Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN53D0L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
18+17.28 грн
100+8.45 грн
500+6.62 грн
1000+4.60 грн
2000+3.98 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.39 грн
30000+3.21 грн
50000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4323+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 4323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.66 грн
30000+3.40 грн
75000+3.06 грн
150000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.79 грн
29+10.53 грн
50+8.58 грн
100+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.21 грн
87000+3.85 грн
174000+3.58 грн
261000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
на замовлення 97692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-7-WDiodes ZetexDMN53D0L-7-W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 360mA; 310mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 83685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
24+12.86 грн
100+8.05 грн
500+5.58 грн
1000+4.93 грн
2000+4.39 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.44 грн
20000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.81 грн
20000+3.35 грн
30000+3.18 грн
50000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
6000+3.95 грн
9000+3.73 грн
15000+3.26 грн
21000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
9000+4.08 грн
24000+3.83 грн
45000+3.34 грн
99000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes INC.2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 360 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 46 @ 25, Qg, нКл = 0,65, Rds = 1,6 мом, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3677+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
на замовлення 31244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 28380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
24+12.86 грн
100+8.05 грн
500+5.58 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.79 грн
35+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.32 грн
46+16.63 грн
49+15.46 грн
123+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3165+4.48 грн
93000+4.09 грн
186000+3.81 грн
279000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7-52Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.46A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.71 грн
30000+6.38 грн
50000+5.42 грн
100000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-13Diodes ZetexDMN53D0LDWQ-13
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
13+23.63 грн
100+11.91 грн
500+9.90 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.46A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.37A; Idm: 1A; 0.4W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+7.18 грн
9000+6.36 грн
30000+5.89 грн
75000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7Diodes Zetex50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1169900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.02 грн
100+8.79 грн
500+6.88 грн
1000+4.78 грн
2000+4.14 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.53 грн
30000+3.33 грн
50000+3.00 грн
100000+2.49 грн
250000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 878836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
27+11.22 грн
100+5.12 грн
500+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.98 грн
34+22.75 грн
37+20.85 грн
100+11.70 грн
250+10.72 грн
500+8.25 грн
1000+5.56 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+12.13 грн
1181+12.01 грн
1473+9.63 грн
2187+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+3.25 грн
9000+3.07 грн
15000+2.83 грн
21000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
16+18.85 грн
100+9.53 грн
500+7.30 грн
1000+5.41 грн
2000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3769+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 3K
на замовлення 8754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.85 грн
30000+2.59 грн
50000+2.43 грн
100000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.23 грн
15000+2.75 грн
30000+2.43 грн
75000+2.28 грн
150000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
на замовлення 12661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
14+21.46 грн
100+10.84 грн
500+9.02 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; 430mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.43W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
6000+6.54 грн
9000+5.79 грн
30000+5.37 грн
75000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.7A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
на замовлення 17768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.56 грн
30000+2.42 грн
50000+2.18 грн
100000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
24+12.49 грн
29+10.32 грн
50+8.39 грн
100+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.