Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT40DS04HJ | Microsemi Power Products Group | Description: MOD DIODE 45V SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40DS10HJ | Microsemi Power Products Group | Description: MOD DIODE 100V SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GF120JRD | Microchip Technology | Description: IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®) Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 390 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40GF120JRD | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GF120JRDQ2 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GF120JRDQ2 | Microsemi Power Products Group | Description: IGBT 1200V 77A 347W SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GL120JU2 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GL120JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 220 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GL120JU3 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GL120JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 220 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GLQ120JCU2 | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GLQ120JCU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 312 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40GP60B2DF2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40GP60B2DQ2G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 100A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns Switching Energy: 385µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 543 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60B2DQ2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 40 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60BG | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60BG | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 543 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60BG | MICROSEMI | TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE APT40GP60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60F2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40GP60J | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60J | Microchip Technology | Description: IGBT 600V 86A 284W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 284 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.61 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60JDF2 | APT | POWER MOS 7 IGBT, 600 V, 86 A, SOT-227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60JDQ2 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 40 A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60JDQ2 | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 600V 86A 284W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 284 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.61 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60S | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40GP60SG | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP60SG | Microsemi Corporation | Description: IGBT PT 600V 100A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: D3Pak IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 543 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40GP90B2DF2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40GP90B2DQ2G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 101A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90B2DQ2G | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90B2DQ2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90BG | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90BG | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns Switching Energy: 825µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 145 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 543 W | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40GP90BG | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 900 V 40 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90J | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 68 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Power - Max: 284 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90JDF2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40GP90JDQ2 | MICROSEMI | кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90JDQ2 | Microchip / Microsemi | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90JDQ2 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GP90JDQ2 | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Power - Max: 284 W Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120B | Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120B | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 88A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40GR120B | MICROSEMI | Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120B2D30 | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 88A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40GR120B2D30 | MICROSEMI | TO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120B2D30 | Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247 MAX | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120B2SCD10 | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120B2SCD10 | Microsemi Corporation | Description: IGBT NPT 1200V 88A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/166ns Switching Energy: 929µJ (on), 1070µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120B2SCD10 | MICROSEMI | TO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120S | Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-268 | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120S | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 88A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: D3Pak IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GR120S | MICROSEMI | Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GT60BR | APT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT40GT60BRG | Microchip Technology | IGBTs FG, IGBT, 600V, 40A, TO-247, RoHS | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40GT60BRG | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 600V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns Switching Energy: 828µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 345 W | на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40M35JVFR | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M35JVFR | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M35JVR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 93A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 46.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1065 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20160 pF @ 25 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40M35JVR | Microchip Technology / Atmel | Discrete Semiconductor Modules MOSFET MOS5 400 V 35 mOhm ISOTOP | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M35JVR | APT | MFET, N-CH, 400 V, 93 A, 0.035 Om, SOT-227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M35JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS5 400 V 35 mOhm SOT-227 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M35PVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40M42JN | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M42JN | APT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT40M70JVFR | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70JVFR | MICROSEMI | ISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT40M70 кількість в упаковці: 10 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70JVR | APT | MFET, N-CH, 400 V, 53 A, 0.07 Om, SOT-227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 5 400 V 70 mOhm SOT-227 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70JVR | Microchip Technology / Atmel | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 400V, 0.070_OHM, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70JVR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 53A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70JVR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 400V 53A 4-Pin SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70LVFRG | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40M70LVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40M70LVRG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 400V 57A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 (L) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8890 pF @ 25 V | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT40M75JN | APT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT40M82WVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40M90JN | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| APT40N60BC7 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET FAST Superjunction 600 V 40 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60BC7 | Microchip Technology | Description: MOSFET FAST SUPERJUNCTION 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU2 | MICROSEMI | SOT227/POWER MODULE - COOLMOS APT40N60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU2 | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU3 | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40N60JCU3 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120B | Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120B | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 1200V 41A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120J | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120J | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - SiC | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120S | Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT40SM120S | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 1200V 41A D3PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41F100J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 25 V | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT41F100J | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 42A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41F100J | MICROSEMI | ISOTOP/N-Channel FREDFET APT41F100 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41F100J | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS8 1000 V 41 A SOT-227 | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41F100J(транзистор) Код товару: 61219
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT41M80B2 | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS8 800 V 41 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41M80B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT41M80L | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS8 800 V 41 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |