203.39 грн
500+159.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AInfineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+639.59 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+935.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH15S120AKSA1 - IDH15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+980.29 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 16A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.34 грн
50+228.91 грн
100+209.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G120C5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.64 грн
10+282.87 грн
100+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G120C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.12 грн
10+245.98 грн
100+195.78 грн
500+190.21 грн
1000+169.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 105A
Leakage current: 3.2µA
Power dissipation: 129W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.99 грн
10+373.91 грн
100+197.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.76 грн
50+234.88 грн
100+227.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.70 грн
50+261.86 грн
100+239.88 грн
500+188.98 грн
1000+186.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.76 грн
61+234.88 грн
100+227.80 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.36 грн
10+235.56 грн
100+185.33 грн
500+160.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C6Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]