Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTT1N250HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+2164.83 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2978.50 грн
30+1939.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N300P3HV - MOSFET, N-CH, 3KV, 1A, TO-268HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 3
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-268HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 50
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO268HV; 1.8us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
On-state resistance: 50Ω
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 3kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.8µs
Drain current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HVIXYSMOSFETs TO268 3KV 1A N-CH POLAR
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVIXYSMOSFETs 4500V 1A HV Power MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT1N450HV. - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 1A, TO-268HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 hours
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20N50DIXYSMOSFETs 20 Amps 500V 0.33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20N50DIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1177.49 грн
14+1062.08 грн
25+1041.81 грн
50+994.51 грн
100+818.64 грн
500+620.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.33 грн
10+958.61 грн
25+940.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1422.04 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PIXYSMOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+707.67 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.49 грн
10+1062.08 грн
25+1041.81 грн
50+994.51 грн
100+818.64 грн
500+620.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT20P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT220N20X4HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT220N20X4HV - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 4100 µohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT220N20X4HVIXYSMOSFETs TO268 200V 220A N-CH X4CLASS
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT220N20X4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1309.75 грн
30+790.54 грн
120+707.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT240N15X4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT240N15X4HVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24N50QIXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1094.21 грн
30+645.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20IXYSMOSFET 24 Amps 200V 11 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.82 грн
30+555.85 грн
60+512.12 грн
120+446.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PIXYSMOSFETs 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.43 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N60PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N170D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2034.00 грн
30+1277.67 грн
120+1239.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N170D2IXYSMOSFETs 1700V 2A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3302.99 грн
30+2477.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HVIXYSMOSFETs TO268 3KV 30A N-CH POLAR
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT2N300P3HV - MOSFET, N-CH, 3KV, 2A, TO-268HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 3
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 520
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 520
Bauform - Transistor: TO-268HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 21
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50LIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50LIXYSMOSFETs 30 Amps 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: Linear L2™
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 710ns
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1802.77 грн
30+1107.42 грн
60+1032.73 грн
120+910.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2IXYSMOSFETs 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT34N65X2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO268HV; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO268HV
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 54nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT34N65X2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT34N65X2HVIXYSMOSFETs TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 360A TO268
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.72 грн
30+643.18 грн
60+594.93 грн
120+520.24 грн
510+480.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2IXYSMOSFETs 360Amps 55V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PIXYSMOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A TO268
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.75 грн
30+686.85 грн
60+635.15 грн
120+555.29 грн
510+482.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36P10IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36P10IXYSMOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT38N30L2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT38N30L2HVIXYSMOSFETs TO268 300V 38A N-CH LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT3N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT3N200P3HVIXYSMOSFETs TO268 2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1700.88 грн
30+1044.75 грн
60+974.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2IXYSMOSFETs 40 Amps 500V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT40N50L2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 40A; 540W; D3PAK,TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N04T4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 440A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N04T4HVIXYSMOSFETs 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N055T2IXYSMOSFETs N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 440A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 48A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 85mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 462W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PIXYSMOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT48P20P. - MOSFET, P-CH, 200V, 48A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
directShipCharge: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO268HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Gate charge: 44.5nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HVIXYSMOSFETs TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTT4N150HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.5kV; 4A; 280W; D3PAK,TO268; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Gate charge: 44.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.