Продукція > NGT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB35N65FL2WG | onsemi | IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL2 | onsemi | onsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, 1200 VField Stop II, 40 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | onsemi | Description: IGBT FS 1200V 160A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 536 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG Код товару: 171155
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | ON Semiconductor | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Gate charge: 313nC | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | On Semiconductor | IGBT 1200V 80A TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | onsemi | IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL2WG Код товару: 165841
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ONN | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120FL2WG - IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 535 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL3 | onsemi | onsemi IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 21210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 136 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/145ns Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 212 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W | на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG Код товару: 133614
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 454 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 160 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 212nC | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | onsemi | IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS | на замовлення 2549 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 21210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | On Semiconductor | IGBT 1200V 160A TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FLWG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, 1200 V, 40 A, FS1 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Power - Max: 260 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 415 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.6mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 130ns/385ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Power - Max: 260 W Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Gate Charge: 420 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Switching Energy: 1.4mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/360ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Power - Max: 384 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 225 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 950µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/230ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | On Semiconductor | IGBT 1200V 120A TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 7725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 454 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 160 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120L3WG | onsemi | IGBTs IGBT, Ultra Field stop - 1200V 40A, Low VCEsat | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120L3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 86 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/150ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120L3WG Код товару: 166585
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120LWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS1 Gen Mkt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Part Status: Obsolete Gate Charge: 420 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 5.5mJ (on), 1.4mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 140ns/360ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 260 W Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120S | onsemi | onsemi FSII 40A 1200V WELDING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120S3 | onsemi | onsemi IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120S3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120S3WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N120S3WG | ON Semiconductor | на замовлення 9034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120S3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 163 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 212 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120S3WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120SWG | On Semiconductor | IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 1200V 80A TO-247-3 Power - Max: 535 W Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 313 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120SWG Код товару: 162412
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N120SWG | onsemi | IGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N120SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N135IHR | onsemi | onsemi 1350V/40A IGBT FSII TO-24 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247 Power - Max: 394 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Gate Charge: 234 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1.3mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/250ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N135IHRWG Код товару: 168994
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35 Verlustleistung: 394 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/250ns Switching Energy: 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | на замовлення 97876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1350V/40A IGBT FSII TO-24 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N60FL2 | onsemi | onsemi 600V/40A FAST IGBT FSII T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 366 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60FL2WG Код товару: 171527
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | onsemi | IGBTs 600V/40A FAST IGBT FSII T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60FLWG | On Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 600V 40A FS1 Solar/UPS Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60FLWG | onsemi | IGBTs IGBT 600V 40A FS1 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 85ns/174ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 257 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 171 nC Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 890µJ (on), 440µJ (off) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns Switching Energy: 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns Switching Energy: 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W | на замовлення 451312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | на замовлення 3570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N60L2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 228 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 417 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG - 600V-40A FAST IGBT FSII T tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N60L2WG. | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 417 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 366 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 366 W | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 183W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | On Semiconductor | IGBT 650V 80A 366W TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | onsemi | IGBTs 650V/40A FAST IGBT FSII T | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 465 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/140ns Switching Energy: 360µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 300 W | на замовлення 10625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 465 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/140ns Switching Energy: 360µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 300 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 405W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 74703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | onsemi | IGBTs 650V/40A MONOLITHIC RC IG | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 74703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

