Продукція > Si3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3455ADV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455ADV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455DVVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455DVFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 9622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2061+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 2061 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455DV-T1VISHAYSOT163
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455DV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 63018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456-C01-GUSILICOM08+ TSSOP
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456-C02-GU
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456-C04-GUSILICON10+ BGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456-D01-GU
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456-D03-GU
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456-D04-GUSILICON
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456-D4-GU
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV-T1-E3VISHAY
на замовлення 106800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BV-T1
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456CDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456CDV-T1-E3
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.40 грн
100+14.89 грн
500+10.53 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
6000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 N-CH 30V 5A
на замовлення 46790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3
Код товару: 111058
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.40 грн
100+14.89 грн
500+10.53 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
6000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3456DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.25 грн
500+11.85 грн
1500+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
30000+12.40 грн
45000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 98637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.62 грн
100+15.01 грн
500+10.61 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3456DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.98 грн
50+22.52 грн
100+13.25 грн
500+11.85 грн
1500+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3
Код товару: 111000
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 16270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
6000+7.82 грн
9000+7.43 грн
15000+6.56 грн
21000+6.31 грн
30000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDYVISHAY
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DVFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 27130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DVFAIRCHILDSOT23-6
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DVONSEMIDescription: ONSEMI - SI3456DV - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DV-T1VISHAY
на замовлення 69166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DV-T1-E3VISHAYSOT163
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457VISHAY
на замовлення 7218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457/574ANIR
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDVVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDV-T1TI04+ SOT-323
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 16672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDY-T1
на замовлення 26985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDY-T1(7BDAF)
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+30.87 грн
100+21.45 грн
500+15.72 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-BE3
Код товару: 189371
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 4.1A
на замовлення 8491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 62392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
11+28.83 грн
100+20.68 грн
500+16.68 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3Vishay SiliconixTSOP-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.24 грн
28+27.14 грн
50+26.04 грн
100+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 21133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+33.81 грн
100+23.66 грн
500+17.47 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
530+26.70 грн
594+23.85 грн
604+23.43 грн
688+19.85 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.71 грн
11+39.92 грн
50+27.76 грн
100+23.73 грн
500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.05 грн
6000+12.39 грн
9000+12.22 грн
15000+11.32 грн
21000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Очікується: 3330 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.51 грн
26+29.05 грн
29+26.70 грн
100+22.99 грн
250+20.92 грн
500+17.64 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DVonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DVON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DVON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT6 SINGLE PCH
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DVVISHAY
на замовлення 15746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DVonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DV-NL
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]