Продукція > PJM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJMF120N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.66 грн
10+259.19 грн
50+203.84 грн
100+174.58 грн
500+145.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Case: ITO220AB
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
10+167.71 грн
50+129.64 грн
100+110.14 грн
500+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 63A; 14W; ITO220AB
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 14W
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 20A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
50+86.85 грн
100+78.09 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 190mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
50+119.10 грн
100+107.62 грн
500+82.12 грн
1000+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.49 грн
50+85.26 грн
100+76.72 грн
500+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.02 грн
10+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 13.8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 41.4A
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+90.57 грн
50+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
50+66.04 грн
100+59.16 грн
500+44.20 грн
1000+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 13.8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+108.84 грн
50+82.51 грн
100+69.47 грн
500+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001PanJitPJMF280N65E1_T0_00001
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.83 грн
10+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 280mohm Super Junction Easy versio
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF310N65EC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 360MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.40 грн
100+53.52 грн
500+39.83 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 769 pF @ 400 V
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+124.31 грн
100+85.72 грн
500+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy versio
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.67 грн
10+71.29 грн
50+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.65 грн
100+53.02 грн
500+39.45 грн
1000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+68.91 грн
50+51.60 грн
100+43.15 грн
500+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 580mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+97.37 грн
100+77.52 грн
500+61.56 грн
1000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 600mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.40 грн
100+53.48 грн
500+39.79 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.70 грн
100+36.83 грн
500+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 400 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.22 грн
100+62.99 грн
500+46.96 грн
1000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.99 грн
100+37.75 грн
500+27.68 грн
1000+25.18 грн
2000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Power dissipation: 22.5W
Gate charge: 9.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: ITO220AB
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 9.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 42mO / 69A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V 42mohm 69A SJ MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.91 грн
30+612.36 грн
60+565.92 грн
120+494.47 грн
510+452.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AD-3
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 58.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.64 грн
30+277.48 грн
60+252.93 грн
120+217.96 грн
510+186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCPanjitMOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCPanjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 53A N-CH SUPER J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 53A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.50 грн
30+224.72 грн
120+190.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.69 грн
10+245.08 грн
30+222.64 грн
120+190.09 грн
270+189.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 74mΩ
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Gate charge: 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.01 грн
30+187.01 грн
60+169.26 грн
120+144.84 грн
510+122.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.02 грн
30+289.41 грн
60+263.89 грн
120+227.48 грн
510+195.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH105N60FRC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mO / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 30A N-CH SUPER J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.