Продукція > APT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT40DC60HJMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DC60HJMicrosemi Power Products GroupDescription: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ100BCTGMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ100BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
100+135.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ100BGMicrosemiDiode Switching 1KV 40A 2-Pin(2+Tab) TO-247 RoHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ100BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1000 V 40 A TO-247
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ120BCTGMicrosemi CorporationDescription: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ120BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GP 1.2KV 40A TO247
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
100+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ120BGMicrochip TechnologySmall Signal Switching Diodes FRED DQ 1200 V 40 A TO-247
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
100+125.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ120BGMICROSEMITO-247/40 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT40DQ120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ120SGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: D3Pak
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.75 грн
100+205.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BCT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDescription: DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.86 грн
100+190.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
100+115.11 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BGMICROSEMITO247/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT40DQ60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STD 600V 40A TO247 [B]
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
100+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60BGVAOMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 40 A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DQ60S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DR160HJMicrochip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SOT-227
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.37 грн
100+1312.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DR160HJMicrochip TechnologyBridge Rectifiers PM-DIODE-RECTIFIER-SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1321.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DS04HJMicrosemi Power Products GroupDescription: MOD DIODE 45V SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40DS10HJMicrosemi Power Products GroupDescription: MOD DIODE 100V SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GF120JRDMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 390 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3162.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GF120JRDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GF120JRDQ2Microsemi Power Products GroupDescription: IGBT 1200V 77A 347W SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GL120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1527.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GL120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 220 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GL120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GL120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 65A 220W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 220 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GLQ120JCU2MicrosemiIGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GLQ120JCU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60B2DF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 40 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
Switching Energy: 385µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 543 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60BGMICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE APT40GP60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TO247
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 135 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60F2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60JMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 86A 284W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.61 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60JDF2APTPOWER MOS 7 IGBT, 600 V, 86 A, SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 600V 86A 284W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.61 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 40 A SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60SGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP60SGMicrosemi CorporationDescription: IGBT PT 600V 100A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 543 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90B2DF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90B2DQ2GMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 900V 101A 543W TMAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90BGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 100A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 145 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 825µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90JDF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 284 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90JDQ2Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90JDQ2MICROSEMIкількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120BMICROSEMIUltra Fast NPT - IGBT APT40GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120BMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 88A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120BMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30MICROSEMITO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 88A TO247-3
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30Microchip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247 MAX
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.08 грн
100+620.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2SCD10MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2SCD10MICROSEMITO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2SCD10Microsemi CorporationDescription: IGBT NPT 1200V 88A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/166ns
Switching Energy: 929µJ (on), 1070µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120SMICROSEMIUltra Fast NPT - IGBT APT40GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120SMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 88A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120SMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-268
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.82 грн
10+620.03 грн
25+506.02 грн
100+476.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GT60BRAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GT60BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 80A TO247
Power - Max: 345 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 828µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.78 грн
10+499.35 грн
25+440.14 грн
100+349.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GT60BRGMicrochip TechnologyIGBTs FG, IGBT, 600V, 40A, TO-247, RoHS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.59 грн
10+609.71 грн
25+505.33 грн
100+439.06 грн
500+381.76 грн
1000+358.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M35JVFRMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M35JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M35JVRMicrochip Technology / AtmelDiscrete Semiconductor Modules MOSFET MOS5 400 V 35 mOhm ISOTOP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5649.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M35JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 93A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 46.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1065 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20160 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5031.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M35JVRMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS5 400 V 35 mOhm SOT-227
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4858.96 грн
100+4136.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M35JVRAPTMFET, N-CH, 400 V, 93 A, 0.035 Om, SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M35PVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M42JNAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M42JNMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT40M70
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70JVFRMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 53A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8890 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3139.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70JVRMicrochip Technology / AtmelDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 400V, 0.070_OHM, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 400V 53A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70JVRMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS 5 400 V 70 mOhm SOT-227
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3045.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70JVRAPTMFET, N-CH, 400 V, 53 A, 0.07 Om, SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70LVFRGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 400V 57A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70LVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M70LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 57A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8890 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1599.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M75JNAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M82WVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40M90JN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40N60BC7Microchip TechnologyDescription: MOSFET FAST SUPERJUNCTION 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]