Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN53D0LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.74 грн
500+10.32 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1169900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.02 грн
100+8.79 грн
500+6.88 грн
1000+4.78 грн
2000+4.14 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.53 грн
30000+3.33 грн
50000+3.00 грн
100000+2.49 грн
250000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
19+16.99 грн
100+9.25 грн
500+6.90 грн
1000+5.38 грн
2500+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 878836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
27+11.22 грн
100+5.12 грн
500+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.98 грн
34+22.75 грн
37+20.85 грн
100+11.70 грн
250+10.72 грн
500+8.25 грн
1000+5.56 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+3.25 грн
9000+3.07 грн
15000+2.83 грн
21000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+12.13 грн
1181+12.01 грн
1473+9.63 грн
2187+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3769+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
16+18.85 грн
100+9.53 грн
500+7.30 грн
1000+5.41 грн
2000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 3K
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
25+13.10 грн
100+7.11 грн
500+5.32 грн
1000+4.69 грн
3000+4.63 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.85 грн
30000+2.59 грн
50000+2.43 грн
100000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.23 грн
15000+2.75 грн
30000+2.43 грн
75000+2.28 грн
150000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; 430mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.43W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
14+21.46 грн
100+10.84 грн
500+9.02 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.09 грн
500+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 430mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
6000+6.54 грн
9000+5.79 грн
30000+5.37 грн
75000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
на замовлення 12661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.72 грн
100+11.39 грн
500+8.56 грн
1000+7.59 грн
3000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.91 грн
37+21.83 грн
100+14.09 грн
500+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
на замовлення 17768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.24 грн
20+16.51 грн
100+9.11 грн
500+5.73 грн
1000+5.04 грн
2500+4.49 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.7A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.56 грн
30000+2.42 грн
50000+2.18 грн
100000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.7A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.32 грн
111+7.28 грн
500+5.01 грн
1000+4.07 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
на замовлення 51044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
25+13.18 грн
100+7.46 грн
500+5.73 грн
1000+5.04 грн
3000+4.42 грн
6000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.85 грн
66+12.32 грн
111+7.28 грн
500+5.01 грн
1000+4.07 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.20 грн
100+5.73 грн
500+3.94 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.07 грн
30000+2.91 грн
50000+2.61 грн
100000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
на замовлення 9541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.11 грн
43+7.54 грн
100+4.97 грн
500+4.49 грн
1000+3.73 грн
3000+2.49 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.53 грн
115+7.04 грн
500+4.80 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
на замовлення 909000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.00 грн
6000+3.57 грн
9000+2.96 грн
30000+2.73 грн
75000+2.45 грн
150000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.16 грн
54+14.06 грн
100+7.51 грн
250+6.88 грн
500+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.93 грн
60+13.53 грн
115+7.04 грн
500+4.80 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 915261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
20+15.63 грн
100+7.67 грн
500+6.00 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.22 грн
38+20.33 грн
270+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.60 грн
37+20.44 грн
100+10.65 грн
250+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFET .2W 50V .16A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.36 грн
34+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.24 грн
15+21.91 грн
100+10.77 грн
1000+5.45 грн
3000+4.76 грн
9000+3.80 грн
24000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN55D0UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06-7DIODES, INC.MOSFET N-CHAN 50V 350MW SOT-23
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMKDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMK-7DiodesMOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vdss 20Vgss 400mW
на замовлення 56536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.20 грн
500+17.20 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DMKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.97 грн
22+38.26 грн
100+23.20 грн
500+17.20 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
6000+11.29 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
на замовлення 32269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]