Продукція > IDW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G120C5B | на замовлення 13200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IDW40G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5B | Infineon Technologies | Description: IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 650V 20A PGTO2473 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 40A PGTO24731 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon | DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 8.2µA Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 112W Load current: 40A Max. forward impulse current: 153A Max. off-state voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473 Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 40A Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 3784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW50E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW50E60FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW50E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 80A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW60C65D1 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW60C65D1 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 166 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW60C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 66 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 66ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 30A TO247-3 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 66 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75D65D1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 150A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 108 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon | DIODE STD 650V 150A PGTO2473 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW75D65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 150 A, Einfach, 1.7 V, 108 ns, 580 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 580A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 108ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 75A | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75E60 | INFINEON | MODULE | на замовлення 100092 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW75E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 120 A, Einfach, 2 V, 220 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 220A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW75 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Випрямний діод вивідний, Io, A = 120, Uзвор, В = 600, Uf (max), В = 2, If, А = 75, trr, нс = 500, Р, Вт = 170, Тексп, °C = -55...+175, I, мкА @ Ur, В = 40 @ 600,... Діоди Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 30 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 120A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW75E60FKSA1 | Infineon | 600V 75A TO-247 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW80C65D1 | Infineon technologies | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; Ifsm: 320A; Ufmax: 1.7V; Ir: 40uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 80A Semiconductor structure: common cathode Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 0.32kA Reverse recovery time: 77ns Leakage current: 40µA | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW80C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW80C65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 77 ns, 320 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 77ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 36ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW80C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW80C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 36 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 36ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD100E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD100E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 146 A, Einfach, 3 V, 205 ns, 329 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 329A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 205ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 146A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD100E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD100E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 146A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 205 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 146A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 150A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers INDUSTRY 14 | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 18240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | на замовлення 3149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 34A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD10G120C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD10G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G200C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD10G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 35 A, 89 nC, TO-247 tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 89nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD10G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2 kV | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD120E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1200V 177A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 215 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 177A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD120E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes Y | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers Y | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD120E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD120E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 150 A, Einfach, 2.1 V, 98 ns, 400 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 98ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD140E120D7XKSA1 | Infineon | DIODE STD 1200V 207A PGTO24722 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD140E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD140E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 207 A, Einfach, 3 V, 225 ns, 462 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 462A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 225ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 207A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD140E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 207A PGTO24722 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 140 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Current - Average Rectified (Io): 207A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 225 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD140E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 97 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers Y | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD150G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD150G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 8485pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 343A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 1.2 kV | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 17280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

