Продукція > TPN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPN2R805PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
10+80.54 грн
100+50.18 грн
500+42.33 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.18 грн
500+42.33 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.81 грн
10000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 12518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+46.84 грн
100+26.92 грн
500+22.30 грн
1000+18.98 грн
5000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 24105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.99 грн
100+32.25 грн
500+23.51 грн
1000+21.33 грн
2000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
16+52.91 грн
100+37.29 грн
500+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.29 грн
500+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQToshibaMOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+76.45 грн
100+44.46 грн
500+35.00 грн
1000+31.96 грн
3000+29.48 грн
6000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.50 грн
100+40.18 грн
500+29.48 грн
1000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.25 грн
10+80.54 грн
100+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN302ST
на замовлення 77368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021STMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.48 грн
10+187.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021STMicroelectronicsDescription: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021STMicroelectronicsESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021STMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.38 грн
10+87.22 грн
50+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021RLSTMicroelectronicsDescription: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Hold (Ih): 30 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Off State: 28V
Voltage - Breakover: 38V
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacitance: 16pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021RLSTMicroelectronicsESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple
на замовлення 9837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+121.47 грн
100+94.58 грн
500+86.98 грн
1000+80.77 грн
2500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021RLSTMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.27 грн
10+165.81 грн
25+162.74 грн
100+126.45 грн
250+113.90 грн
500+95.53 грн
1000+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021RLSTMicroelectronicsDescription: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Hold (Ih): 30 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Off State: 28V
Voltage - Breakover: 38V
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacitance: 16pF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.64 грн
100+50.18 грн
500+37.24 грн
1000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021RLSTMicroelectronicsThyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021RLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.75 грн
10+198.93 грн
100+136.92 грн
500+116.67 грн
1000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3021RLSTMicroelectronicsCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: TSS; Urmax: 28V; SO8; SMD; 8A; bidirectional,triple
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: telecommunication
Technology: Trisil™
Type of thyristor: TSS
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 28V
Breakover voltage: 38V
Semiconductor structure: bidirectional; triple
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30B8BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1236.73 грн
3+1116.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1845.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30BE-2KBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2482.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30S10BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30S12BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
Type of clamping tool: clamp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3201RLST01+ SOP
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.61 грн
6000+28.33 грн
9000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 10179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+72.02 грн
100+48.15 грн
500+35.58 грн
1000+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQToshibaMOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
на замовлення 23129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+55.89 грн
100+33.07 грн
500+29.27 грн
3000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.02 грн
500+41.81 грн
1500+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.31 грн
50+85.37 грн
100+57.02 грн
500+41.81 грн
1500+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 28192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.31 грн
298+47.71 грн
326+43.50 грн
327+41.83 грн
500+31.52 грн
1000+28.20 грн
2000+27.99 грн
3000+26.54 грн
6000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.50 грн
10000+17.45 грн
15000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 15003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.58 грн
100+32.56 грн
500+23.70 грн
1000+21.49 грн
2000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.03 грн
500+30.21 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.47 грн
16+52.51 грн
100+35.03 грн
500+30.21 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.62 грн
10+91.01 грн
100+60.97 грн
500+38.29 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.97 грн
500+38.29 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQHL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R203NC,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
на замовлення 24775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
на замовлення 14966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.93 грн
10+56.21 грн
100+34.17 грн
500+29.55 грн
1000+26.99 грн
2500+26.23 грн
5000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
12+68.14 грн
100+45.42 грн
500+33.13 грн
1000+26.92 грн
5000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.42 грн
500+33.13 грн
1000+26.92 грн
5000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MDToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+51.83 грн
100+34.15 грн
500+24.92 грн
1000+22.62 грн
2000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1QToshibaMOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+37.81 грн
391+36.29 грн
500+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1QToshibaMOSFETs TSON N-CH 60V 72A
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+60.73 грн
100+33.96 грн
500+27.41 грн
1000+23.54 грн
2500+22.85 грн
5000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
на замовлення 9228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.44 грн
100+38.09 грн
500+27.95 грн
1000+25.45 грн
2000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.19 грн
500+44.05 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
10+84.57 грн
100+52.19 грн
500+44.05 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+58.99 грн
100+35.07 грн
500+35.00 грн
2500+33.21 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.99 грн
11+76.11 грн
100+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 19796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.79 грн
100+31.40 грн
500+22.87 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.97 грн
6000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+48.27 грн
100+28.23 грн
500+22.44 грн
1000+20.23 грн
3000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.01 грн
15+56.54 грн
100+37.21 грн
500+27.00 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.21 грн
500+27.00 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+67.53 грн
100+45.16 грн
500+33.37 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+61.21 грн
100+41.35 грн
500+32.72 грн
1000+29.62 грн
3000+25.20 грн
6000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.25 грн
10+80.54 грн
100+53.88 грн
500+39.34 грн
1000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.88 грн
500+39.34 грн
1000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R303NC,LQToshibaMOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R303NC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R303NC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 6313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.43 грн
100+40.11 грн
500+29.43 грн
1000+26.79 грн
2000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1QToshibaMOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ
на замовлення 20889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+47.71 грн
100+30.58 грн
500+25.68 грн
1000+23.54 грн
2500+22.85 грн
5000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.47 грн
288+49.28 грн
305+46.63 грн
500+42.06 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
12+68.86 грн
100+48.48 грн
500+33.13 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]