Продукція > PJQ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJQ44609AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44609AP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44609AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.63 грн
100+25.74 грн
500+18.54 грн
1000+16.72 грн
2000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4460AP-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4460AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
11+28.08 грн
100+19.52 грн
500+14.30 грн
1000+11.62 грн
2000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4460AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4460AP_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44611AP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44611AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.83 грн
100+21.16 грн
500+15.12 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ44611AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V P-Channel Enhance Mode MSFT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.2A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.2A
Gate-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.34 грн
100+24.89 грн
500+17.90 грн
1000+16.14 грн
2000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS44/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.45 грн
10000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP_R2_00001PanjitMOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS12/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 7808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.51 грн
100+21.60 грн
500+15.46 грн
1000+13.90 грн
2000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.2A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.2A
Gate-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4464AP-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4464AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4464AP-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; DFN3333-8
Polarisation: unipolar
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4464AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.23 грн
100+31.69 грн
500+23.08 грн
1000+20.93 грн
2000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4464AP_R2_00001PanjitMOSFET /4464/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS27/PJQ4464AP-ASJ5/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.34 грн
100+24.89 грн
500+17.90 грн
1000+16.14 грн
2000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15A; Idm: -60A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 20W
Pulsed drain current: -60A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 65mΩ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466AP-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.77 грн
10000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466AP_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.44 грн
100+21.66 грн
500+15.55 грн
1000+14.01 грн
2000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466P_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP-AU-R2PanjitMOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP-R2-00001PanjitMOSFETs DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
100+21.10 грн
500+15.08 грн
1000+13.56 грн
2000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.31 грн
100+48.27 грн
500+35.60 грн
1000+32.48 грн
2000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP_R2_00001PanjitMOSFET /4476/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-100FQMN//PJ/DFN33338L-AS35/PJQ4476AP-ASN4/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4524P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4524P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4524P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4526P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4526P_R2_00201PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4528P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4530P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4544S6P-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4544S6VP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+48.76 грн
100+37.88 грн
500+30.13 грн
1000+24.55 грн
2000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 42W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+51.78 грн
100+40.31 грн
500+32.06 грн
1000+26.12 грн
2000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain current: 43A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 172A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+40.61 грн
100+27.98 грн
500+20.88 грн
1000+19.11 грн
2000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548S6P-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548S6VP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 12.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 160A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4564AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+62.12 грн
100+43.41 грн
500+32.88 грн
1000+30.30 грн
2000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4564AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4568AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+49.14 грн
100+34.04 грн
500+25.57 грн
1000+23.47 грн
2000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4568AP-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4568AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4574AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+76.38 грн
100+53.83 грн
500+41.08 грн
1000+38.00 грн
2000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4574AP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4574AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4576AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4576AP-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4576AP-AU_R2_002A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.18 грн
100+50.28 грн
500+37.18 грн
1000+33.96 грн
2000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4594P-AU_R2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 150V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4594P-AU_R2_002A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4602-R1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4602_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 17.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343pF @ 15V, 870pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4606-R1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4606_R1_00001PanjitMOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4606_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.6A 8DFN
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4670AP_R2_00201PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 148A; 15W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 15W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4848P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.57 грн
100+30.58 грн
500+22.25 грн
1000+19.61 грн
2000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4848P-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4848P-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.30 грн
10000+16.38 грн
15000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4848P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+44.76 грн
100+34.29 грн
500+25.44 грн
1000+20.35 грн
2000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4848P_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4848P_R2_00001PanjitMOSFET /4848/TR/13"/HF/5K/DFN3333B-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN3333B8L-AS01/PJQ4848P-ASC8/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]