Продукція > PJM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJMF190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.87 грн
50+114.44 грн
100+103.40 грн
500+78.90 грн
1000+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+90.50 грн
100+69.72 грн
500+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
50+83.87 грн
100+75.46 грн
500+56.99 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.14 грн
10+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 13.8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+89.74 грн
50+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
50+63.36 грн
100+56.74 грн
500+42.35 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+151.63 грн
100+91.12 грн
500+75.94 грн
1000+71.11 грн
2000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 13.8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
50+73.71 грн
100+66.10 грн
500+49.49 грн
1000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.19 грн
10+122.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 280mohm Super Junction Easy versio
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF310N65EC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 360MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.75 грн
100+53.07 грн
500+39.49 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 769 pF @ 400 V
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.61 грн
10+120.41 грн
100+83.01 грн
500+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF380N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy versio
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+103.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.93 грн
100+52.54 грн
500+39.09 грн
1000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 8A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
50+49.51 грн
100+44.11 грн
500+32.50 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 580mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+111.94 грн
100+65.93 грн
500+52.95 грн
1000+47.50 грн
2000+44.32 грн
4000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+96.48 грн
100+76.81 грн
500+60.99 грн
1000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+61.21 грн
100+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 600mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+104.79 грн
100+72.49 грн
250+66.76 грн
500+60.61 грн
1000+54.88 грн
2000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.68 грн
100+52.99 грн
500+39.43 грн
1000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.80 грн
10+93.68 грн
100+54.26 грн
500+44.46 грн
1000+40.25 грн
2000+34.17 грн
4000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.52 грн
100+36.05 грн
500+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+146.08 грн
100+91.12 грн
500+80.77 грн
1000+71.80 грн
2000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 400 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.36 грн
100+62.41 грн
500+46.53 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF900N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+93.68 грн
100+56.19 грн
500+47.56 грн
1000+41.21 грн
2000+35.00 грн
4000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
10+56.16 грн
100+35.40 грн
500+25.92 грн
1000+23.57 грн
2000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
On-state resistance: 990mΩ
Power dissipation: 22.5W
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 42mO / 69A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH042N60FRC_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V 42mohm 69A SJ MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.15 грн
30+607.17 грн
120+522.44 грн
510+449.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.82 грн
30+275.14 грн
120+230.27 грн
510+185.25 грн
1020+174.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCPanjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCPanjitMOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.89 грн
10+470.78 грн
120+336.89 грн
510+300.30 грн
1020+287.87 грн
2520+280.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 53A N-CH SUPER J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 53A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.41 грн
30+217.63 грн
120+184.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.86 грн
10+237.37 грн
30+215.61 грн
120+184.09 грн
270+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
10+323.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 74mΩ
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.82 грн
30+231.69 грн
120+192.74 грн
510+154.07 грн
1020+144.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
30+219.90 грн
120+185.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.61 грн
10+238.17 грн
120+200.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH105N60FRC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mO / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 30A N-CH SUPER J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+143.96 грн
30+129.73 грн
120+109.82 грн
270+104.72 грн
510+101.46 грн
1020+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.79 грн
10+184.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mO / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO247AD-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO247AD-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V 125mohm 30A SJ MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.37 грн
30+234.16 грн
120+195.30 грн
510+156.55 грн
1020+153.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 20.6A N-CH SUPER J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.18Ω
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 160W
Pulsed drain current: 62A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+126.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+95.58 грн
30+85.71 грн
120+72.10 грн
270+68.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
30+146.31 грн
120+119.78 грн
510+94.13 грн
1020+87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 40V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 40mOhms / 71A/ Easy to driver SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V/ 40M / 71A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.22 грн
10+684.75 грн
30+630.63 грн
120+546.55 грн
270+527.17 грн
510+514.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 74V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]